mos—fet 文章 最新資訊
友達光電宣布收購FET公司的FED資產(chǎn)及技術(shù)
- 友達光電1月20日宣布, 與由索尼(SONY)持股39.8%的Field Emission Technologies Inc. 公司(以下簡稱FET)及FET Japan Inc.(以下簡稱FETJ)簽署資產(chǎn)收購技術(shù)移轉(zhuǎn)協(xié)議,收購FET的場發(fā)射顯示器(field emission displays;FED)技術(shù),該公司為全球FED技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者。友達在此交易中,將取得FET顯示技術(shù)及材料的專利、技術(shù)、發(fā)明,以及相關(guān)設(shè)備等資產(chǎn)。 FED技術(shù)在快速反應(yīng)時間、高效率、亮度和對比度方面不但能與傳統(tǒng)CRT相
- 關(guān)鍵字: 友達 FED FET
瞄準(zhǔn)高端市場 友達將收購FET的部分資產(chǎn)

- 臺灣友達科技近日宣布,他們已經(jīng)與FET公司以及FET日本公司達成了協(xié)議,友達將出資收購FET公司的部分資產(chǎn),并將因此而獲得FET公司的部分專利技術(shù)。FET公司目前在FED場射顯示技術(shù)(Field Emission Display)領(lǐng)域占據(jù)領(lǐng)先地位,索尼公司目前擁有FET公司39.8%的股份。友達并表示,其收購的內(nèi)容將包括FED場射面板相 關(guān)技術(shù)專利,F(xiàn)ED技術(shù)實施方案,以及FED面板生產(chǎn)用設(shè)備等。 FED場射面板兼具CRT顯示器和LCD顯示器的優(yōu)勢,其工作原理與CRT顯示器完全相同,同樣采用
- 關(guān)鍵字: 友達 FED FET
砷化鎵外延襯底市場規(guī)模將超過4億美元
- Strategy Analytics 發(fā)布最新年度預(yù)測報告“半絕緣砷化鎵 (SI GaAs) 外延襯底市場預(yù)測2008-2013”。報告總結(jié),2008年半絕緣砷化鎵(SI GaAs)外延襯底市場年增長率達到22%,但 Strategy Analytics 預(yù)計2009年該市場將持平或轉(zhuǎn)負(fù)增長。借助下一代蜂窩手機平臺上嵌入多砷化鎵(GaAs)器件,以及來自其它市場對砷化鎵 (GaAs) 器件的需求,半絕緣砷化鎵 (SI GaAs) 外延襯底市場在2010年將恢復(fù)增長。 一直
- 關(guān)鍵字: GaAs 外延襯底 FET HBT
T推出具有 FET 的全集成 10 A 同步降壓轉(zhuǎn)換器

- 日前,德州儀器 (TI) 宣布推出一款具有 FET 的全集成 10 A 同步降壓轉(zhuǎn)換器,該器件將寬泛的輸入、輕負(fù)載效率以及更小的解決方案尺寸進行完美結(jié)合,可實現(xiàn)更高的電源密度。TPS51315 是一款具有 D-CAP 模式控制機制的 1 MHz DC/DC 轉(zhuǎn)換器,與同類競爭產(chǎn)品相比,該器件在將外部輸出電容需求數(shù)量降至 32% 的同時,還可實現(xiàn)快速瞬態(tài)響應(yīng)。該轉(zhuǎn)換器充分利用自動跳過模式與 Eco-mode 輕負(fù)載控制機制,幫助設(shè)計人員滿足能量之星/90Plus 標(biāo)準(zhǔn)的要求,從而可實現(xiàn)整個負(fù)載范圍內(nèi)的高
- 關(guān)鍵字: TI FET 轉(zhuǎn)換器 TPS51315
集成電路布圖設(shè)計登記:數(shù)量持續(xù)上升 中國企業(yè)占優(yōu)

