閃存文章最新資訊

市場(chǎng)供貨吃緊，NAND閃存合約價(jià)持續(xù)上揚(yáng)

　　研究機(jī)構(gòu)集邦科技(DRAM eXchange)表示，10月上旬主流MLC NAND Flash合約均價(jià)上漲約8%~10%，主要原因是多數(shù)供貨商已接獲部份電子系統(tǒng)廠客戶10月到11月的旺季長(zhǎng)單，同時(shí)近期記憶卡客戶的旺季備貨需求，因此NAND Flash市場(chǎng)供貨吃緊，在賣方主導(dǎo)市場(chǎng)下，10月上旬NAND Flash合約價(jià)持續(xù)地上揚(yáng)。　　　　16Gb MLC NAND Flash合約價(jià)走勢(shì)圖　　集邦科技指出，在10月到11月，多數(shù)NANDFlash供貨商份仍將優(yōu)先供貨給電子系
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分析稱2012年將普及USB3.0 速率可達(dá)到4.8G/s

　　賽迪網(wǎng)訊 9月20日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，調(diào)研公司In-Stat預(yù)計(jì)，到2010年70%的存儲(chǔ)設(shè)備將支持USB3.0標(biāo)準(zhǔn)。　　早在2007年，USB 3.0標(biāo)準(zhǔn)就已經(jīng)建立。USB 3.0的數(shù)據(jù)傳輸速度可達(dá)到4.8Gbps，是USB2.0的10倍，為傳輸大容量文件帶來(lái)了方便。　　In-Stat稱，USB 3.0設(shè)備將于明年開始進(jìn)入市場(chǎng)，并將在未來(lái)幾年內(nèi)漸成主流。到2012年，預(yù)計(jì)70%的存儲(chǔ)設(shè)備將支持USB3.0，其中包括硬盤、閃存和便攜播放器等。
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2012年之前NAND閃存將保持價(jià)格上升趨勢(shì)

　　美國(guó)從事半導(dǎo)體相關(guān)市場(chǎng)調(diào)查的IC Insights發(fā)布預(yù)測(cè)稱，NAND閃存市場(chǎng)將迎來(lái)價(jià)格上升局面。IC Insights預(yù)測(cè)，由于在需求增加的情況下各大廠商減少設(shè)備投資，造成供需緊張，因此到2012年之前平均銷售價(jià)格將繼續(xù)保持上升趨勢(shì)。　　IC Insights自1993年開始就NAND閃存市場(chǎng)進(jìn)行調(diào)查以來(lái)，NAND閃存的供貨量低于上年業(yè)績(jī)的只有2001年一次。該公司預(yù)測(cè)，今后到2013年供貨量將穩(wěn)步增加。全球經(jīng)濟(jì)低迷的2009年也不會(huì)例外。　　供貨容量也將大幅增長(zhǎng)。即使是全球經(jīng)濟(jì)低迷的200
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分析師：NAND閃存價(jià)格將上漲

　　根據(jù)IC Insights近期發(fā)布的McClean Report年中更新版顯示，閃存市場(chǎng)將發(fā)生變化，在未來(lái)幾年將從買方市場(chǎng)轉(zhuǎn)向賣方市場(chǎng)。　　閃存出貨量和位需求量預(yù)計(jì)將增長(zhǎng)，但閃存產(chǎn)能的投資這兩年正在減小。IC Insights預(yù)計(jì)2009年閃存資本支出將下滑至前一年的25%，約30億美元。這將為2012年前的平均銷售價(jià)格帶來(lái)上行壓力。　　2009年閃存銷售量仍將增長(zhǎng)，盡管經(jīng)濟(jì)形勢(shì)極具挑戰(zhàn)。受手持設(shè)備、無(wú)線消費(fèi)電子、電腦和通訊設(shè)備需求的帶動(dòng)，閃存位出貨量在2005年至2008年之間達(dá)到了三位數(shù)百
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飛索半導(dǎo)體瘦身專攻嵌入式和IP授權(quán)兩大業(yè)務(wù)

　　“2009年一定會(huì)有一些閃存或者DRAM廠商倒閉，產(chǎn)業(yè)鏈進(jìn)一步整合是必然趨勢(shì)，而剩下的閃存或DRAM廠商要想生存，就必需盡快尋找到自己的重生之道。”8月11日，全球最大的NOR閃存廠商Spansion(飛索)公司企業(yè)營(yíng)銷總監(jiān)John Nation抵京，他帶來(lái)了Spansion最新的第二季度財(cái)務(wù)狀況，以及公司為脫離破產(chǎn)保護(hù)而進(jìn)行的戰(zhàn)略調(diào)整。　　Spansion是全球最大的NOR型閃存制造商，也是全球最大一家專門出品閃存的企業(yè)。　　今年3月1日，Spansion公司宣布，根
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NAND閃存產(chǎn)業(yè)走到十字路口

