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大功率IGBT驅(qū)動(dòng)過流保護(hù)電路研究

- 摘要:針對(duì)IGBT驅(qū)動(dòng)過流保護(hù)問題,提出了分離元件驅(qū)動(dòng)過流保護(hù)電路和模塊驅(qū)動(dòng)過流保護(hù)電路.文中給出了分離元件驅(qū)動(dòng)過流保護(hù)電路和模塊驅(qū)動(dòng)過流保護(hù)電路,并詳細(xì)分析了兩者的工作原理,指出了它們之間的優(yōu)缺點(diǎn). 關(guān)鍵詞:IGBT;分離元件驅(qū)動(dòng)過流保護(hù)電路;模塊驅(qū)動(dòng)過流保護(hù)電路 IGBT因其飽和壓降低和工作頻率高等優(yōu)點(diǎn)而成為大功率開關(guān)電源等電力電子裝置的首選功率器件,但I(xiàn)GBT和晶閘管一樣,其抗過載能力不高[1-2].因此,如何設(shè)計(jì)IGBT的驅(qū)動(dòng)過流保護(hù)電路,使之具有完善的驅(qū)動(dòng)過流保護(hù)功能,是設(shè)計(jì)者必須考
- 關(guān)鍵字: IGBT 分離元件 驅(qū)動(dòng) 過流保護(hù)電路
IGBT模塊的并聯(lián) 從最壞情況模擬到完全統(tǒng)計(jì)方法

- 摘要:利用并聯(lián)IGBT模塊的蒙特卡羅模擬方法,可以基于器件中的隨機(jī)模塊參數(shù)和系統(tǒng)不平衡度計(jì)算出電流不平衡、開關(guān)損耗及結(jié)溫。 關(guān)鍵詞:IGBT模塊并聯(lián);模擬分析方法;蒙特卡羅方法 IGBT模塊在并聯(lián)時(shí)的降額必然性問題同器件的工藝問題一樣是一個(gè)老問題了。在試圖回答該問題時(shí),工程師們通常會(huì)很快地發(fā)現(xiàn)自己處在一個(gè)兩難的位置上。過去,人們針對(duì)該問題提出了一些考慮統(tǒng)計(jì)因素的方法,但是到目前為止,仍然沒有人可以回答這樣的關(guān)鍵問題,即如果降額低于最差情況分析方法所建議的降額時(shí),超出器件限值的概率有多大?,F(xiàn)在,英飛
- 關(guān)鍵字: IGBT 模塊并聯(lián) 模擬分析方法 蒙特卡羅方法 200809
IR 推出適合汽車應(yīng)用的堅(jiān)固可靠600V IC

- 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱IR) 推出適合汽車應(yīng)用的高、中、低壓堅(jiān)固600V單通道高壓端驅(qū)動(dòng)IC AUIRS212xS系列,其應(yīng)用包括通用汽車驅(qū)動(dòng)器、高壓執(zhí)行器和低油耗直噴系統(tǒng)。 AUIRS2123S 和 AUIRS2124S高速功率MOSFET 和IGBT驅(qū)動(dòng)器符合AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn),可以提供10V至20V的柵極驅(qū)動(dòng)電源電壓。輸出驅(qū)動(dòng)器具有適用于最小驅(qū)動(dòng)器跨導(dǎo)的高脈沖電流緩沖過程,而浮動(dòng)通道可用來(lái)驅(qū)動(dòng)在600V電壓下工作的高壓端配置的N溝道功率MO
- 關(guān)鍵字: IR 汽車 驅(qū)動(dòng)器 IGBT
電力電子技術(shù)突顯節(jié)能功效 新型器件嶄露頭角
- 發(fā)展電力電子產(chǎn)業(yè)的首要意義在于節(jié)約電能,因此,高效率是我們對(duì)電力電子器件的基本要求。新型電力電子器件IGBT(絕緣柵雙極型功率管)已在工業(yè)控制、消費(fèi)電子、汽車電子等多個(gè)領(lǐng)域充當(dāng)了節(jié)能的“急先鋒”,而在新能源領(lǐng)域,電力電子器件也是不可或缺的元素。 電力電子器件在其發(fā)展的初期(上世紀(jì)60年代-80年代)主要應(yīng)用于工業(yè)和電力系統(tǒng)。而近20年來(lái),隨著4C產(chǎn)業(yè)(通信、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、汽車)的蓬勃發(fā)展,電力電子器件的應(yīng)用范圍有了大幅度的擴(kuò)展,其技術(shù)已成為航空、航天、火車、汽車、通信
- 關(guān)鍵字: 電力電子 IGBT 新能源 節(jié)能
用于控制變速電動(dòng)機(jī)的功率模塊

