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基于CMOS傳感器OV7620采集系統(tǒng)設(shè)計(jì)

高頻開(kāi)關(guān)面臨的挑戰(zhàn)　　我們前面講過(guò)，與高頻開(kāi)關(guān)有關(guān)的損耗會(huì)增加。圖4所示為采用2.2uH電感處于傳統(tǒng)的2MHz頻率下的DC/DC轉(zhuǎn)換器 target=_blank>DC/DC轉(zhuǎn)換器的損耗，以及采用0.47uH電感頻率為8MHz時(shí)的損耗。　　可
關(guān)鍵字：移動(dòng) 下一代應(yīng)用設(shè)計(jì) 需求滿足轉(zhuǎn)換器具有 LDO 特性

今天的手機(jī)不斷向小型化和薄型化發(fā)展。這點(diǎn)毫不奇怪，技術(shù)尺寸方面的多數(shù)進(jìn)展是一個(gè)關(guān)鍵問(wèn)題，可以決定產(chǎn)品開(kāi)發(fā)的命運(yùn)。由于移動(dòng)器件的尺寸不斷變小，元件尺寸和元件數(shù)量也必須如此。隨著每個(gè)元件周圍的空間縮小，元
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電子發(fā)燒友網(wǎng)為廣大電子工程師整理了CMOS數(shù)字邏輯芯片，數(shù)字集成電路方便大家來(lái)參考使用選購(gòu)門(mén)電路　 ...
關(guān)鍵字： CMOS 數(shù)字邏輯芯片

在單反攝影上，23倍光學(xué)變焦是不可能實(shí)現(xiàn)的天涯鏡。這是因?yàn)閿?shù)字單反相機(jī)相對(duì)龐大的傳感器（CMOS），高要求的成像質(zhì)量。后者詳細(xì)來(lái)說(shuō)，太大的變焦比，需要更多的光學(xué)鏡片實(shí)現(xiàn)。定焦無(wú)狗頭的說(shuō)法在于定焦的光學(xué)結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，光線在入射過(guò)程中，不會(huì)因太多鏡片而發(fā)生色散、相差。但這個(gè)道理對(duì)攝像機(jī)并不適用。
關(guān)鍵字：單反光學(xué)變焦 CMOS 23倍

金屬氧化物半導(dǎo)體元件(Complementary Metal-Oxide Semiconductor，CMOS)圖像傳感器和電荷耦合元件(Charge Coupled Device，CCD)攝像器件在20年前幾乎是同時(shí)起步的。CCD是應(yīng)用在攝影攝像方面的高端技術(shù)元件，CMOS則應(yīng)
關(guān)鍵字：原理應(yīng)用傳感器圖像 CMOS 新型

目前應(yīng)用的半導(dǎo)體光源的驅(qū)動(dòng)方式有恒壓驅(qū)動(dòng)和恒流驅(qū)動(dòng)兩種。由于半導(dǎo)體光源的正向壓降受工藝離散性的影...
關(guān)鍵字：恒流 LDO LED驅(qū)動(dòng)芯片

背景
隨著便攜式和非便攜式產(chǎn)品尺寸的減小，也需要相應(yīng)減小印刷電路板 (PCB) 的尺寸。單面電路板已經(jīng)讓位于雙面電路板，現(xiàn)在 4 至 16 層的電路板已經(jīng)司空見(jiàn)慣了。幾乎總能見(jiàn)到利用各種不同的板上穩(wěn)壓器進(jìn)行電源分配
關(guān)鍵字：減少熱點(diǎn) Linear 性能增強(qiáng) LDO 應(yīng)用電流

