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3d 閃存 文章 最新資訊

NAND閃存再減產(chǎn)：三星、SK海力士將至少削減10%

  • 據(jù)報道，NAND閃存在2025年將繼續(xù)面臨需求疲軟和供過于求的雙重壓力。三星、SK海力士、美光等NAND閃存制造商都選擇在2025年執(zhí)行減產(chǎn)計劃。當(dāng)前，存儲器市場，尤其是NAND閃存領(lǐng)域，似乎正步入一個低迷階段。自2024年第三季度以來，NAND閃存價格持續(xù)下滑，這一趨勢使得供應(yīng)商對2025年上半年的市場需求前景持悲觀態(tài)度。長期的價格疲軟無疑將進一步壓縮企業(yè)的利潤空間，為此，三星與SK海力士均選擇在2025年第一季度實施更為激進的減產(chǎn)措施，將NAND閃存產(chǎn)量削減幅度提高至10%以上。在此前的上升周期時，N
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紫光國微2.5D/3D先進封裝項目將擇機啟動

  • 日前，紫光國微在投資者互動平臺透露，公司在無錫建設(shè)的高可靠性芯片封裝測試項目已于2024年6月產(chǎn)線通線，現(xiàn)正在推動量產(chǎn)產(chǎn)品的上量和更多新產(chǎn)品的導(dǎo)入工作，2.5D/3D等先進封裝將會根據(jù)產(chǎn)線運行情況擇機啟動。據(jù)了解，無錫紫光集電高可靠性芯片封裝測試項目是紫光集團在芯片制造領(lǐng)域的重點布局項目，也是紫光國微在高可靠芯片領(lǐng)域的重要產(chǎn)業(yè)鏈延伸。擬建設(shè)小批量、多品種智能信息高質(zhì)量可靠性標(biāo)準(zhǔn)塑料封裝和陶瓷封裝生產(chǎn)線，對保障高可靠芯片的產(chǎn)業(yè)鏈穩(wěn)定和安全具有重要作用。
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國際最新研究將3D NAND深孔蝕刻速度提升一倍

  • 據(jù)媒體報道，近日，研究人員發(fā)現(xiàn)了一種使用先進的等離子工藝在3D NAND閃存中蝕刻深孔的更快、更高效的方法。通過調(diào)整化學(xué)成分，將蝕刻速度提高了一倍，提高了精度，為更密集、更大容量的內(nèi)存存儲奠定了基礎(chǔ)。這項研究是由來自Lam Research、科羅拉多大學(xué)博爾德分校和美國能源部普林斯頓等離子體物理實驗室（PPPL）的科學(xué)家通過模擬和實驗進行的。根據(jù)報道，前PPPL研究員、現(xiàn)就職于Lam Research的Yuri Barsukov表示，使用等離子體中發(fā)現(xiàn)的帶電粒子是創(chuàng)建微電子學(xué)所需的非常小但很深的圓孔的最簡
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NAND價格能否“觸底反彈”？

  • 全球NAND閃存價格已連續(xù)四個月下跌，為應(yīng)對這一不利局面，廠商開始減產(chǎn)以平衡供求，進而穩(wěn)定價格。美光率先宣布將減產(chǎn)，隨后三星也被曝出將調(diào)整其韓國本土的NAND產(chǎn)量以及中國西安工廠的開工率，韓國另一大存儲芯片制造商SK海力士也計劃削減產(chǎn)量。
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應(yīng)對降價：三星大幅減產(chǎn)西安工廠NAND閃存！

  • 1月13日消息，據(jù)媒體報道，三星電子已決定大幅減少其位于中國西安工廠的NAND閃存生產(chǎn)，以此應(yīng)對全球NAND供應(yīng)過剩導(dǎo)致的價格下跌，確保公司的收入和利潤。DRAMeXchange的數(shù)據(jù)顯示，截至2024年10月底，用于存儲卡和U盤的通用NAND閃存產(chǎn)品的價格較9月下降了29.18%。據(jù)行業(yè)消息，三星電子已將其西安工廠的晶圓投入量減少超過10%，每月平均產(chǎn)量預(yù)計將從20萬片減少至約17萬片。此外，三星韓國華城的12號和17號生產(chǎn)線也將調(diào)整其供應(yīng)，導(dǎo)致整體產(chǎn)能降低。三星在2023年曾實施過類似的減產(chǎn)措施，當(dāng)時
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李飛飛對計算機視覺的愿景：World Labs 正為機器提供 3D 空間智能

