gan mos driver 文章最新資訊

Soft-start enhances LED driver

To emulate the natural soft start of an incandescent bulb, this circuit makes use of the thermal-foldback protection built into an LED-driver IC (MAX16832). It thereby avoids the annoying and almost i
關(guān)鍵字： driver LED enhances Soft-start

This application note presents an LED driver solution for MR16 and similar retrofit lamps. The circuit drives LEDs from a 12VAC input. The solution works with both magnetic and electronic transformers
關(guān)鍵字： similar retrofit lamps and MR16 driver solution for

目前國際上商品化的GaN基LED均是在藍寶石襯底或SiC襯底上制造的。但藍寶石由于硬度高、導(dǎo)電性和導(dǎo)熱性差等原因，對后期器件加工和應(yīng)用帶來很多不便，SiC同樣存在硬度高且成本昂貴的不足之處，而價格相對便宜的Si襯底由于有著優(yōu)良的導(dǎo)熱導(dǎo)電性能和成熟的器件加工工藝等優(yōu)勢，因此Si襯底GaN基LED制造技術(shù)受到業(yè)界的普遍關(guān)注。
關(guān)鍵字： GaN LED 襯底功率型

MOS-FET雖然與JFET結(jié)構(gòu)不同，但特性極為相似，N溝道和P溝道各分增強型和耗盡型，可在許多電路中代替J-FET，如圖5.4-97所示，電路用MOS-FET代替J-FET更簡單，如釁5.4-100所示短路開關(guān)對應(yīng)圖5.4-96中的A、C、D三個電路
關(guān)鍵字： MOS-FET 開關(guān)電路

電路的功能如使用發(fā)光二極管直流發(fā)光，正向偏流只能在數(shù)10MA以下，允以獲得大的發(fā)光輸出，若采用縮小導(dǎo)通時的占空比，則可獲得大的峰值電流。本電路發(fā)光頻率為1KHZ，脈沖載頻為38KHZ，受發(fā)光電路很容易分辯外來光。電
關(guān)鍵字：驅(qū)動電路脈沖發(fā)光二極管 C-MOS 與非門采用

電路的功能近來出現(xiàn)了把TTL器件換成C-MOS器件的趨勢，而且74HC系列產(chǎn)品也得到了進一步的充實。用2級TTL構(gòu)成的時鐘振蕩電路已可用C-MOS IC構(gòu)成的振蕩電路替代，因為TTL IC如果置偏電阻等元件參數(shù)選擇不當，容易停振或
關(guān)鍵字： C-MOS 轉(zhuǎn)換器石英晶體振蕩電路

電路的功能若要用555芯片組成長時間定時電路，R用高阻值，便可加長CR時間常數(shù)，但是，由于內(nèi)部比較器的輸入偏流較大，難以充電到門限電壓，比較器無法驅(qū)動，為此，本電路采用了偏流非常小的C-MOS定時器芯片，選用高阻
關(guān)鍵字：電路定時 C-MOS 時間設(shè)定

The long strings of LEDs commonly found in TV and display backlighting, street lights, and parking garage lights require a current driver capable of producing high voltages. This reference design prov
關(guān)鍵字： strings driver Boost long

　　美國iSuppli公布了關(guān)于GaN(氮化鎵)功率半導(dǎo)體市場將迅速增長的調(diào)查報告)。報告顯示，2010年的市場規(guī)模近乎為零，但3年后到2013年將猛增至1.836億美元。各廠商將以替代現(xiàn)有功率MOSFET的方式，不斷擴大市場規(guī)模。iSuppli預(yù)測，該產(chǎn)品在高性能服務(wù)器、筆記本電腦、手機及有線通信設(shè)備等方面的應(yīng)用將取得進展。　　目前，GaN功率半導(dǎo)體正處于在研究室評測階段，或者剛開始商用化的階段。不過，GaN功率半導(dǎo)體與采用Si(硅)的功率MOSFET相比，具有導(dǎo)通電阻較低等優(yōu)點，可提高電源電路的轉(zhuǎn)
關(guān)鍵字： GaN MOSFET

