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cmos finfet 文章 最新資訊

下一代晶體管技術(shù)何去何從

  • 　　大量的金錢(qián)和精力都花在探索FinFET工藝，它會(huì)持續(xù)多久和為什么要替代他們? 　　在近期內(nèi)，從先進(jìn)的芯片工藝路線(xiàn)圖中看已經(jīng)相當(dāng)清楚。芯片會(huì)基于今天的FinFET工藝技術(shù)或者另一種FD SOI工藝的平面技術(shù)，有望可縮小到10nm節(jié)點(diǎn)。但是到7nm及以下時(shí)，目前的CMOS工藝路線(xiàn)圖已經(jīng)不十分清晰。 　　半導(dǎo)體業(yè)已經(jīng)探索了一些下一代晶體管技術(shù)的候選者。例如在7nm時(shí)，采用高遷移率的FinFET，及用III-V族元素作溝道材料來(lái)提高電荷的遷移率。然后，到5nm時(shí)，可能會(huì)有兩種技術(shù)，其中一種是環(huán)柵F
  • 關(guān)鍵字： 晶體管  FinFET  

高通推3G/4G LTE集成CMOS放大器芯片

  • 　　高通公司QFE2320和QFE2340芯片的成功商用，標(biāo)志著移動(dòng)射頻前端技術(shù)的一個(gè)重大進(jìn)展，兩款芯片借助簡(jiǎn)化的走線(xiàn)和行業(yè)尺寸最小的功率放大器和天線(xiàn)開(kāi)關(guān)，相信會(huì)在集成電路上實(shí)現(xiàn)前所未有的功能。 　　集成天線(xiàn)開(kāi)關(guān)的QFE2320多模多頻功率放大器(MMMBPA)和集成收發(fā)器模式開(kāi)關(guān)的QFE2340高頻段MMMBPA，以及首款用于3G/4GLTE移動(dòng)終端的包絡(luò)追蹤(ET)芯片QFE1100，都是Qualcomm?RF360?前端解決方案的關(guān)鍵組件，并支持OEM廠(chǎng)商打造用于全球LTE移動(dòng)網(wǎng)絡(luò)的單
  • 關(guān)鍵字： 高通  CMOS  

一種0.1-1.2GHz的CMOS射頻收發(fā)開(kāi)關(guān)芯片設(shè)計(jì)

  • 　　本文設(shè)計(jì)了一種低插入損耗、高隔離度的全集成超寬帶CMOS 射頻收發(fā)開(kāi)關(guān)芯片。該電路采用深N阱體懸浮技術(shù)，在1.8V電壓供電下，該射頻開(kāi)關(guān)收發(fā)兩路在0.1-1.2GHz內(nèi)的測(cè)試結(jié)果具有0.7dB的插入損耗、優(yōu)于-20dB的回波損耗以及-37dB以下的隔離度。本開(kāi)關(guān)采用GLOBALFOUNDRIES 0.18μm CMOS工藝，芯片總面積為0.53mm2。
  • 關(guān)鍵字： 射頻開(kāi)關(guān)  CMOS  開(kāi)關(guān)芯片  201402  

從4004到core i7——處理器的進(jìn)化史-CPU構(gòu)成零件-5

  • 前面我說(shuō)過(guò)，要順帶介紹一下除了CMOS之外的邏輯電路。所以下面我們看一看都有哪些選擇，以及各自的利弊吧。
  • 關(guān)鍵字： CMOS  PMOS  傳輸門(mén)  NMOS  CPU  

從4004到core i7——處理器的進(jìn)化史-CPU構(gòu)成零件-4

  • 上一帖我們說(shuō)到了IC的性能取決于R與C的乘積?？吹搅粞院笪野l(fā)現(xiàn)還必須補(bǔ)充一個(gè)遺漏的事實(shí)：當(dāng)器件的尺寸變得越來(lái)越小，連線(xiàn)在IC中越來(lái)越成為一個(gè)瓶頸。這是由于一個(gè)非常簡(jiǎn)單的原因：連線(xiàn)相對(duì)于器件的尺寸來(lái)說(shuō)越來(lái)越長(zhǎng)了。
  • 關(guān)鍵字： EDA  CMOS  CPU  反相器  PMOS  

