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gan mos driver 文章 最新資訊

基于LT1641的雙路熱插拔電路設(shè)計

  • 　　0 引言 　　很多大型數(shù)據(jù)系統(tǒng)中都會采用"背板+插件板"結(jié)構(gòu)。這樣，在更換維護(hù)插件板時，通常都希望在不影響系統(tǒng)工作的情況下帶電插拔。電路上電或帶電插拔時，一般會產(chǎn)生很大的啟動電流和電壓波動，這些現(xiàn)象將影響設(shè)備的正常工作，甚至導(dǎo)致整個系統(tǒng)的損害。當(dāng)一塊插件板插入工作背板或者從工作背板拔出時，插件板上附加電容的充放電會給工作背板提供一個低阻抗，此時背板到插件板的高涌入電流可能會燒毀連接器和電路元件，或者暫時使背板陷落以導(dǎo)致系統(tǒng)重啟。這種現(xiàn)象就是熱插拔現(xiàn)象。 　　所謂熱插拔(Hot
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Cree推出用于5GHzWiMAX的GaN HEMT三極管

  • 　　Cree發(fā)布了兩款突破性的GaN HEMT三極管，用于覆蓋4.9-5.8GHz頻帶的WiMAX。新款三極管CGH55015F與CGH55030F是首次發(fā)布的特定工作在5.8GHz的GaN HEMT WiMAX產(chǎn)品，其性能級別進(jìn)一步證實了Cree在GaN技術(shù)上的的領(lǐng)導(dǎo)地位。 　　新款15-watt與30-watt器件的重要潛在特性包括： 　　1. 相比于類似功率級的GaAs MOSFET器件，效率增加四倍 　　 　　2. 相比于商業(yè)可用硅LDMOS，提高了工作頻率 　　3. 在免授權(quán)的5.8G
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研究人員公布低成本GaN功率器件重大進(jìn)展

  • 　　研究人員介紹，他們第一次在200mm硅（111）晶圓上沉積了無裂縫的AlGaN/GaN結(jié)構(gòu)。高清晰XRD測量顯示出很高的晶體質(zhì)量，并且研究人員還報告了“出色的”表面形貌和均勻性。AlGaN和GaN薄膜是在Aixtron應(yīng)用實驗室的300mmCRIUS金屬-有機(jī)化學(xué)氣相外延（MOVPE）反應(yīng)腔中生長的。??????? 　　“對實現(xiàn)在大尺寸硅晶圓上制作GaN器件的目標(biāo)來說，在200mm硅晶圓上生長出
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如何測試具備UMA/GAN功能的移動電話

  • 　　要預(yù)測客戶對一款手機(jī)性能的接受程度，從而預(yù)測手機(jī)設(shè)計的品質(zhì)，需要進(jìn)行實際使用測試。使用測試是一種很有價值的工具，本文將介紹如何進(jìn)行此類測試。 　　UMA/GAN是一種能讓移動電話在傳輸話音、數(shù)據(jù)、既有話音也有數(shù)據(jù)或既無話音也無數(shù)據(jù)時在蜂窩網(wǎng)絡(luò)(例如 GERAN--GSM/EDGE 無線接入網(wǎng))和IP接入網(wǎng)絡(luò)(例如無線 LAN)之間無縫切換的系統(tǒng)。作為網(wǎng)絡(luò)融合發(fā)展過程中一項里程碑式的技術(shù)，UMA/GAN能讓手機(jī)用戶得以享受固定寬帶網(wǎng)提供的服務(wù)。UMA/GAN最初叫做免許可移動接入(UMA)網(wǎng)，之后被3
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中國首臺具有自主知識產(chǎn)權(quán)MOCVD設(shè)備問世

  • 　　由青島杰生電氣有限公司承擔(dān)的國家863半導(dǎo)體照明工程重點項目“氮化鎵-MOCVD深紫外”LED材料生長設(shè)備研制取得突破，我國首臺具有自主知識產(chǎn)權(quán)的并能同時生長6片外延片的MOCVD設(shè)備研制成功。 　　 　　該設(shè)備在高亮度的藍(lán)光發(fā)光二極管(LED)、激光器(LD)、紫外光電探測器、高效率太陽能電池、高頻大功率電子器件領(lǐng)域具有廣泛應(yīng)用。MOCVD是半導(dǎo)體照明上游關(guān)鍵設(shè)備，目前國內(nèi)半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)的研發(fā)和生產(chǎn)所需設(shè)備全部依賴進(jìn)口。在此之前，杰生電氣已先后研發(fā)出2英寸單片和2英寸3片的
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藍(lán)色激光的應(yīng)用