　　特點－　　工作電壓范圍：5V~450V 　　支持四種調(diào)光方式：開關(guān)調(diào)光、脈沖信號(PWM)調(diào)光、DC調(diào)光（0~5V）、熱平衡調(diào)光。　　多重保護功能：LED開路保護、LED短路保護、過電流保護、過溫度保護　　支持隔離或非
關(guān)鍵字：綠達 LED Driver

　　2008年，受到全球半導(dǎo)體市場衰退的影響，中國集成電路產(chǎn)業(yè)由前幾年的較快增長轉(zhuǎn)變?yōu)橄禄?。盡管中國以內(nèi)需市場為主的集成電路設(shè)計業(yè)仍實現(xiàn)了一定增長，但嚴重依賴出口的芯片制造和封測行業(yè)下滑嚴重。市場的變化和利潤的減少迫使企業(yè)不斷創(chuàng)新，知識產(chǎn)權(quán)問題將變得更加重要。作為集成電路行業(yè)特殊的知識產(chǎn)權(quán)保護形式，集成電路布圖設(shè)計登記應(yīng)得到更多的關(guān)注。　　最近，中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會知識產(chǎn)權(quán)工作部和上海硅知識產(chǎn)權(quán)交易中心聯(lián)合推出中國集成電路布圖設(shè)計登記2008年度報告，本期刊登部分節(jié)選，供業(yè)界研究參考。　　本報告數(shù)據(jù)
關(guān)鍵字： NEC MOS 集成電路布圖設(shè)計

使用國產(chǎn)6H―SiC襯底的GaN HEMT外延材料研制出高工作電壓、高輸出功率的A1GaN／GaN HEMT。利用ICCAP軟件建立器件大信號模型，利用ADS軟件仿真優(yōu)化了雙級GaNMMIC，研制出具有通孔結(jié)構(gòu)的GaN MMIC芯片，連續(xù)波測試顯示，頻率為9．1～10．1 GHz時連續(xù)波輸出功率大于10W，帶內(nèi)增益大于12 dB，增益平坦度為±0．2 dB。該功率單片為第一個采用國產(chǎn)SiC襯底的GaN MMIC。
關(guān)鍵字： MMIC SiC GaN 襯底

　　國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 宣布，成功開發(fā)出一種革命性的GaN功率器件技術(shù)平臺。與此前最先進的硅基技術(shù)平臺相比，該技術(shù)平臺可將關(guān)鍵特定設(shè)備的品質(zhì)因子 (FOM) 提高1/10，顯著提高計算和通信、汽車和電器等終端設(shè)備的性能，并降低能耗。　　開拓性GaN功率器件技術(shù)平臺是IR基于該公司的GaN器件專利技術(shù)，歷經(jīng)5年研發(fā)而成的成果。　　IR的GaN功率器件技術(shù)平臺有助于實現(xiàn)電源轉(zhuǎn)換解決方案的革命性進步。通過有效利用公司60年來在電源轉(zhuǎn)換專業(yè)知識方面
關(guān)鍵字： IR 功率器件 GaN 終端

　　美國麻省理工學(xué)院一個為第三世界家庭開發(fā)廉價計算機的項目組將以任天堂娛樂系統(tǒng)為基礎(chǔ)而不是以蘋果II電腦為基礎(chǔ)進行設(shè)計。這兩種系統(tǒng)都采用相同的處理器芯片。　　一些Mac計算機網(wǎng)站指出，《波士頓先驅(qū)報》本周一的一篇文章介紹了本月麻省理工學(xué)院國際設(shè)計峰會部分內(nèi)容“教育家庭計算計劃”。這個計劃的目標是開發(fā)成本只有12美元的初級計算機。　　雖然設(shè)計師之一的27歲研究生Derek Lomas說他希望給第三世界的學(xué)校提供類似于伴隨他長大蘋果II計算機，但是，他和他的團隊研制的這種計算機
關(guān)鍵字： PC 廉價處理器 MOS 6502