閃存文章最新資訊

今年 Q1 NAND閃存市調(diào)報(bào)告出爐三星東芝占據(jù)大半江山

　　據(jù)iSuppli市調(diào)公司2010年第一季度的NAND閃存市場(chǎng)調(diào)查報(bào)告顯示，三星與東芝公司兩家占據(jù)了NAND閃存市場(chǎng)的絕大部分份額，其中三星的營(yíng)收份額最高，達(dá)到了38.5%，東芝則位居第二為33.8%，兩者合在一起占據(jù)了72.3%的NAND閃存市場(chǎng)營(yíng)收份額。按美元計(jì)算，今年第一季度NAND 閃存的市場(chǎng)總值達(dá)到43.6億美元，比去年第四季度NAND閃存市場(chǎng)總值43.3億美元提升了0.6%。由于季節(jié)性因素的影響，每年的第一季度閃存市場(chǎng)一般都會(huì)比上一年最后一季度有所萎縮，而今年則反其道而行，iSuppli
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東芝計(jì)劃耗資150億日元生產(chǎn)25納米閃存

　　東芝公司今年計(jì)劃耗資150億日元(約合1.6億美元)興建一條試驗(yàn)生產(chǎn)線，生產(chǎn)小于25納米制程的NAND閃存芯片。　　目前東芝生產(chǎn)的NAND閃存是采用32與43納米技術(shù)，主要應(yīng)用于手機(jī)及數(shù)字相機(jī)等電子消費(fèi)產(chǎn)品。為生產(chǎn)新的25納米制程以下的芯片，需使用較短光波的極紫外光微影(EUV lithography)技術(shù)，因此，東芝也將進(jìn)行相應(yīng)的技術(shù)升級(jí)。目前，東芝已向荷蘭半導(dǎo)體微影系統(tǒng)大廠ASML訂購(gòu)設(shè)備，預(yù)計(jì)在今年夏天試驗(yàn)投產(chǎn)。消息一經(jīng)公布，東芝在股市中漲幅達(dá)3.5%，遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過同類電氣機(jī)器指數(shù)0.8%的漲幅
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閃存密集型產(chǎn)品需求上升 NAND價(jià)格穩(wěn)定帶來(lái)正面環(huán)境

　　據(jù)iSuppli公司，由于來(lái)自高密度應(yīng)用的需求上升以及供應(yīng)商的產(chǎn)量穩(wěn)步增長(zhǎng)，NAND閃存價(jià)格波動(dòng)了兩年之后，該市場(chǎng)已恢復(fù)穩(wěn)定。　　第一季度NAND平均價(jià)格下降4%，而2009年第四季度是下降1.4%。相比于這些相對(duì)溫和的變化，2009年第一季度大漲34%。　　NAND價(jià)格持續(xù)透明，導(dǎo)致2009年第四季度營(yíng)業(yè)收入創(chuàng)出最高記錄，使得多數(shù)NAND供應(yīng)商對(duì)于2010年持有非常樂觀的看法。在智能手機(jī)和microSD卡等高密度應(yīng)用的推動(dòng)下，市場(chǎng)對(duì)于NAND閃存的需求不斷增長(zhǎng)，也增強(qiáng)了廠商的信心。這種旺盛需
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富士通開發(fā)NOR型閃存新技術(shù)

　　富士通微電子公司日前宣布，已經(jīng)成功開發(fā)出一種NOR型閃存新技術(shù)，可提高閃存讀取速度，并同時(shí)降低工作電流。富士通在NOR型閃存中，引入了其專利FCRAM(Fast-Cycle Random-Access Memory高速訪問隨機(jī)存儲(chǔ))中的電路元素，從而實(shí)現(xiàn)了高速低功耗和高可靠性。這種新型NOR閃存可將訪問速度提高2.5倍達(dá)，訪問時(shí)間僅10ns，同時(shí)工作電流降低三分之二達(dá)到9µA。通過在嵌入式設(shè)備中應(yīng)用這項(xiàng)技術(shù)，便攜音視頻設(shè)備將有望改進(jìn)性能，同時(shí)延長(zhǎng)電池續(xù)航時(shí)間。　　富士通表示，將以這項(xiàng)N
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蘋果iPhone手機(jī)擴(kuò)容將導(dǎo)致今年閃存市場(chǎng)出現(xiàn)供不應(yīng)求局面

　　據(jù)iSuppli公司預(yù)測(cè)，蘋果今年的iPhone生產(chǎn)計(jì)劃可能導(dǎo)致新一輪閃存供貨危機(jī)的發(fā)生。據(jù)iSuppli公司預(yù)測(cè)，今年蘋果對(duì)其iPhone產(chǎn)品進(jìn)行升級(jí)之后，iPhone手機(jī)產(chǎn)品的閃存容量將平均達(dá)到35GB之多，比現(xiàn)有的最大容量32GB還多。再加上iPhone本身的銷量還將進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)幅度為32%的增長(zhǎng)，達(dá)到3300萬(wàn)部左右，這樣全球閃存市場(chǎng)今年將因此而再次呈現(xiàn)閃存供應(yīng)緊張的局面。　　過去，蘋果每年都會(huì)將其設(shè)備所裝備的閃存容量以每年增加一倍的速度提升，這樣今年其iPhone手機(jī)的閃存容量有望達(dá)到64
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技術(shù)領(lǐng)先領(lǐng)先別無(wú)所求：Intel NAND閃存新戰(zhàn)略縱覽