　　NAND閃存產(chǎn)業(yè)正處在十字路口。SanDisk CEO Eli Harari稱未來(lái)的產(chǎn)能需要和產(chǎn)品需求“失去了關(guān)聯(lián)”。NAND閃存糟糕的產(chǎn)業(yè)模式使廠商對(duì)建新廠失去興趣。　　積極地來(lái)看，Harari稱2013年NAND閃存位需求將達(dá)10萬(wàn)petabyte(PB，1 peta=100萬(wàn)Giga)，而現(xiàn)在為7000PB。當(dāng)前和未來(lái)的NAND閃存需求讓將爆炸性增長(zhǎng)，其中包括最有潛力的市場(chǎng)驅(qū)動(dòng)力——嵌入式移動(dòng)應(yīng)用市場(chǎng)。　　Harari在閃存峰會(huì)的主題演講中
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耶魯大學(xué)和SRC共同研制出高性能鐵電存儲(chǔ)器

　　耶魯大學(xué)的研究人員和Semiconductor Research Corp (SRC)稱利用鐵電材料制作存儲(chǔ)器來(lái)代替DRAM和閃存非常合適。目前DRAM技術(shù)必須每幾個(gè)毫秒就刷新一下，而鐵電存儲(chǔ)器可以持續(xù)幾分鐘而無(wú)需刷新。　　耶魯大學(xué)和SRC的研究人員制成了一種用于FeDRAM的鐵電晶體管實(shí)驗(yàn)樣品，該FeDRAM保存信息的時(shí)間比DRAM長(zhǎng)1000倍，而功耗僅為DRAM的1/20，而且尺寸可以縮至ITRS上的最先進(jìn)節(jié)點(diǎn)。　　“我們的存儲(chǔ)器的速度至少和DRAM一樣快，但尺寸和閃存一樣小，
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第二季度芯片市場(chǎng)回暖 IC廠商排名調(diào)整

　　市場(chǎng)研究公司IC Insights指出，第二季度芯片市場(chǎng)銷售額的反彈使IC廠商排名發(fā)生了較大變化。　　以銷售額來(lái)計(jì)，第二季度排名上升的公司有Hynix、MediaTek和TSMC。排名下滑的有AMD、Freescale和Fujitsu。　　Intel仍然位居榜首，Samsung、Toshiba、TI緊隨其后。由于第二季度表現(xiàn)突出，TSMC從第十躍至第五。　　ST排名第六，后面依次是Qualcomm、Renesas和Sony。Hynix從第13名升至第10名。另一個(gè)排名上升的公司是Media
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大容量閃存器件K9KAG08UOM與DSP接口設(shè)計(jì)

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NAND閃存價(jià)格波動(dòng) 破壞SSD市場(chǎng)普及性

　　周一消息研究機(jī)構(gòu)iSuppli指出，NAND閃存價(jià)格大幅波動(dòng)的現(xiàn)象，大幅削弱了之前對(duì)2009年固態(tài)硬盤(SSD)在筆記本電腦市場(chǎng)普及的預(yù)期。　　iSuppli專研行動(dòng)和新興內(nèi)存的資深分析師Michael Yang表示，近期NAND閃存價(jià)格上漲，對(duì)閃存供貨商來(lái)說(shuō)來(lái)說(shuō)是好事，但卻為SSD在筆記本電腦的普及帶來(lái)阻礙。因?yàn)镾SD的價(jià)格約有90%由NAND閃存決定。所以當(dāng)NAND閃存價(jià)格上漲，SSD在個(gè)人和企業(yè)市場(chǎng)的銷量就會(huì)減緩。　　多層單元(MLC)規(guī)格16GB的NAND閃存，其平均價(jià)格大幅上漲12
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SanDisk推出新品瞄準(zhǔn)上網(wǎng)本市場(chǎng)

　　據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，正準(zhǔn)備搶攻快速成長(zhǎng)上網(wǎng)本市場(chǎng)的SanDisk，在周二臺(tái)北電腦展上發(fā)布了新款閃存產(chǎn)品。　　SanDisk此次推出SDHC閃存記憶卡，以及固態(tài)硬盤PSSD，共P2及S2兩款產(chǎn)品。SanDisk的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手包括美光、三星電子、海力士等。　　SanDisk公司所推出的固態(tài)硬盤，特別適合用于以ARM微處理器為核心的上網(wǎng)本，不過(guò)SanDisk高管指出，該產(chǎn)品也可以用在以英特爾Atom為核心的系統(tǒng)。固態(tài)硬盤是使用閃存作為儲(chǔ)存媒介，耗電量較傳統(tǒng)硬盤低。　　SanDisk認(rèn)為，閃存芯片速度更快
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新型存儲(chǔ)設(shè)備可保存數(shù)據(jù)10億年