  • 斯坦福大學(xué)教授李飛飛已經(jīng)在 AI 歷史上贏得了自己的地位。她在深度學(xué)習(xí)革命中發(fā)揮了重要作用，多年來努力創(chuàng)建 ImageNet 數(shù)據(jù)集和競賽，挑戰(zhàn) AI 系統(tǒng)識別 1000 個類別的物體和動物。2012 年，一個名為 AlexNet 的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)在 AI 研究界引起了震動，它的性能遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過了所有其他類型的模型，并贏得了 ImageNet 比賽。從那時起，神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)開始騰飛，由互聯(lián)網(wǎng)上現(xiàn)在提供的大量免費訓(xùn)練數(shù)據(jù)和提供前所未有的計算能力的 GPU 提供支持。在 ImageNe
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谷歌DeepMind發(fā)布Genie 2模型 可一鍵生成超逼真3D互動世界

  • 12月5日消息，美國當(dāng)?shù)貢r間周三，谷歌旗下人工智能研究機構(gòu)DeepMind推出了一款新模型，能夠創(chuàng)造出“無窮無盡”且各具特色的3D世界。這款模型名為Genie 2，是DeepMind在今年早些時候推出的Genie模型的升級版。僅憑一張圖片和一段文字描述，例如“一個可愛的機器人置身于茂密的森林中”，Genie 2就能構(gòu)建出一個交互式的實時場景。在這方面，它與李飛飛創(chuàng)立的World Labs以及以色列新興企業(yè)Decart所開發(fā)的模型有著異曲同工之妙。DeepMind宣稱，Genie 2能夠生成“豐富多樣的3D
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Teledyne推出用于在線3D測量和檢測的Z-Trak 3D Apps Studio軟件工具

  • Teledyne DALSA推出在線3D機器視覺應(yīng)用開發(fā)的軟件工具Z-Trak? 3D Apps Studio。該工具旨在與Teledyne DALSA的Z-Trak系列激光掃描儀配合使用，可簡化生產(chǎn)線上的3D測量和檢測任務(wù)。Z-Trak 3D Apps Studio能夠處理具有不同表面類型、尺寸和幾何特征的物體的3D掃描，是電動汽車（電動汽車電池、電機定子等）、汽車、電子、半導(dǎo)體、包裝、物流、金屬制造、木材等眾多行業(yè)工廠自動化應(yīng)用的理想之選。Z-Trak 3D Apps Studio具有簡化的工具，用于
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三星大幅減少未來生產(chǎn)NAND所需光刻膠使用量

  • 據(jù)韓媒報道，稱三星電子在生產(chǎn) 3D NAND 閃存方面取得重大突破，在其中光刻工藝中大幅縮減光刻膠（PR）用量，降幅達到此前用量的一半。報道稱，此前每層涂層需要7-8cc的光刻膠，而三星通過精確控制涂布機的轉(zhuǎn)速（rpm）以及優(yōu)化PR涂層后的蝕刻工藝，現(xiàn)在只需4-4.5cc。此外，三星使用了更厚的氟化氪（KrF）光刻膠，通常情況下一次工藝形成1層涂層，而使用更厚的光刻膠，三星可以一次形成多個層，從而提高工藝效率，但同時也有均勻性問題。東進半導(dǎo)體一直是三星KrF光刻膠的獨家供應(yīng)商，為三星第7代（11微米）和第
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TrendForce：預(yù)計 Q4 NAND Flash 合約價將下調(diào) 3% 至 8%

  • IT之家?10 月 15 日消息，根據(jù) TrendForce 集邦咨詢最新調(diào)查，NAND Flash 產(chǎn)品受 2024 年下半年旺季不旺影響，wafer 合約價于第三季率先下跌，預(yù)期第四季跌幅將擴大至 10% 以上。IT之家注意到，模組產(chǎn)品部分，除了 Enterprise SSD 因訂單動能支撐，有望于第四季小漲 0% 至 5%；PC SSD 及 UFS 因買家的終端產(chǎn)品銷售不如預(yù)期，采購策略更加保守。TrendForce 預(yù)估，第四季 NAND Flash 產(chǎn)品整體合約價將出現(xiàn)季減 3% 至
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臺積電OIP推3D IC設(shè)計新標(biāo)準(zhǔn)