　　在最近舉辦的一次會(huì)議上，Intel公司屬下NAND閃存集團(tuán)的新任老總Tom Rampone透露了有關(guān)Intel閃存業(yè)務(wù)的一個(gè)驚人規(guī)劃，他們計(jì)劃在閃存技術(shù)和SSD產(chǎn)品市場(chǎng)上取得領(lǐng)先地位，但他們并不準(zhǔn)備在散片NAND閃存市場(chǎng) 上扮演領(lǐng)軍人的角色。看起來(lái)他們并不愿意在風(fēng)水輪流轉(zhuǎn)的NAND閃存散片市場(chǎng)和三星，現(xiàn)代以及東芝這些廠商一爭(zhēng)高下，但于此同時(shí),他們又表現(xiàn)出想把三星從SSD業(yè) 務(wù)排名第一的寶座上拉下來(lái)的意圖。　　Intel不準(zhǔn)備在NAND閃存散片市場(chǎng)稱雄的決定令人稍感驚奇，過去他們一旦進(jìn)入某個(gè)市場(chǎng)，那
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基于閃存的星載大容量存儲(chǔ)器的研究和實(shí)現(xiàn)

摘要：就閃存應(yīng)用于星載大容量存儲(chǔ)器時(shí)的寫入速度慢、存在無(wú)效塊等關(guān)鍵問題探討了可行性解決方案，并在方案討論的基礎(chǔ)上論述了一個(gè)基于閃存的大容量存儲(chǔ)器的演示樣機(jī)的實(shí)現(xiàn)。無(wú)效塊空間飛行器的數(shù)據(jù)記錄設(shè)備是
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NAND閃存芯片價(jià)格本月逐步趨于平穩(wěn)

　　根據(jù)市場(chǎng)調(diào)研公司DRAMeXchange的最新統(tǒng)計(jì)，12月后半個(gè)月的MLC NAND閃存芯片價(jià)格和前半月相比持平，高密度芯片價(jià)格則將下降1-5%。　　其中，16Gb芯片期貨價(jià)格下降2-7%，32Gb芯片價(jià)格持平或下降3%，兩種芯片后半個(gè)月的平均銷售價(jià)格預(yù)計(jì)為4.42美元和7.18美元，8Gb芯片的平均價(jià)格依舊保持在4.02美元。　　盡管受到季節(jié)性銷售規(guī)律的影響，NAND閃存12月份的銷售價(jià)格依舊保持穩(wěn)定?？紤]到一些芯片制造商將重點(diǎn)轉(zhuǎn)移到了工藝升級(jí)上，產(chǎn)能上或受影響，很多下游廠商已經(jīng)開始存貨為即
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Intel-鎂光發(fā)起反擊,2xnm制程N(yùn)AND芯片將投入試制

　　在本月22日召開的一次電話會(huì)議上，鎂光公司聲稱他們很快便會(huì)試制出2x nm制程N(yùn)AND閃存芯片產(chǎn)品，并對(duì)其進(jìn)行取樣測(cè)試。盡管鎂光沒有透露這種2xnm制程的具體規(guī)格數(shù)字，但外界認(rèn)為他們很可能會(huì)于明年初公布有關(guān)的細(xì)節(jié)信息。這樣，鎂光及其NAND技術(shù)的合作伙伴Intel公司很有希望在明年利用這種新制程技術(shù)，甩開對(duì)手三星和東芝，重新回到領(lǐng)先全球NAND制作技術(shù)的寶座上。目前Intel和鎂光兩家公司合資創(chuàng)立有一家專門負(fù)責(zé)NAND業(yè)務(wù)的IM閃存技術(shù)公司。　　除了制造閃存芯片之外，Intel和鎂光還有出售基
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東芝第三季度NAND閃存營(yíng)收環(huán)比增長(zhǎng)近50%

　　據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，市場(chǎng)研究公司iSuppli最新研究數(shù)據(jù)顯示，第三季度全球NAND閃存市場(chǎng)業(yè)績(jī)強(qiáng)勁，東芝表現(xiàn)最為搶眼，營(yíng)收環(huán)比增長(zhǎng)近50%。　　全球NAND閃存市場(chǎng)第三季度的營(yíng)收較第二季度的31億美元，增長(zhǎng)了25.5%，達(dá)39.4億美元。東芝第三季度表現(xiàn)強(qiáng)于市場(chǎng)，其NAND閃存營(yíng)收較第二季度的9.24億美元增長(zhǎng)了47.5%，達(dá)14億美元。東芝在全球NAND閃存市場(chǎng)上位居第二，僅次于三星電子。　　iSuppli資深分析師Michael Yang說(shuō)：“東芝在第三季度充分利用了有利的NAN
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閃存S29AL016D在數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)中的應(yīng)用

