mos—fet 文章 最新資訊
基于場效應(yīng)管的功率放大器設(shè)計

- 摘要:用場效應(yīng)晶體管設(shè)計出有膽味的音頻功率放大器。前級采用單管、甲類,后級采用甲乙類推挽放大技術(shù)。實驗證明差分放大器使用的對管的一致性與整機的失真程度密切相關(guān)。從聽音效果來看,末級電流200mA是理想值。 前后級間耦合電容對聽音影響較大,要求質(zhì)量高些。 對于音頻功率放大器而言,最好聽的莫過于甲類放大器。根據(jù)頻率分析的結(jié)果,由集成運算放大器構(gòu)成的前級聲音單薄、缺乏活力。所以,可不可以前級采用單管甲類放大器,后級采用甲乙類功率放大器?這樣既兼顧聽音需要,又兼顧效率的需要。目前,電子管音頻功率放大器仍然占據(jù)
- 關(guān)鍵字: FET 場效應(yīng)管 功率放大器
一種低電壓、低功耗模擬電路設(shè)計簡介
- 因為MOS晶體管的襯底或者與源極相連,或者連接到VDD或VSS,所以經(jīng)常被用作一個三端設(shè)備。由于未來CMOS技術(shù)的閾值電壓并不會遠(yuǎn)低于現(xiàn)有標(biāo)準(zhǔn),于是采用襯底驅(qū)動技術(shù)進行模擬電路設(shè)計就成為較好的解決方案[1].襯底驅(qū)動技術(shù)的原理是:在柵極和源極之間加上足夠大的固定電壓,以形成反型層,輸入信號加在襯底和源極之間,這樣閾值電壓就可以減小或從信號通路上得以避開。襯底驅(qū)動MOS晶體管的原理類似于結(jié)型場效應(yīng)晶體管,也就是一個耗盡型器件,它可以工作在負(fù)、零、甚至略微正偏壓條件下[2].由于襯底電壓影響與反型層(即導(dǎo)電溝
- 關(guān)鍵字: MOS CMOS
用于汽車啟停的低耗能電源設(shè)計的幾種方法

- 隨著城市快節(jié)奏的發(fā)展,大多數(shù)人擁有自己的車,這也使得交通變得擁堵,而汽車在高峰期的走走停停會耗掉很多的能源,不僅浪費還污染環(huán)境。故而引進了汽車系統(tǒng)中的“啟停”功能,但是這種系統(tǒng)也給汽車電子帶來了一些獨特的工程技術(shù)挑戰(zhàn),汽車啟停系統(tǒng)中電源設(shè)計是一大難題。本文就為大家介紹一種用于汽車啟停的低耗能電源設(shè)計。 為了控制燃油消耗,許多汽車制造商在下一代汽車中實現(xiàn)了“啟停”功能,而且為數(shù)眾多的這種汽車已經(jīng)開始上路。這些系統(tǒng)會在汽車停下來時關(guān)閉發(fā)動機,當(dāng)腳從剎車踏板移動
- 關(guān)鍵字: P-FET MOSFET
移動電源方案技術(shù)深度剖析連載一:小米10400

- 引言: 鑒于目前網(wǎng)絡(luò)上移動電源方案知識甚少,而移動電源最核心的技術(shù)恰恰就在方案,從今開始特在移動電源網(wǎng)開設(shè)移動電源方案技術(shù)篇連載,對目前市面主流品牌,暢銷產(chǎn)品等移動電源方案一一深度剖析,與移動電源設(shè)計師和技術(shù)迷們一起分享!我們首款產(chǎn)品就選目前最熱門的小米10400mAh移動電源吧。 正文: 移動電源網(wǎng)獨家撰稿,轉(zhuǎn)載請保留出處鏈接?! 〈蠹液?我是來福,移動電源資深技術(shù)愛好者,鑒于目前網(wǎng)絡(luò)上移動電源方案知識甚少,而移動電源最核心的技術(shù)恰恰就在方案,從今開始特在移動電源網(wǎng)開設(shè)移動電源方案技術(shù)篇連載,
- 關(guān)鍵字: 小米 10400 BQ24195 ABOV MOS
Silego公司推出體積小一倍電流為4.5A的雙通道全功能負(fù)載開關(guān)

- 2014年3月17日Silego于美國加州圣克拉拉推出一款基于Silego亞微米銅制程電源FET技術(shù)的16?mΩ雙通道GreenFET3?負(fù)載開關(guān)產(chǎn)品即SLG59M1527V。該款負(fù)載開關(guān)每條通道最高電流可達(dá)到?4.5A?、總電流高達(dá)9.0A。并且引用Silego?CuFETTM?技術(shù)來實現(xiàn)低導(dǎo)通電阻、外形尺寸最小同時可靠性提高?! LG59M1527V是一款以14?pin腳、尺寸為1.0?x?3.0?
- 關(guān)鍵字: Silego FET SLG59M1527V
研究人員以硼/氮共摻雜實現(xiàn)石墨烯能隙

- 韓國蔚山科技大學(xué)(UNIST)的研究人員們宣稱開發(fā)出一種可大量生產(chǎn)硼/氮共摻雜石墨烯奈米微板的方法,從而可實現(xiàn)基于石墨烯的場效電晶體(FET)制造與設(shè)計。 由Jong-BeomBaek主導(dǎo)的研究團隊們采用一種BBr3/CCl4/N2的簡單溶劑熱反應(yīng),大量生產(chǎn)硼/氮共摻雜石墨烯奈米管,即「硼-碳-氮-石墨烯」(BCN-石墨烯)。 石墨烯自2004年經(jīng)由實驗發(fā)現(xiàn)后,已經(jīng)開發(fā)出各種方法來制造基于石墨烯的FET,包括摻雜石墨烯打造成石墨烯狀的奈米帶,以及利用氮化硼作為支柱。在各種控制石墨烯
- 關(guān)鍵字: 石墨烯 FET
如何針對反向轉(zhuǎn)換器的FET關(guān)斷電壓而進行緩沖
- 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
- 關(guān)鍵字: 反向轉(zhuǎn)換器 FET 關(guān)斷電壓 緩沖 漏極電感
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