  • 臺積電OIP（開放創(chuàng)新平臺）于美西當(dāng)?shù)貢r間25日展開，除表揚包括力旺、M31在內(nèi)之業(yè)者外，更計劃推出3Dblox新標(biāo)準(zhǔn)，進一步加速3D IC生態(tài)系統(tǒng)創(chuàng)新，并提高EDA工具的通用性。 臺積電設(shè)計構(gòu)建管理處負(fù)責(zé)人Dan Kochpatcharin表示，將與OIP合作伙伴一同突破3D IC架構(gòu)中的物理挑戰(zhàn)，幫助共同客戶利用最新的TSMC 3DFabric技術(shù)實現(xiàn)優(yōu)化的設(shè)計。臺積電OIP生態(tài)系統(tǒng)論壇今年由北美站起跑，與設(shè)計合作伙伴及客戶共同探討如何通過更深層次的合作，推動AI芯片設(shè)計的創(chuàng)新。 Dan Kochpa
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第八代BiCS FLASH厲害在哪里？

  • 第八代BiCS FLASH已然投入量產(chǎn)，意味著基于BiCS FLASH的產(chǎn)品也將得到新一輪升級。全新的BiCS FLASH無論在存儲密度、性能都有了顯著提升，特別是2Tb QLC NAND是當(dāng)下業(yè)界內(nèi)最大容量的存儲器。為了讓第八代BiCS FLASH突破存儲限制，鎧俠通過專有工藝和創(chuàng)新架構(gòu)，實現(xiàn)了存儲芯片的縱向和橫向縮放平衡，所開發(fā)的CBA（CMOS directly Bonded to Array，外圍電路直接鍵合到存儲陣列）和3.6Gbps接口速度，給AI應(yīng)用、數(shù)據(jù)中心、移動設(shè)備提供了更多潛在可能。技
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閃存大廠鎧俠IPO又進一步

  • 近日，媒體報道鎧俠已申請于今年10月在東京交易所進行IPO。鎧俠預(yù)計籌資規(guī)模將達到5億美元，如若IPO順利進行，那么其有望成為2024年日本最大規(guī)模的IPO。知情人士透露，鎧俠可能在接下來的幾周內(nèi)啟動其IPO流程，至于IPO的具體細(xì)節(jié)仍在討論之中，可能會根據(jù)市場環(huán)境的變化而有所調(diào)整。該公司的估值預(yù)計將超過1.5萬億日元（合103億美元）。資料顯示，鎧俠于2018年6月從日本東芝集團獨立出來，2020年鎧俠獲準(zhǔn)在東京證券交易所上市，不過后來該公司以市場前景不明朗為由推遲上市。
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消息稱三星電子確認(rèn)平澤 P4 工廠 1c nm DRAM 內(nèi)存產(chǎn)線投資，目標(biāo)明年 6 月投運

  • IT之家 8 月 12 日消息，韓媒 ETNews 報道稱，三星電子內(nèi)部已確認(rèn)在平澤 P4 工廠建設(shè) 1c nm DRAM 內(nèi)存產(chǎn)線的投資計劃，該產(chǎn)線目標(biāo)明年 6 月投入運營。平澤 P4 是一座綜合性半導(dǎo)體生產(chǎn)中心，分為四期。在早前規(guī)劃中，一期為 NAND 閃存，二期為邏輯代工，三期、四期為 DRAM 內(nèi)存。三星已在 P4 一期導(dǎo)入 DRAM 生產(chǎn)設(shè)備，但擱置了二期建設(shè)。而 1c nm DRAM 是第六代 20~10 nm 級內(nèi)存工藝，各家的 1c nm（或?qū)?yīng)的 1γ nm）產(chǎn)品目前均尚未正式
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為 1000 層 NAND 閃存制造鋪平道路，泛林推出新一代低溫介質(zhì)蝕刻技術(shù) Lam Cyro 3.0

  • IT之家 8 月 1 日消息，泛林集團 Lam Research 當(dāng)?shù)貢r間昨日宣布推出面向 3D NAND 閃存制造的第三代低溫介質(zhì)蝕刻技術(shù) Lam Cyro 3.0。泛林集團全球產(chǎn)品部高級副總裁 Sesha Varadarajan 表示：Lam Cryo 3.0 為（我們的）客戶實現(xiàn) 1000 層 3D NAND 鋪平了道路。泛林低溫蝕刻已被用于 500 萬片晶圓的生產(chǎn)，而我們的最新技術(shù)是 3D NAND 生產(chǎn)領(lǐng)域的一項突破。它能以埃米級精度創(chuàng)建高深寬比（IT之家注：High Aspect R
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3d 閃存介紹

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