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gan mos driver 文章 最新資訊

GaN類功率元件，高耐壓成功率半導體主角

  • 采用Si基板降低成本，通過改變構造改善特性那么，GaN類功率元件的成本、電氣特性以及周邊技術方面存在...
  • 關鍵字： GaN類功率半導體  功率半導體  GaN  

SJ-MOS與VDMOS動態(tài)性能比較

  • 引言：為了打破傳統(tǒng)的VDMOS工藝MOS導通電阻與反向擊穿電壓之間制約，半導體物理學界提出的一種新型MOS結構，稱為...
  • 關鍵字： SJ-MOS  VDMOS  

富士通半導體明年計劃量產GaN功率器件

  • 　　上海，2012年11月20日 –富士通半導體(上海)有限公司今日宣布采用其基于硅基板的氮化鎵 (GaN) 功率器件的服務器電源單元成功實現2.5kW的高輸出功率，富士通半導體計劃將于2013年下半年開始量產這些GaN功率器件。這些器件可廣泛用于電源增值應用，對實現低碳社會做出重大貢獻。 　　與傳統(tǒng)硅基功率器件相比，基于GaN的功率器件具有導通電阻低和能夠進行高頻操作等特性。而這些特性恰恰有利于提高電源單元轉換效率，并使電源單元更加緊湊。富士通半導體計劃在硅基板上進行GaN功率器件的商業(yè)化
  • 關鍵字： 富士通  功率器件  GaN  

富士通明年計劃量產氮化鎵功率器件

  • 富士通半導體(上海)有限公司日前宣布采用其基于硅基板的氮化鎵 (GaN) 功率器件的服務器電源單元成功實現2.5kW的高輸出功率，富士通半導體計劃將于2013年下半年開始量產這些GaN功率器件。這些器件可廣泛用于電源增值應用，對實現低碳社會做出重大貢獻。
  • 關鍵字： 富士通  功率器  GaN  

X-FAB發(fā)表XT018獨立溝槽電介質(SOI)的工藝

  • X-FAB Silicon Foundries日前發(fā)表XT018，世界首創(chuàng)180奈米200V MOS的獨立溝槽電介質(SOI)的工藝。這種完全隔離型的模塊化工藝讓不同電壓的區(qū)塊能夠整合在單一芯片上，大幅減少了印刷電路板的組件數量，也避免栓鎖效應(latch-up)更提供對抗電磁干擾的卓越性。
  • 關鍵字： X-FAB  XT018  MOS  

功放為智能手機提供最佳效率

  • 電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網絡家園
  • 關鍵字： 智能手機  功放  最佳效率  TD-LTE  GaN  

舞臺功放MOS管改裝介紹

  • 以ODL牌QSA-2400專業(yè)功放為例(電路見中圖)。改裝后對應電路見下圖。由于MOS管與三極管驅動電壓差異。為了保證電壓推動管靜態(tài)工作點基本保持不變，要重新選擇R26和R27的阻值。Q22三極管原發(fā)射極電阻上的電壓為3V.現改
  • 關鍵字： 介紹  改裝  MOS  功放  舞臺  

“主流GaN”的發(fā)展和未來

  • 電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網絡家園
  • 關鍵字： GaN  恩智浦  氮化鎵  射頻功率晶體管  

英飛凌推出抗輻射加固型MOS開關器件

  • 英飛凌科技推出其首個專用于空間和航空應用而設計的電源開關器件。全新BUY25CSXX系列抗輻射加固型(RH)功率MOS器件擁有出類拔萃的性能，可支持面向空間應用的高能效電源調理和電源系統(tǒng)設計。
  • 關鍵字： 英飛凌  MOS  

科銳推出突破性GaN基固態(tài)放大器平臺

  • 科銳公司(Nasdaq: CREE)宣布推出具有革新性功率與帶寬性能的全新Ku波段40V、0.25微米碳化硅襯底氮化鎵基(GaN-on-SiC)裸芯片產品系列。該創(chuàng)新型產品系列能夠使得固態(tài)放大器替代行波管，從而提高效率和可靠性。
  • 關鍵字： 科銳  放大器  GaN  

舞臺功放MOS管改裝電路圖及方法

  • 以ODL牌QSA-2400專業(yè)功放為例(電路見中圖)。改裝后對應電路見下圖。由于MOS管與三極管驅動電壓差異。為了保證電壓推動管靜態(tài)工作點基本保持不變，要重新選擇R26和R27的阻值。Q22三極管原發(fā)射極電阻上的電壓為3V.現改
  • 關鍵字： 電路圖  方法  改裝  MOS  功放  舞臺  

基于C-MOS轉換器的石英晶體振蕩電路

  • 電路的功能近來出現了把TTL器件換成C-MOS器件的趨勢，而且74HC系列產品也得到了進一步的充實。用2級TTL構成的時鐘振蕩電路已可用C-MOS IC構成的振蕩電路替代，因為TTL IC如果置偏電阻等元件參數選擇不當，容易停振或
  • 關鍵字： C-MOS  轉換器  石英晶體  振蕩電路    

單顆LED大功率手電筒 AMC7135 LED Driver

  • 這款單顆LED大功率手電筒是以單顆發(fā)光二極管(LED)作為光源的一種新型照明工具，它具有省電、耐用、亮度強等優(yōu)點?？捎糜谝剐小⒌巧?、野營、醫(yī)用、維修等。且使用效果很不錯。一、LED的選擇現在大功率LED的功率有1W、
  • 關鍵字： LED  Driver  AMC7135  大功率  單顆  手電筒  

技術講座：用氧化鎵能制造出比SiC性價比更高的功率元件（一）

  • 與SiC和GaN相比，β-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導體元件，因而引起了極大關注。契機源...
  • 關鍵字： SiC  功率元件  GaN  導通電阻  

無比型動態(tài)MOS反相器

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gan mos driver介紹

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