從4004到core i7——處理器的進(jìn)化史-CPU構(gòu)成零件-3

  • 從上面的帖子中我們看到了CMOS工藝下的反相器。如果用一張圖總結(jié)一下這種設(shè)計(jì)模式就是下面的這張圖
  • 關(guān)鍵字： CMOS  PUN  VDD  電路  CPU  

從4004到core i7——處理器的進(jìn)化史-CPU構(gòu)成零件-2

  • 在上一個(gè)帖子當(dāng)中我們見(jiàn)到了MOS管。下面我們來(lái)看一看用它完成的一個(gè)最簡(jiǎn)單的設(shè)計(jì)。
  • 關(guān)鍵字： MOS  CMOS  反相器  電路  NMOS  

中國(guó)智能手機(jī)CMOS傳感器市場(chǎng)發(fā)展?fàn)顩r分析

  • 這是一個(gè)好材料，很多行業(yè)的中國(guó)消費(fèi)習(xí)慣都是獨(dú)具特色的。看看智能手機(jī)上需要怎樣的傳感器，才能滿(mǎn)足中國(guó)人的獨(dú)特需要吧。在此提供一個(gè)引子，前置攝像頭很重要呦，為啥呢，下面自己來(lái)看吧。
  • 關(guān)鍵字： 智能手機(jī)  CMOS  

對(duì)高電壓CMOS放大器利用單個(gè)IC實(shí)現(xiàn)高阻抗檢測(cè)實(shí)驗(yàn)

  • 引言電壓的準(zhǔn)確測(cè)量需要盡量減小至被測(cè)試電路之儀器接線(xiàn)的影響。典型的數(shù)字電壓表(DVM)采用10M電阻器網(wǎng)絡(luò)以...
  • 關(guān)鍵字： CMOS  放大器  

拍攝愛(ài)好者的福利 CMOS圖像傳感器之HDR渲染解析

  • 高動(dòng)態(tài)范圍(HDR)高動(dòng)態(tài)范圍(HDR)成像的一個(gè)特色，是可用來(lái)拍攝最亮和最暗區(qū)域之間具有寬對(duì)比度的圖像。通過(guò)擴(kuò)...
  • 關(guān)鍵字： CMOS  圖像傳感器  

韓國(guó)東部高科為Brigates提供閉路電視圖像傳感器

  • 韓國(guó)東部高科(Dongbu HiTek)日前宣布，該公司已開(kāi)始為Brigates, Inc提供閉路電視(CCTV)圖像傳感器。Brigates, Inc是中國(guó)的一家無(wú)晶圓廠(chǎng)企業(yè)，專(zhuān)注于面向監(jiān)控應(yīng)用程序開(kāi)發(fā)圖像傳感器。
  • 關(guān)鍵字： 東部高科  傳感器  CMOS  

一款可實(shí)現(xiàn)超低壓差CMOS線(xiàn)性穩(wěn)壓器的設(shè)計(jì)方案

  • 隨著筆記本電腦、手機(jī)、PDA等移動(dòng)設(shè)備的普及，對(duì)應(yīng)各種電池電源使用的集成電路的開(kāi)發(fā)越來(lái)越活躍，高性能、低成...
  • 關(guān)鍵字： CMOS  線(xiàn)性穩(wěn)壓器  

半導(dǎo)體工藝向14/16nm FINFET大步前進(jìn)

  • 幾乎所有繼續(xù)依靠先進(jìn)半導(dǎo)體工藝來(lái)帶給自己芯片性能與功耗競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)的廠(chǎng)商，紛紛將自己的設(shè)計(jì)瞄準(zhǔn)了即將全面量產(chǎn)的FINFET技術(shù)。在這一市場(chǎng)需求推動(dòng)下，似乎20nm這一代，成為很多代工廠(chǎng)眼中的雞肋，巴不得直接跨越20nm，直奔16/14nm的FINFET。
  • 關(guān)鍵字： TSMC  FINFET  智能手機(jī)  201401  

SoC系統(tǒng)開(kāi)發(fā):FinFET在系統(tǒng)級(jí)意味著什么

  • FinFET給芯片設(shè)計(jì)業(yè)帶來(lái)的改變幾乎是革命性的，帶來(lái)了各種新的要求，同時(shí)也推動(dòng)了各種創(chuàng)新。
  • 關(guān)鍵字： SoC  FinFET  
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