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LDO線性調(diào)節(jié)器電路在StrataFlash嵌入式存儲(chǔ)器中的應(yīng)用

- LDO線性調(diào)節(jié)器電路在StrataFlash嵌入式存儲(chǔ)器中的應(yīng)用,德州儀器(TI)推出的TPS79918低壓差(LDO)線性調(diào)節(jié)器為新的Intel StrataFlash嵌入式存儲(chǔ)器(P30) 提供了所需性能。英特爾公司正從它的第三代180nm StrataFlash嵌入式存儲(chǔ)器(J30)轉(zhuǎn)向它的第四代130nm StrataFlash嵌入式存
- 關(guān)鍵字: 嵌入式 存儲(chǔ)器 應(yīng)用 StrataFlash 電路 線性 調(diào)節(jié)器 LDO
基于VerilogHDL的CMOS圖像敏感器驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)

- Verilog HDL語(yǔ)言是IEEE標(biāo)準(zhǔn)的用于邏輯設(shè)計(jì)的硬件描述語(yǔ)言,具有廣泛的邏輯綜合工具支持,簡(jiǎn)潔易于理解。本文就STAR250這款CMOS圖像敏感器,給出使用Verilog HDL語(yǔ)言設(shè)計(jì)的邏輯驅(qū)動(dòng)電路和仿真結(jié)果。
- 關(guān)鍵字: 驅(qū)動(dòng) 電路設(shè)計(jì) 敏感 圖像 VerilogHDL CMOS 基于
LDO低壓差線性穩(wěn)壓器在開關(guān)電源中的應(yīng)用
- 關(guān)鍵字: LDO 開關(guān)電源 PSRR 功耗 紋波
Silicon Laboratories推出業(yè)界最具頻率彈性可在線編程CMOS時(shí)鐘發(fā)生器
- 高性能模擬與混合信號(hào)IC領(lǐng)導(dǎo)廠商Silicon Laboratories (芯科實(shí)驗(yàn)室有限公司)今日發(fā)表業(yè)界最具頻率彈性可在線編程的CMOS時(shí)鐘發(fā)生器。新推出的8路時(shí)鐘發(fā)生器Si5350/51內(nèi)置壓控石英晶體振蕩器(VCXO),能以單一時(shí)鐘IC取代傳統(tǒng)的多器件鎖相環(huán)(PLL)解決方案,與其他時(shí)鐘產(chǎn)品相比,Si5350/51可提供兩倍的頻率彈性,且可分別降低70%的抖動(dòng)和30%的功耗。
- 關(guān)鍵字: 芯科實(shí)驗(yàn)室 CMOS 時(shí)鐘發(fā)生器 Si5350/51
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