cmos digital image sensor 文章 進入cmos digital image sensor技術社區(qū)
0.65V 3mW CMOS低噪聲放大器設計
- 1 引 言 低噪聲放大器(Low Noise Amplifier,LNA)在微波∕射頻接收系統(tǒng)中處于前端位置,其性能指針的好壞對接收機整體性能有很大的影響。例如根據(jù)文獻[1],對于由多級放大器組成的接收系統(tǒng),其整機噪聲系數(shù)基本上取決于前級放大器的噪聲系數(shù)。典型地,接收機接收的信號強度在-120~-20 dBm之間,因而為了滿足系統(tǒng)要求,對LNA主要有以下要求: (1) 提供合適的增益放大信號,以減小后續(xù)電路對系統(tǒng)的噪聲影響。 (2) 在放大過程中自身引入盡可能小的噪聲和信號失真。
- 關鍵字: 模擬技術 電源技術 CMOS 低噪聲放大器 放大器
嵌入式系統(tǒng)中CMOS圖像傳感器接口技術
- 提出了CMOS(互補金屬氧化物半導體)圖像傳感器在嵌入式系統(tǒng)中的接口技術,通過設計軟件驅動使嵌入式處理器能夠控制CMOS圖像傳感器圖像數(shù)據(jù)自動采集。
- 關鍵字: CMOS 嵌入式系統(tǒng) 接口技術 圖像傳感器
射頻芯片:工藝成本功耗是永恒熱點
- 支持手機功能的兩大核心芯片之一的射頻收發(fā)芯片一直被認為是中國無線通信和3G產業(yè)的薄弱環(huán)節(jié)。去年下半年,國內兩家領先的射頻芯片企業(yè)銳迪科微電子(上海)有限公司(以下簡稱“銳迪科”)和鼎芯通訊(上海)有限公司(以下簡稱“鼎芯”)都宣布推出采用CMOS工藝的TD-SCDMA射頻(RF)芯片,一舉彌補了中國TD-SCDMA產業(yè)鏈發(fā)展的短板。隨后,銳迪科宣布“推出全球首顆支持HSDPA的TD-SCDMA/GSM雙模射頻芯片”。CMOS工藝正逐漸取代硅鍺BiCMOS工藝和硅BiCMOS工藝成為射頻芯片的主流工藝,與此
- 關鍵字: 嵌入式系統(tǒng) 單片機 射頻 芯片 CMOS RF RF IF
安森美推出便攜設備電源穩(wěn)壓應用的低壓降穩(wěn)壓器
- 安森美半導體推出極高精度的NCP590系列雙輸出CMOS低壓降(LDO)穩(wěn)壓器。該系列器件采用超小、低高度的封裝,非常適合電池供電的消費類產品和微處理器控制的便攜應用,如手機、個人數(shù)字助理(PDA)、GPS和便攜式媒體播放器(PMP)。 NCP590 LDO系列每路輸出能夠提供高達300毫安(mA)的電流,特別結合了工藝與架構,能夠提供快速的客戶反應和極高的靈活性。0.8伏(V)到5 V的電壓范圍能夠配合客戶的不同需求。無論使用哪種類型的電容,或在空載條件下,NCP590都能穩(wěn)定工作。
- 關鍵字: 模擬技術 電源技術 安森美 CMOS LDO 穩(wěn)壓器 元件 制造
富士通與捷智為90nm和65nm RF CMOS代工客戶提供全套解決方案
- 富士通微電子(上海)有限公司近日宣布,富士通株式會社、富士通微電子美國公司(FMA)以及捷智技術公司的全資子公司捷智半導體公司(Jazz)將合作生產用于RF CMOS設備的片上系統(tǒng)(SoC)產品。根據(jù)各方簽署的協(xié)議備忘錄,此次合作旨在使捷智公司一流的RF及混合信號專業(yè)技術與富士通處于領先地位的90nm 及65nm生產技術相結合,使兩家公司能夠為SoC客戶提供高性能的客戶自有工具(COT)代工服務。此次聯(lián)合將使富士通能夠利用其自身先進的90nm 及65nm低漏電LSI生產工藝,提供給捷智高精度的RF模型
- 關鍵字: 65nm 90nm CMOS RF 代工 富士通 捷智
cmos digital image sensor介紹
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