- 改善洗衣機(jī)、電冰箱以及空調(diào)等家用電器能源使用效率的需求正在增加。從傳統(tǒng)的固定轉(zhuǎn)速馬達(dá)轉(zhuǎn)換到變速馬達(dá)可以節(jié)省能耗30%之多。但這種設(shè)計(jì)的難度較大,雖已經(jīng)出現(xiàn)了幾種方案來(lái)降低此類項(xiàng)目的數(shù)字設(shè)計(jì)工作難度,但是設(shè)計(jì)人員仍需要集成模塊和相關(guān)的設(shè)計(jì)工具來(lái)促進(jìn)功率級(jí)的設(shè)計(jì)。 為了使低成本變速馬達(dá)控制器成為可能,元器件供應(yīng)商設(shè)法通過簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)和降低結(jié)構(gòu)復(fù)雜度來(lái)減少變速控制器的成本。例如,已經(jīng)出現(xiàn)了幾種數(shù)字信號(hào)控制平臺(tái),它們結(jié)合了DSP和集成PWM和馬達(dá)控制外圍設(shè)備的RISC處理器。這些平臺(tái)可運(yùn)行第三方或者自行開發(fā)
- 關(guān)鍵字: 電動(dòng)機(jī) IPM DSP PWM 馬達(dá)
Zetex推出全新ZXGD3000雙極柵極驅(qū)動(dòng)器系列

- Zetex Semiconductors (捷特科) 推出全新ZXGD3000雙極柵極驅(qū)動(dòng)器系列,用于開關(guān)電源和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中的MOSFET及IGBT。低成本的ZXGD3000系列能灌入高達(dá)9A的電流,柵極電容的充、放電速度比柵極驅(qū)動(dòng)器IC更快,有助于加快開關(guān)時(shí)間,提高電路效率。 該系列包含4款高速非反向柵極驅(qū)動(dòng)器,電源電壓范圍為12V至40V。其快速開關(guān)射極跟隨器配置,實(shí)現(xiàn)了小于2ns的傳播延遲和大約10ns的上升/下降時(shí)間,有效改善了對(duì)MOSFET開關(guān)性能的控制。ZXGD3000還能防止鎖定,
- 關(guān)鍵字: Zetex ZXGD3000 MOSFET IGBT
普爾盛自主產(chǎn)品參展--PSHI 3系列IGBT驅(qū)動(dòng)器
- PSHI 3系列IGBT驅(qū)動(dòng)器是基于具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的ASIC而設(shè)計(jì)的智能型1700V雙路IGBT驅(qū)動(dòng)器,包括邏輯信號(hào)處理的ASIC PSD001,門極驅(qū)動(dòng)的ASIC PSD002。集成了電平選擇、邏輯信號(hào)處理、故障鎖存及處理、短路保護(hù)、欠壓保護(hù)、互鎖、電氣隔離、DC/DC隔離電源等,工作溫度范圍為-45℃~+85℃,其中: PSHI 302適用于200A以下的IGBT驅(qū)動(dòng); PSHI 332適用于150A-800A的IGBT驅(qū)動(dòng); PSHI 362適用于400A-1200A的IGBT。 驅(qū)動(dòng)
- 關(guān)鍵字: 普爾盛 IGBT 驅(qū)動(dòng)器
智能模塊IPM在雙PWM變頻器中的應(yīng)用

