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3d x-dram 文章 最新資訊

DRAM火災(zāi)后遺癥:海力士三星死杠搶芯片市場

  •   DRAM短缺,合約價格持續(xù)上揚,市場研究機構(gòu)TrendForce指出,主流模組4GB10月價格較9月成長6.25%,預(yù)計在下旬合約價公布后,現(xiàn)貨與合約顆粒價格將更為貼近。而SK海力士火災(zāi)過后,韓商三星半導(dǎo)體藉擴張產(chǎn)能欲奪回PC-DRAM市場主導(dǎo)地位,2家韓商已打起PC-DRAM市占率的爭奪保衛(wèi)戰(zhàn)。   市場研究機構(gòu)TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange調(diào)查顯示,受到SK海力士火災(zāi)影響,供給面出現(xiàn)短缺使得合約價格持續(xù)上揚,主流模組4GB最高價格已經(jīng)站上34美元,與9月相較
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Q2全球DRAM市場營運利潤率27%創(chuàng)三年新高

  •   根據(jù)市調(diào)公司IHS表示,動態(tài)隨機存取記憶體(DRAM)市場近來歷經(jīng)快速成長,寫下近三年來的利潤率新高記錄。全球DRAM的營運利潤率從今年第一季的11%大幅成長,最近在第二季已經(jīng)達到27%了──這也是自2010年以來的最高水準。事實上,IHS強調(diào)營業(yè)利潤率已經(jīng)持續(xù)六個月的穩(wěn)步成長了。   IHS指出,多年來PC一直是DRAM的主要應(yīng)用,隨著近來PC市場下滑,2012年時首度出現(xiàn)PC在DRAM應(yīng)用的比重不到50%的窘境。在后PC時代,許多裝置──特別是行動裝置──每單位用量更少,使得整個DRAM市場
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全球DRAM營利率11% 創(chuàng)3年新高

  •   市調(diào)機構(gòu)IHS17日發(fā)布報告指出,拜高平均售價(ASP)之賜,全球DRAM產(chǎn)業(yè)第二季營業(yè)利益創(chuàng)近三年新高,自第一季的11%倍增至27%,僅次于2010年第三季的33%。   在連6季衰退之后,且面對PC市場持續(xù)萎靡的狀況下,DRAM獲利表現(xiàn)連續(xù)2季攀升,期間DRAM產(chǎn)品平均單價第一季漲4%,而第二季更是跳增12%。IHS看好DRAM這股逆轉(zhuǎn)氣勢將可一直持續(xù)至2013年底。   當季表現(xiàn)最亮眼當屬南韓的SK海力士,該公司營利率達33%,而居次的爾必達(Elpida)也有32%,兩者都優(yōu)于DR
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矽映推出第三代 60GHZ 無線高清 WIRELESSHD? 解決方案

  • 2013年10月16日,全球領(lǐng)先的高清連接解決方案提供商矽映電子科技(SiliconImage, Inc.)(NASDAQ:SIMG)宣布,其60GHz WirelessHD?無線高清技術(shù)已成功設(shè)計進愛普生新上市的PowerLite家庭影院3D 1080p 3LCD投影儀產(chǎn)品線 —— PowerLite 5030Ube家庭影院。
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從IFA看電視發(fā)展:3D不溫不火4K正當年

  • 9月6日德國柏林國際消費類電子展(IFA)正式拉卡帷幕。作為歐洲最大的電子消費展之一,IFA 2013可以說是今年諸多 ...
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蘋果產(chǎn)品設(shè)計教父眼中的4大科技發(fā)展趨勢

  • Hartmut Esslinger是設(shè)計咨詢公司Frog Design創(chuàng)始人,曾為蘋果、微軟、三星、索尼、LV、阿迪達斯等多家全球知名企業(yè)設(shè)計了經(jīng)典產(chǎn)品。Hartmut Esslinger被《商業(yè)周刊》稱為“自 1930 年以來美國最有影響力的工業(yè)設(shè)計師”。
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DRAM雙雄 營收高歌

  •   DRAM雙雄報喜,南科與華亞科7日公布9月營收,南科為38.05億元,月增8.3%。華亞科為59.76億元,月增7.3%,且連七個月增長,也創(chuàng)歷史新高。   華亞科月營收是以客戶前三個月產(chǎn)品均價來計算,因此9月業(yè)績是以6月至8月的價格為估算基礎(chǔ),尚未納入SK海力士無錫廠受災(zāi)后,DRAM價格上漲所帶來的利益。華亞科指出,9月營收增加,主要是產(chǎn)品組合變化,與產(chǎn)品平均單價(ASP)上揚帶動。   華亞科已連四個月單月營收在50億元以上水平,外界估算,DRAM價格飆漲后,華亞科10月業(yè)績還會更好,預(yù)期可突
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SK海力士無錫大火余波:DRAM芯片漲價42%

  •   9月4日,SK海力士無錫工廠發(fā)生大火,暫時關(guān)閉并停止生產(chǎn)。由于無錫工廠占SK海力士總產(chǎn)量一半,SK海力士又是全球第二大DRAM制造商,因此,這場大火造成全球芯片價格大幅上漲,創(chuàng)出兩年來新高;有業(yè)內(nèi)人士表示,智能手機和計算機廠商成本的提高或?qū)⑦M一步推高電子類產(chǎn)品價格的上漲。   DRAM芯片價已大漲42%   公開資料顯示,SK海力士是全球第二大DRAM芯片制造商,全球DRAM市場占有率達到24.6%,僅次于三星的50%,無錫工廠的產(chǎn)量占到了SK海力士總產(chǎn)量的一半。   9月4日,SK海力士無錫工
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DRAM產(chǎn)品市場趨向成熟