概述：以CMOS探測(cè)器為記錄介質(zhì)的數(shù)字化射線檢測(cè)技術(shù)，檢測(cè)精度高、溫度適應(yīng)性好、結(jié)構(gòu)適應(yīng)性強(qiáng)。CMOS射線掃描探測(cè)器探測(cè)單元排成線陣列，需要在檢測(cè)時(shí)進(jìn)行相對(duì)掃描運(yùn)動(dòng)，逐線采集并拼成完整的透照投影圖像。介紹了檢測(cè)工裝設(shè)計(jì)，完成了探測(cè)器的固定、位置調(diào)節(jié)及實(shí)現(xiàn)與檢測(cè)工件的相對(duì)運(yùn)動(dòng)。介紹了檢測(cè)應(yīng)用中的探測(cè)器配置與校準(zhǔn)、透照方式選取、運(yùn)動(dòng)速度控制、檢測(cè)參數(shù)優(yōu)化、缺陷定量分析和圖像存檔管理等。應(yīng)用結(jié)果表明，經(jīng)過(guò)工藝優(yōu)化，CMOS探測(cè)器能夠?qū)崿F(xiàn)大多數(shù)產(chǎn)品零部件的射線檢測(cè)。最后分析了應(yīng)用中存在的問(wèn)題及后續(xù)研究方向。
關(guān)鍵字：設(shè)計(jì) 應(yīng)用檢測(cè) 射線 CMOS 探測(cè)器基于

CMOS圖像通道在超聲診斷儀中的應(yīng)用,1 引言隨著醫(yī)療診斷儀器小型化、便攜化的進(jìn)程，高性能32位微處理器正在越來(lái)越多地應(yīng)用于各類小型醫(yī)療影像設(shè)備中，但是如何利用這些微處理器傳送和處理實(shí)時(shí)圖像，卻是一個(gè)丞待解決的問(wèn)題。從ARM 7系列開(kāi)始，ARM處理器
關(guān)鍵字： CMOS 圖像超聲診斷儀中的應(yīng)用

在過(guò)去五年中，汽車行業(yè)中駕駛輔助系統(tǒng)（automotivedriverassistancesystems，ADAS）領(lǐng)域取得了顯著進(jìn)步，真正...
關(guān)鍵字： CMOS ADAS 汽車電子

高增長(zhǎng)的經(jīng)濟(jì)體如巴西、印度尼西亞、印度和中國(guó)已出現(xiàn)新興中產(chǎn)階級(jí)和快速增長(zhǎng)的汽車市場(chǎng)。這些市場(chǎng)要求汽車零售價(jià)相對(duì)較低，因此給汽車組件帶來(lái)很大的成本壓力。此外，在發(fā)達(dá)經(jīng)濟(jì)體如美國(guó)、歐洲國(guó)家和日本的汽車市場(chǎng)
關(guān)鍵字： CMOS 接收器芯片設(shè)計(jì) 汽車

CL102型CMOS-LED數(shù)碼顯示器電路圖CMOS-LED數(shù)碼顯示器的，亦叫十進(jìn)制技術(shù)、譯碼驅(qū)動(dòng)顯示器，是一種功能齊全，使用 ...
關(guān)鍵字： CL102 CMOS-LED 數(shù)碼顯示器

　　來(lái)自瑞典歌德堡(Gothenburg)的查默斯理工大學(xué)(Chalmers University of Technology)的研究人員發(fā)現(xiàn)，以碳納米管來(lái)填充采用硅穿孔技術(shù)(TSV)連結(jié)的 3D芯片堆棧，效果會(huì)比銅來(lái)得更好。　　TSV是將芯片以3D堆棧方式形成一個(gè)系統(tǒng)，而非將它們平行排列在電路板上，以提高芯片之間通訊的速度;但遺憾的是，目前用以填充硅晶孔洞的銅，卻會(huì)導(dǎo)致熱膨脹(thermal expansion)的問(wèn)題，因?yàn)殂~遇熱會(huì)比周圍的硅材料膨脹更多。　　「碳納米管的許多特性都優(yōu)于銅，包括熱
關(guān)鍵字： TSV芯片 CMOS