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cmos finfet 文章 最新資訊

CMOS圖像傳感器基本原理與應用簡介

  • 摘要：本文介紹了CMOS圖像傳感器器件的原理、性能、優(yōu)點、問題及應對措施，以及CMOS圖像傳感器的市場狀況和一些...
  • 關鍵字： CMOS  圖像傳感器  電信號  

嵌入式CMOS成像器用于全息數(shù)據(jù)檢索

  • 過去，由于缺乏低成本系統(tǒng)部件，或因全息多路技術過于復雜以及找不到合適的記錄材料，使全息數(shù)據(jù)存儲產(chǎn)品的開...
  • 關鍵字： CMOS  成像器  全息數(shù)據(jù)檢索  

IDT推出首款高性能四頻MEMS振蕩器

  • 擁有模擬和數(shù)字領域的優(yōu)勢技術、提供領先的混合信號半導體解決方案的供應商 IDT?公司 (Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI)日前推出業(yè)界首款具備多同步輸出的高性能四頻MEMS振蕩器。IDT的最新振蕩器提供業(yè)界標準兼容封裝尺寸內的可配置輸出，從而節(jié)省通信、網(wǎng)絡、存儲、工業(yè)和FPGA等應用中的電路板面積和物料清單 (BOM) 成本。
  • 關鍵字： IDT  MEMS振蕩器  CMOS  

從頭到尾構建混合信號高集成度系統(tǒng)(SOC)的步驟(5)：電路仿真

聯(lián)發(fā)科技與OmniVision攜手推出手機參考設計

  • 全球無線通訊及數(shù)字多媒體IC設計領導廠商聯(lián)發(fā)科技股份有限公司 (MediaTek, Inc.) ，日前宣布與CMOS影像傳感器領先品牌美國豪威科技股份有限公司(OmniVision Technologies, Inc.)合作，于其最新雙核及四核智能手機解決方案打造帶有畫中畫、影中影 (Video-in-Video ; ViV?) 相機功能的手機參考設計。
  • 關鍵字： 聯(lián)發(fā)  豪威  智能手機  CMOS  

最新一代CMOS和CCD圖像傳感器

  • 　最新一代CMOS和CCD圖像傳感器具有更大的頻譜寬度、更高的靈敏度、更低的工作噪聲和更小的外形尺寸。更先進的制造工藝還實現(xiàn)了更低的成本。此外，創(chuàng)新架構也正在給電路設計帶來更大的靈活性和通用性?！　∑浣Y果是，
  • 關鍵字： 圖像  傳感器  CCD  CMOS  新一  最新  

正確使用MOS集成電路的注意事項

  • 所有MOS集成電路（包括P溝道MOS，N溝道MOS，互補MOS—CMOS集成電路）都有一層絕緣柵，以防止電壓...
  • 關鍵字： MOS集成電路  CMOS  NMOS  

基于CPLD的服務機器人視覺系統(tǒng)軟硬件設計

  • 　　隨著計算機科學和自動控制技術的發(fā)展，越來越多的不同種類的智能機器人出現(xiàn)在工廠、生活當中，機器人視覺系 ...
  • 關鍵字： CMOS  智能機器人  視覺系統(tǒng)  

三星與Synopsys合作實現(xiàn)首次14納米FinFET成功流片

  • 　　亮點： 　　該里程碑有助于加速對FinFET技術的采用，以實現(xiàn)更快和更高能效的系統(tǒng)級芯片(SoC) 　　該合作為3D器件建模和物理設計規(guī)則支持奠定了基礎 　　測試芯片驗證了FinFET工藝和Synopsys® DesignWare®嵌入式存儲器的成功采用 　　為芯片和電子系統(tǒng)加速創(chuàng)新提供軟件、知識產(chǎn)權(IP)及服務的全球性領先供應商新思科技公司(Synopsys, Inc.， 納斯達克股票市場代碼：SNPS)日前宣布：該公司與三星在FinFET技術上的多年合作已經(jīng)實現(xiàn)了一個關鍵
  • 關鍵字： Synopsys  FinFET  

羅姆高頻元器件和模塊技術系列一

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡家園
  • 關鍵字： 羅姆  RF-CMOS  HEMS  特定小功率無線模塊  

三星領先臺積 14納米進化

  • 　　三星21日宣布成功試產(chǎn)第1顆導入3D 鰭式場效晶體管(FinFET)的14納米測試芯片，進度領先臺積電，顯示在蘋果「去三星化」趨勢已定下，三星力拚臺積電的野心只增不減。 　　韓聯(lián)社報導，三星與安謀(ARM)、益華(Cadence)、明導(Mentor)與新思(Synopsis)共同合作，成功試產(chǎn)出旗下第1顆采用FinFET技術的14納米測試芯片。 　　三星系統(tǒng)芯片部門主管表示，14納米FinFET制程技術可提升電子裝置效能并降低耗電量，進一步改善行動環(huán)境，這也是IBM之后，第2家搭載安謀處理器架構
  • 關鍵字： 三星  FinFET  14納米  

中芯國際背照式成像傳感技術取得突破

  • 　　中芯國際宣布在背照式CMOS成像傳感技術研發(fā)領域取得突破性進展，首款背照式CMOS成像傳感測試芯片一次流片即獲得成功，在低照度下同樣獲得高質量的清晰圖像。這標志著中芯國際自主開發(fā)的背照式CMOS成像傳感芯片全套晶圓工藝核心技術接近成熟，步入產(chǎn)業(yè)化階段，更好地滿足高端智能移動終端的需要。該技術將于2013年與客戶伙伴進行試產(chǎn)。 　　背照式CMOS成像傳感芯片工藝技術開發(fā)的成功，有助于中芯國際進一步拓展晶圓代工業(yè)務，支持國內外客戶500萬像素以上高分辨率智能手機用圖像傳感芯片、以及高性能視頻影像傳感芯片
  • 關鍵字： 中芯國際  傳感芯片  CMOS  

中芯國際背照式成像傳感技術取得突破

  • 中芯國際集成電路制造有限公司("中芯國際"，紐約證交所代碼：SMI，香港聯(lián)交所代碼：981)，中國規(guī)模最大、技術最先進的集成電路代工廠，日前宣布在背照式 CMOS 成像傳感技術研發(fā)領域取得突破性進展，首款背照式 CMOS 成像傳感測試芯片一次流片即獲得成功，在低照度下同樣獲得高質量的清晰圖像。
  • 關鍵字： 中芯國際  CMOS  

一種結構簡單的低功耗振蕩器電路設計

  • 摘要：給出了一種結構簡單的低功耗振蕩器電路的設計方法，該電路由RC充放電回路、偏置電路組成。與傳統(tǒng)振蕩器電路相比，該電路具有精度高、電路結構簡單以及輸出占空比可調等優(yōu)點。采用0．35 mu;m BCD工藝并利用Cad
  • 關鍵字： 振蕩器電路  低功耗  RC振蕩器  CMOS  

低功耗LNA設計

  • 摘要：為了應對低功耗電路設計要求，提出了一個在低功耗要求下CMOS低噪聲放大器的設計方法。使用該方法在0.18μm CMOS集成工藝下，設計一款低噪聲放大器，并在ADS中進行前仿真。
  • 關鍵字： CMOS  放大器  LNA  201212  
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