AB類功率放大器驅(qū)動電路的研究與設(shè)計

  • 　　1 AB類功放驅(qū)動電路設(shè)計目標(biāo) 　　在實用電路中，往往要求放大電路的末級(即輸出級)輸出一定的功率，以驅(qū)動負(fù)載。能夠向負(fù)載提供足夠信號功率的放大電路稱為功率放大電路，簡稱功放。經(jīng)典功率放大器有4種類型：A類，AB類，B類和C類，他們的主要差別在于偏置的情況不同。理想的4類經(jīng)典放大器的最大效率的理論值與導(dǎo)通角的函數(shù)關(guān)系如圖1所示。 　　 　　A類功率放大器的線性度好，功率傳遞能力差，效率最大值為50%，導(dǎo)通角為360
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Intersil ：衛(wèi)星電源管理解決方案

  • 本文介紹了Intersil的衛(wèi)星電源管理解決方案。
  • 關(guān)鍵字： PWM  Driver  Hard  

34063用于DC－DC電源變換的電路

  • 34063一種用于DC－DC電源變換的集成電路，應(yīng)用比較廣泛，通用廉價易購。
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日立瑞薩開發(fā)低功耗轉(zhuǎn)換存儲器單元

  • 新型單元是一種用于嵌入式系統(tǒng)的下一代微控制器片上非易失存儲器的頗具前途的解決方案，它可以在1.5V電源電壓條件下進(jìn)行編程，且只需100μA的編程電流。 日立有限公司與瑞薩科技公司近日發(fā)布了低功耗相位轉(zhuǎn)換存儲器單元的成功原型。這種非易失半導(dǎo)體存儲單元可以在電源電壓為1.5V和電流低至100μA的條件下進(jìn)行編程——與采用以前技術(shù)的日立和瑞薩發(fā)布的產(chǎn)品相比，每個單元的功耗降低了50％。此外，相對于現(xiàn)有的非易失存儲器，新的相位轉(zhuǎn)換單元在高速讀寫能力、編程耐久性、小尺寸和高水平集成方面均更為優(yōu)異。因此，這些原型可在
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LCD Driver IC 測試方法及其對測試系統(tǒng)提出的挑戰(zhàn)

  • LCD Driver IC 測試方法及其對測試系統(tǒng)提出的挑戰(zhàn)(2)       　　假設(shè)被測的是256色、384 LCD輸出且具有Dot 翻轉(zhuǎn)功能的IC，那么由公式可得需要測試的電壓值個數(shù)為：　　256（顏色深度）ｘ384（pin數(shù)）ｘ2(Dot 翻轉(zhuǎn)） ＝196,608　　一般的DC測試部件的測試時間為幾到幾十個uS，由此可知測試時間將會比較長。如果IC的色彩深度高一些的話（65535色），測試時間根本無法讓人接受，因此在進(jìn)行此類測試時需要使用數(shù)字采樣器（Dig
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LCD Driver IC 測試方法及其對測試系統(tǒng)提出的挑戰(zhàn)

  • LCD Driver IC 測試方法及其對測試系統(tǒng)提出的挑戰(zhàn)LCD顯示器件在中國已有二十多年的發(fā)展歷程，已經(jīng)從最初的以數(shù)字顯示為主轉(zhuǎn)變?yōu)橐渣c陣字符、圖形顯示為主。LCD顯示設(shè)備以其低電壓驅(qū)動、微小功耗、能夠與CMOS電路和LSI直接匹配、具有極薄的扁平結(jié)構(gòu)、可以在極亮的環(huán)境光下使用、工藝簡單等等特點成為了極有發(fā)展前景的顯示器件?！　CD顯示器件種類繁多、發(fā)展迅速，從種類到原理、從結(jié)構(gòu)到效應(yīng)、從使用方式到應(yīng)用范圍差異很大，從測試原理上來說也就會有一些不同，目前比較常用的是STN和TFT的LCD顯示器件。由
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1994年6月，無錫微電子工程在中國華晶電子集團(tuán)公司全面通過國家驗收

  • 　　1994年6月，我國“七五”電子工業(yè)的頭號工程———無錫微電子工程在中國華晶電子集團(tuán)公司全面通過國家驗收。該工程的重點2微米、3微米MOS超大規(guī)模集成電路生產(chǎn)線正式建成投產(chǎn)，代表了我國當(dāng)時微電子工業(yè)大生產(chǎn)的最高水平。
  • 關(guān)鍵字： 華晶電子  集成電路  MOS  
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gan mos driver介紹

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