  • 據(jù)市調(diào)公司IC Insights今年7月發(fā)表的一份名為“Global Wafer Capacity 2013 report”報告稱,2012年末存儲器和代工(主要生產(chǎn)邏輯和混合信號電路)所用晶圓(以200mm晶圓計)已超過世界每月晶圓產(chǎn)能的一半,計共922.7萬片,占64%(其中存儲器占36.1%,代工27.5%),隨后邏輯電路占12.4%,微芯片(MPU,MCU和DSP)10.3%,模擬電路9.6%,其他4.1%。
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TSMC和Cadence合作開發(fā)3D-IC參考流程以實現(xiàn)3D堆疊

  • 全球電子設(shè)計創(chuàng)新領(lǐng)先企業(yè)Cadence設(shè)計系統(tǒng)公司(NASDAQ:CDNS)日前宣布,臺積電與Cadence合作開發(fā)出了3D-IC參考流程,該流程帶有創(chuàng)新的真正3D堆疊。該流程通過基于Wide I/O接口的3D堆疊,在邏輯搭載存儲器設(shè)計上進行了驗證 ,可實現(xiàn)多塊模的整合。
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Mentor工具被納入臺積電真正3D堆疊集成的3D-IC參考流程

  • Mentor Graphics 公司(納斯達克代碼:MENT)日前宣布其解決方案已由臺積電使用真正3D堆疊測試方法進行了驗證,可用于臺積電3D-IC參考流程。該流程將對硅中介層產(chǎn)品的支持擴展到也支持基于TSV的、堆疊的die設(shè)計。
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SK海力士火災(zāi)致DRAM芯片價格創(chuàng)兩年來新高

  •   北京時間9月24日晚間消息,在SK海力士無錫工廠本月發(fā)生火災(zāi)后,DRAM存儲芯片的價格已大幅上漲42%,這意味著智能手機和計算機廠商正面臨更高的元件成本。   根據(jù)亞洲最大DRAM存儲芯片市場DRAMeXchange的數(shù)據(jù),2GBDDR3DRAM芯片的價格周一上漲至2.27美元,而9月4日SK海力士無錫工廠發(fā)生火災(zāi)時為1.60美元。SK海力士預(yù)計,受火災(zāi)影響的生產(chǎn)線將于下月恢復(fù)生產(chǎn)。   SK海力士是全球第二大存儲芯片提供商,客戶包括蘋果(489.1,-1.54,-0.31%)公司、戴爾(
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TSMC和Cadence合作開發(fā)3D-IC參考流程以實現(xiàn)真正的3D堆疊

  •   ? 新參考流程增強了CoWoSTM (chip-on-wafer-on-substrate)芯片設(shè)計   ? 使用帶3D堆疊的邏輯搭載存儲器進行過流程驗證   全球電子設(shè)計創(chuàng)新領(lǐng)先企業(yè)Cadence設(shè)計系統(tǒng)公司(NASDAQ:CDNS)今天宣布,臺積電與Cadence合作開發(fā)出了3D-IC參考流程,該流程帶有創(chuàng)新的真正3D堆疊。該流程通過基于Wide I/O接口的3D堆疊,在邏輯搭載存儲器設(shè)計上進行了驗證 ,可實現(xiàn)多塊模的整合。它將臺積電的3D堆疊技術(shù)和Cadence?3D-IC解決方案相結(jié)合,包
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達索系統(tǒng)發(fā)布SOLIDWORKS 2014版本

  •   全球3D設(shè)計、3D數(shù)字樣機、產(chǎn)品全生命周期管理(PLM)解決方案和3D體驗解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者達索系統(tǒng)(Dassault Systèmes)(巴黎歐洲證券交易所:#13065, DSY.PA)今日發(fā)布了SOLIDWORKS® 2014 3D軟件產(chǎn)品組合,涵蓋了3D CAD、仿真、產(chǎn)品數(shù)據(jù)管理、技術(shù)溝通和電氣設(shè)計,助力企業(yè)突破限制,實現(xiàn)更多創(chuàng)新設(shè)計。   全新發(fā)布的SOLIDWORKS 2014版本提供了卓越的生產(chǎn)效率和可用性,使得企業(yè)可以更專注于知識密集型任務(wù),從而推動產(chǎn)品的創(chuàng)新。
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半導(dǎo)體領(lǐng)域“3D”技術(shù)日益重要

  •   最近,“三維”一詞在半導(dǎo)體領(lǐng)域出現(xiàn)得十分頻繁。比如,英特爾采用22nm工藝制造的采用立體通道結(jié)構(gòu)的“三維晶體管”、8月份三星電子宣布量產(chǎn)的“三維NAND閃存”,以及利用TSV(硅通孔)來層疊并連接半導(dǎo)體芯片的“三維LSI”等。   在半導(dǎo)體領(lǐng)域,原來的二維微細化(定標,Scaling)已逐步接近極限,各種三維技術(shù)變得十分必要。三維晶體管已廣泛應(yīng)用于微處理器,三維NAND閃存也有望在2014年以后、以服務(wù)器
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