閃存S29AL016D在數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)中的應(yīng)用,0 引言
隨著數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)智能化程度的越來(lái)越高，經(jīng)常需要在無(wú)人干預(yù)的情況下，自動(dòng)加載某些數(shù)據(jù)或參數(shù)到系統(tǒng)工作單元，以保證系統(tǒng)的正常工作。這些數(shù)據(jù)或參數(shù)通常都以數(shù)據(jù)文件形式保存在大容量、低功耗、可快
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Numonyx執(zhí)行長(zhǎng)：預(yù)計(jì)未來(lái)季度中將重新盈利

　　全球第三大閃存制造商--Numonyx執(zhí)行長(zhǎng)Brian Harrison周一表示,預(yù)計(jì)在接下來(lái)的季度中,公司將會(huì)開始再度盈利,因該行業(yè)正擺脫長(zhǎng)期下滑趨勢(shì),而主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手經(jīng)營(yíng)困難也令公司擴(kuò)大份額。　　Harrison在接受路透電話采訪時(shí)稱,公司在三季度接近收支平衡,"希望接下來(lái)季度中能盈利,但我們并沒有做任何預(yù)測(cè)。公司處于有利位置,我們的成本構(gòu)成大幅降低。" 　　Numonyx是一家瑞士的私營(yíng)企業(yè),由英特爾和意法半導(dǎo)體合資設(shè)立。　　Numonyx和韓國(guó)三星和日本東芝等其他大
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IEEE：NAND閃存技術(shù)將在十年之內(nèi)遭遇技術(shù)極限

　　《IEEE Transactions on Magnetics》上最近發(fā)表了卡內(nèi)基梅隆大學(xué)教授Mark Kryder、博士生Chang Soo kim的一篇研究文章。師徒倆研究了13種非易失性存儲(chǔ)技術(shù)，看它們到2020年的時(shí)候能否在單位容量成本上超越機(jī)械硬盤，結(jié)果選出了兩個(gè)最有希望的候選者：相變隨機(jī)存取存儲(chǔ)(PCRAM)、自旋極化隨機(jī)存取存儲(chǔ)(STTRAM)。　　PCRAM我們偶爾會(huì)有所耳聞。它基于硫系玻璃的結(jié)晶態(tài)和非結(jié)晶態(tài)相變屬性，單元尺寸較小，而且每個(gè)單元內(nèi)能保存多個(gè)比特，因此存儲(chǔ)密度和成本
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傳Spansion將出售日本300mm工廠

　　據(jù)來(lái)自ISMI Symposium的消息，NOR閃存制造商Spansion將出售其300mm工廠。　　Spansion高層拒絕對(duì)這座名為SP1工廠的狀態(tài)進(jìn)行評(píng)論。“SP1是Spansion Japan的資產(chǎn)，目前正在對(duì)可能的重組方案進(jìn)行評(píng)估。我們繼續(xù)和Spansion Japan緊密合作，并通過我們內(nèi)部和外部的資源，對(duì)客戶的要求進(jìn)行最大程度的支持。”Spansion在一份聲明中表示。　　2007年，Spansion啟用業(yè)界首座300mm NOR閃存工廠。這座耗資12億美
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磁盤式存儲(chǔ)技術(shù)還有十年風(fēng)光：閃存硬盤前景不容樂觀

　　那些鼓吹基于閃存的SSD硬盤技術(shù)的人可能要感到失望了，因?yàn)閾?jù)最新的研究結(jié)果表明，如果磁盤技術(shù)按現(xiàn)有的速度發(fā)展下去，那么到2020年，雙碟2.5寸硬盤的容量將能達(dá)到14TB左右，價(jià)格則會(huì)降到40美元的水平(目前500GB硬盤普遍售價(jià)為100美元左右),仍然具有相當(dāng)?shù)母?jìng)爭(zhēng)力。而盡管基于閃存的SSD硬盤產(chǎn)品由于在讀寫性能，省電性能方面更為優(yōu)秀，正在日漸流行，但其每GB折算價(jià)格卻接近磁盤式硬盤的10倍,另外，閃存技術(shù)在2020年之前很可能會(huì)遇到性能發(fā)展上的瓶頸，這使基于閃存的SSD硬盤即使在10年或更久
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閃存介紹

【閃存的概念】閃存（Flash Memory）是一種長(zhǎng)壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息）的存儲(chǔ)器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位，區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲(chǔ)器（EEPROM）的變種，EEPROM與閃存不同的是，它能在字節(jié)水平上進(jìn)行刪除和重寫而不是整個(gè)芯片擦寫，這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷 [ 查看詳細(xì) ]