- 2008年,受到全球半導(dǎo)體市場衰退的影響,中國集成電路產(chǎn)業(yè)由前幾年的較快增長轉(zhuǎn)變?yōu)橄禄?。盡管中國以內(nèi)需市場為主的集成電路設(shè)計業(yè)仍實現(xiàn)了一定增長,但嚴(yán)重依賴出口的芯片制造和封測行業(yè)下滑嚴(yán)重。市場的變化和利潤的減少迫使企業(yè)不斷創(chuàng)新,知識產(chǎn)權(quán)問題將變得更加重要。作為集成電路行業(yè)特殊的知識產(chǎn)權(quán)保護形式,集成電路布圖設(shè)計登記應(yīng)得到更多的關(guān)注。 最近,中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會知識產(chǎn)權(quán)工作部和上海硅知識產(chǎn)權(quán)交易中心聯(lián)合推出中國集成電路布圖設(shè)計登記2008年度報告,本期刊登部分節(jié)選,供業(yè)界研究參考。 本報告數(shù)據(jù)
- 關(guān)鍵字: NEC MOS 集成電路布圖設(shè)計
ADI公司推出快速FET運算放大器
- 2009年1月22日,中國北京——Analog Devices, Inc.(紐約證券交易所代碼: ADI),全球領(lǐng)先的高性能信號處理解決方案供應(yīng)商,最新推出一款業(yè)界最快的場效應(yīng)晶體管(FET)運算放大器——ADA4817。這款產(chǎn)品工作頻率高達1GHz,設(shè)計用于高性能的便攜式醫(yī)療診斷設(shè)備和儀器儀表設(shè)備。與競爭器件相比,可提供兩倍的帶寬,同時噪聲降低一半。它已被領(lǐng)先的醫(yī)療、測試和測量設(shè)備公司所采用,用于如CT、MRI、示波器衰減探頭和其它醫(yī)療設(shè)備。與ADA4
- 關(guān)鍵字: ADI 運算放大器 FET ADA4817
德州儀器1.5A 線性電池充電器可最大化AC 適配器與USB 輸入功率
- 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
- 關(guān)鍵字: FET TI IC-bq2407x
麻省理工學(xué)院計劃為發(fā)展中國家開發(fā)12美元PC
- 美國麻省理工學(xué)院一個為第三世界家庭開發(fā)廉價計算機的項目組將以任天堂娛樂系統(tǒng)為基礎(chǔ)而不是以蘋果II電腦為基礎(chǔ)進行設(shè)計。這兩種系統(tǒng)都采用相同的處理器芯片。 一些Mac計算機網(wǎng)站指出,《波士頓先驅(qū)報》本周一的一篇文章介紹了本月麻省理工學(xué)院國際設(shè)計峰會部分內(nèi)容“教育家庭計算計劃”。這個計劃的目標(biāo)是開發(fā)成本只有12美元的初級計算機。 雖然設(shè)計師之一的27歲研究生Derek Lomas說他希望給第三世界的學(xué)校提供類似于伴隨他長大蘋果II計算機,但是,他和他的團隊研制的這種計算機
- 關(guān)鍵字: PC 廉價 處理器 MOS 6502
TI推出具有啟動過程中禁止吸入功能的DC/DC 轉(zhuǎn)換器
- TPS54377 是一款輸入電壓為 3V ~6V 的 DC/DC 轉(zhuǎn)換器,具有可將電壓步降至 0.9V 的集成的 FET。其轉(zhuǎn)換頻率為同步頻率并可調(diào)至 1.6MHz,以減少外部組件數(shù)量且有助于確定頻譜噪聲頻帶。該器件在整個溫度范圍內(nèi)均可提供高達 3A 的輸出電流并可支持 4A 的峰值輸出電流。其具有電源狀態(tài)良好指示、啟動、可調(diào)慢啟動、電流限制、熱關(guān)斷以及 1% 的參考精度等特性。TPS54377 可用于寬帶、聯(lián)網(wǎng)和通信基礎(chǔ)設(shè)施、分布式電源系統(tǒng)以及 DSP、FPGA 和 ASIC 的 POL 穩(wěn)壓。
- 關(guān)鍵字: TI 轉(zhuǎn)換器 DC/DC FET
基于LT1641的雙路熱插拔電路設(shè)計

- 0 引言 很多大型數(shù)據(jù)系統(tǒng)中都會采用"背板+插件板"結(jié)構(gòu)。這樣,在更換維護插件板時,通常都希望在不影響系統(tǒng)工作的情況下帶電插拔。電路上電或帶電插拔時,一般會產(chǎn)生很大的啟動電流和電壓波動,這些現(xiàn)象將影響設(shè)備的正常工作,甚至導(dǎo)致整個系統(tǒng)的損害。當(dāng)一塊插件板插入工作背板或者從工作背板拔出時,插件板上附加電容的充放電會給工作背板提供一個低阻抗,此時背板到插件板的高涌入電流可能會燒毀連接器和電路元件,或者暫時使背板陷落以導(dǎo)致系統(tǒng)重啟。這種現(xiàn)象就是熱插拔現(xiàn)象。 所謂熱插拔(Hot
- 關(guān)鍵字: 電路 熱插拔 MOS 電源
集成功率FET的鋰離子開關(guān)充電器
- 當(dāng)輸入至輸出的開銷電壓(overhead voltage)和/或充電電流較高時,線性電池充電器的功耗相當(dāng)大。以一般的便攜式DVD播放器(雙節(jié)鋰離子電池組、12V車載適配器、1.2A額定充電電流)為例,其線性充電器的平均功耗超過5W。 bq241xx系列開關(guān)充電器是對過熱問題的簡便解決方案。內(nèi)置功率FET能夠提供高達2A的充電電流。同步PWM控制器的工作頻率為1.1MHz,輸入電壓最高可達18V,非常適用于由單節(jié)、雙或三節(jié)電池組供電的系統(tǒng)。該系列開關(guān)充電器具有的高電壓、高電流、高效率等優(yōu)異特性,并且
- 關(guān)鍵字: FET 鋰離子開關(guān)充電器 電源
AB類功率放大器驅(qū)動電路的研究與設(shè)計
- 1 AB類功放驅(qū)動電路設(shè)計目標(biāo) 在實用電路中,往往要求放大電路的末級(即輸出級)輸出一定的功率,以驅(qū)動負(fù)載。能夠向負(fù)載提供足夠信號功率的放大電路稱為功率放大電路,簡稱功放。經(jīng)典功率放大器有4種類型:A類,AB類,B類和C類,他們的主要差別在于偏置的情況不同。理想的4類經(jīng)典放大器的最大效率的理論值與導(dǎo)通角的函數(shù)關(guān)系如圖1所示。 A類功率放大器的線性度好,功率傳遞能力差,效率最大值為50%,導(dǎo)通角為360
- 關(guān)鍵字: 模擬技術(shù) 電源技術(shù) 驅(qū)動電 放大器 MOS
mos—fet介紹
您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條mos—fet!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對mos—fet的理解,并與今后在此搜索mos—fet的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對mos—fet的理解,并與今后在此搜索mos—fet的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