- 介紹了智能模塊IPM的原理及其在雙PWM變頻調(diào)速系統(tǒng)中的應(yīng)用,詳細(xì)介紹了IPM的引腳功能及其在系統(tǒng)中的驅(qū)動(dòng)和電源設(shè)計(jì),給出了原理圖及接線圖,并提出設(shè)計(jì)中各種注意事項(xiàng)。
- 關(guān)鍵字: IPM 雙PWM變頻調(diào)速系統(tǒng) 引腳
用于功率變換器的IGBT驅(qū)動(dòng)核心電路

- 除了功率模塊以外,每個(gè)電力電子系統(tǒng)都還有另外一個(gè)關(guān)鍵部件就是IGBT驅(qū)動(dòng)電路,它們是功率晶體管和控制器之間非常重要的接口電路。因此,選擇適當(dāng)?shù)尿?qū)動(dòng)電路就和逆變器整體方案的可靠性緊密相關(guān)。與此同時(shí),驅(qū)動(dòng)電路還應(yīng)該具備最廣泛的系統(tǒng)適應(yīng)性和用戶接口友好性。 例如,在一個(gè)電力電子逆變器中,微控制器提供系統(tǒng)正確運(yùn)行所需要的數(shù)字信號(hào)。IGBT驅(qū)動(dòng)電路的功能就是將來(lái)自于微控制器的信號(hào)轉(zhuǎn)換成具有足夠功率的驅(qū)動(dòng)信號(hào),來(lái)保證IGBT安全地關(guān)斷與開通。另一方面,IGBT驅(qū)動(dòng)電路為微控制器和功率晶體管之間的電壓提供電氣
- 關(guān)鍵字: IGBT SKYPER
三菱電機(jī)推出第四代DIP-IPM
- 三菱電機(jī)將攜同最新推出的第四代DIP-IPM(雙列直插型智能功率模塊),在3月18至20日于上海新國(guó)際博覽中心舉行之2008慕尼黑上海電子展(展位5102)上,為參觀者帶來(lái)現(xiàn)今世界上最領(lǐng)先的變頻家電節(jié)能技術(shù)。 三菱電機(jī)作為業(yè)界的先驅(qū),早在1997年就開發(fā)了用于白色家電和工業(yè)用電機(jī)的變頻驅(qū)動(dòng)的DIP-IPM。2004年以來(lái),DIP-IPM模塊的開發(fā)致力于小型化、低熱阻化以及完全無(wú)鉛化,并已開發(fā)出第四代DIP-IPM產(chǎn)品。如今,為提高DIP-IPM的性價(jià)比,增加了新開發(fā)的搭載RC-IGBT硅片的額定電流為3
- 關(guān)鍵字: 三菱 DIP-IPM 功率模塊 電源 200802
三菱電機(jī)第五代IGBT模塊將亮相于電子展
- 三菱電機(jī)將攜同多種系列的第五代IGBT模塊,在3月18至20日于上海新國(guó)際博覽中心舉行之2008慕尼黑上海電子展(展位5102)上,為不同領(lǐng)域的客戶提供與其相應(yīng)的應(yīng)用解決方案。 ? 三菱電機(jī)采用最新開發(fā)的載流子存儲(chǔ)式溝槽型雙極晶體管(Carrier Stored Trench-gate Bipolar Transistor,CSTBTTM)功率硅片,實(shí)現(xiàn)了第五代IGBT模塊的產(chǎn)品化,其具有低損耗、低飽和壓降、高功率循環(huán)和壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)。分別針對(duì)不同應(yīng)用開發(fā)了A、 NF、 NFM、NFH和NX系
- 關(guān)鍵字: 三菱 IGBT 電子展 200802
開關(guān)電源技術(shù)發(fā)展的十個(gè)關(guān)注點(diǎn)
- 上世紀(jì)60年代,開關(guān)電源的問世,使其逐步取代了線性穩(wěn)壓電源和SCR相控電源。40多年來(lái),開關(guān)電源技術(shù)有了飛迅發(fā)展和變化,經(jīng)歷了功率半導(dǎo)體器件、高頻化和軟開關(guān)技術(shù)、開關(guān)電源系統(tǒng)的集成技術(shù)三個(gè)發(fā)展階段。
- 關(guān)鍵字: 開關(guān)電源,IGBT 碳化硅 AC/DC
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