　　科學(xué)家們?nèi)涨把兄瞥鲆环N新型存儲(chǔ)設(shè)備,其最大特點(diǎn)是存儲(chǔ)容量大,保存時(shí)間久. 　　這種新型存儲(chǔ)設(shè)備其實(shí)就是鐵顆粒被密封在中空的納米管內(nèi),通過(guò)鐵顆粒在納米管內(nèi)來(lái)回穿梭作為一種有效的存儲(chǔ)方式.研究人員表示,這種存儲(chǔ)設(shè)備每平方英寸可存儲(chǔ)1TB(1000G)數(shù)據(jù),較當(dāng)前存儲(chǔ)技術(shù)更為有效.此外,新設(shè)備的數(shù)據(jù)保存時(shí)間更持久,可長(zhǎng)達(dá)10億年,甚至更久. 　　相比之下,當(dāng)前的存儲(chǔ)技術(shù)根本無(wú)法將數(shù)據(jù)保持如此之久.例如,普通的閃存技術(shù)只能保存數(shù)據(jù)3至5年. 　　寫在羊皮紙上的《末日手記》(Doomsday Book)
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三星與SanDisk續(xù)簽7年NAND專利許可協(xié)議

　　據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，三星電子周三宣布，以更低的許可價(jià)格，與美國(guó)芯片生產(chǎn)商SanDisk續(xù)簽了7年的NAND閃存技術(shù)許可協(xié)議，不過(guò)協(xié)議規(guī)定三星必須向SanDisk供應(yīng)芯片。　　三星在提交給韓國(guó)證交所的文件中稱，由于協(xié)議是2家公司內(nèi)部簽署的，無(wú)法透露所有信息，但可以透露的是，許可費(fèi)將是當(dāng)前協(xié)議的1半左右。SanDisk公司董事長(zhǎng)和CEO埃里·哈拉利(Eli Harari)表示，對(duì)于今天宣布的協(xié)議我們感到非常滿意，此外，繼續(xù)獲得三星閃存芯片可使我們?cè)诳刂瀑Y本支出上擁有更大的靈活性。　　新協(xié)
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SanDisk首席執(zhí)行官稱摩爾定律未來(lái)5年后失效

　　消息稱,閃存產(chǎn)品廠商SanDisk首席執(zhí)行官埃利·哈拉里(Eli Harari)表示,未來(lái)5年后摩爾定律將會(huì)失效. 　　摩爾定律是英特爾聯(lián)合創(chuàng)始人戈登·摩爾(Gordon Moore)1965年提出的,內(nèi)容是:芯片上集成的晶體管數(shù)量每?jī)赡陮⒎环?哈拉里說(shuō),閃存容量在過(guò)去19年中翻了14番,遠(yuǎn)高于摩爾定律,但閃存芯片容量可能還只能再翻兩番. 　　哈拉里表示,閃存芯片容量將受限于每個(gè)存儲(chǔ)單元的電子數(shù)量.最初,每個(gè)存儲(chǔ)單元的電子數(shù)量數(shù)以百萬(wàn)計(jì),現(xiàn)在已經(jīng)減少到了數(shù)百個(gè).哈拉里
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美硅谷公司開發(fā)出數(shù)據(jù)存儲(chǔ)新技術(shù) 有望取代NAND閃存

　　美國(guó)硅谷一家公司19日宣布開發(fā)出一種新技術(shù)，并計(jì)劃利用它來(lái)制造比閃存容量更大、讀寫速度更快的新型存儲(chǔ)器。　　這家名為“統(tǒng)一半導(dǎo)體”的公司發(fā)布新聞公報(bào)說(shuō)，新型存儲(chǔ)器的單位存儲(chǔ)密度有望達(dá)到現(xiàn)有NAND型閃存芯片的4倍，存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的速度有可能達(dá)到后者的5倍到10倍。　　NAND型閃存因?yàn)榇鎯?chǔ)容量大等特點(diǎn)，目前在數(shù)碼產(chǎn)品中應(yīng)用比較廣泛。但也有一些專家認(rèn)為，NAND型閃存未來(lái)可能遭遇物理極限，容量將無(wú)法再進(jìn)一步提高。“統(tǒng)一半導(dǎo)體”表示，其制造的新型存儲(chǔ)器旨在
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閃存介紹

【閃存的概念】閃存（Flash Memory）是一種長(zhǎng)壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息）的存儲(chǔ)器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位，區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲(chǔ)器（EEPROM）的變種，EEPROM與閃存不同的是，它能在字節(jié)水平上進(jìn)行刪除和重寫而不是整個(gè)芯片擦寫，這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷 [ 查看詳細(xì) ]