閃存 文章 最新資訊
解密16G MLC NAND閃存表象下的技術(shù)細節(jié)
- 2006年初,美光科技公司與英特爾公司的合作企業(yè)IMFlashTechnologies公司(IMFT)在市場上閃亮登場。通過整合I...
- 關(guān)鍵字: NAND 閃存 技術(shù)細節(jié) 位密度 多晶硅
立足嵌入式應用 恒憶尋求高利潤增長點

- 走在下行周期上的半導體產(chǎn)業(yè)碰上了30年代“大蕭條”后全球最慘烈的經(jīng)濟危機,猶如雪上加霜。而作為整個行業(yè)晴雨表的存儲器更是早在去年就表現(xiàn)出了極大的疲軟態(tài)勢。英特爾和意法半導體剝離閃存事業(yè)部后,聯(lián)合成立的閃存公司恒憶(Numonyx)卻在今年4月掛牌營運,在這樣一個人人自危的時候,作為全球最大的閃存公司,恒憶是如何看待閃存市場前景的? 恒憶(亞洲)副總裁兼總經(jīng)理 Rolf-Peter Seibl “存儲器市場的確在一些細分市場除了先樂周期性衰退,但是我們相信
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英特爾將與日立達成閃存合作
- 據(jù)國外媒體報道,消息稱英特爾將于周二宣布與日立達成協(xié)議,成為后者高端固態(tài)硬盤生產(chǎn)線的獨家閃存供應商,二者還計劃分攤研發(fā)成本。 英特爾的大部分盈利來自其核心微處理器業(yè)務,但其閃存業(yè)務又另當別論了。盡管英特爾并未公布閃存業(yè)務的詳細財務狀況,但閃存是一個競爭非常激烈的行業(yè),在價格不斷走低的背景下,專業(yè)公司如SanDisk和電子產(chǎn)業(yè)巨頭如三星和東芝互相爭奪市場份額。英特爾通過與美光建立的合資公司經(jīng)營閃存業(yè)務,一些股東一直要求英特爾放棄這一低利潤業(yè)務。 盡管固態(tài)硬盤價格昂貴,但與傳統(tǒng)硬盤相比
- 關(guān)鍵字: 英特爾 日立 閃存 固態(tài)硬盤
Spansion起訴三星侵犯閃存專利
- 11月18日消息,美國閃存芯片制造商Spansion宣布,正在對三星侵犯其專利權(quán)的行為采取法律行動,公司請求法庭禁止使用三星所產(chǎn)芯片的手機、Mp3播放器和其他電子設備從外國進入美國市場。 Spansion指出,已提交兩份針對韓國三星公司的訴狀,其中一份提交特拉華州一家聯(lián)邦法院,另一份提交總部設于華盛頓的美國國際貿(mào)易委員會(ITC)。Spansion指控三星生產(chǎn)的閃存芯片侵犯了自己一系列的專利權(quán)。 Spansion在提交ITC的訴狀中請求政府禁止三星的下游客戶,包括蘋果和索尼等企業(yè)含有三星所
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Ramtron推出1兆位串行F-RAM存儲器
- Ramtron International Corporation宣布推出新型F-RAM系列中的首款產(chǎn)品,具有高速讀/寫性能、低電壓工作和可選器件的特性。Ramtron的V系列F-RAM產(chǎn)品的首款器件FM25V10,是1兆位 (Mb)、2.0至3.6V、具有串行外設接口 (SPI) 的非易失性RAM,采用8腳SOIC封裝,其特點是快速訪問、無延遲(NoDelay?) 寫入、1E14讀/寫次數(shù)和低功耗。FM25V10是工業(yè)控制、計量、醫(yī)療、汽車、軍事、游戲及計算機等應用領(lǐng)域1Mb串行閃存和串行EEPRO
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東芝半導體業(yè)務低迷業(yè)績下滑
- 據(jù)《日本經(jīng)濟新聞》18日報道,東芝公司今年4~9月業(yè)績急速下滑,營業(yè)利潤預計將出現(xiàn)300億日元(1美元約合105日元)左右的赤字。 據(jù)悉,這將是東芝公司5年來首次在財年上半期出現(xiàn)經(jīng)營赤字,集團銷售額預計也將比去年同期減少2%,為36000億日元,比預期減少2000億日元。 報道稱,由于世界經(jīng)濟不景氣,東芝半導體業(yè)務的收益大幅惡化。用于手機、MP3音樂播放器等的NAND型閃存銷售低迷,供過于求的形勢導致半導體價格驟跌。以半導體業(yè)務為中心的電子設備部門4~6月出現(xiàn)了約340億日元的經(jīng)營赤字,7
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現(xiàn)代半導體9月NAND型閃存產(chǎn)量驟減三成
- 韓國現(xiàn)代半導體公司上周四宣布,公司將從9月起把NAND型閃存產(chǎn)量減少30%.受供給過剩影響,全球閃存的價格一路走低,世界半導體制造商紛紛減少閃存的產(chǎn)量,現(xiàn)代半導體公司此舉可謂追隨潮流。 現(xiàn)代半導體將暫停清州M9工廠8英寸晶圓的生產(chǎn),該廠每月能生產(chǎn)8萬枚8英寸晶圓。此前,現(xiàn)代半導體清州M8工廠已將8英寸晶圓的月產(chǎn)量由10萬枚減少至 7萬枚?,F(xiàn)代半導體公司在今年4月時曾預告稱,公司將暫停M9工廠的生產(chǎn),可是M8工廠的減產(chǎn)決定卻是在業(yè)內(nèi)人士的預料之外。 在DRAM業(yè)界排名第三位的日本爾必達公司將
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DSP和Flash接口技術(shù)的實現(xiàn)

- 1 引言 在現(xiàn)代數(shù)字信號處理系統(tǒng)中,采用Flash做為DSP程序加載和引導是一種常用的方法,它為用戶對那些將來可能需要改變數(shù)據(jù)或代碼的系統(tǒng)維護提供了有效手段。利用Flash器件,能夠?qū)崿F(xiàn)在線程序編寫,減少EPROM程序燒寫帶來的麻煩。 2 Flash AM29LV800B簡介 Flash存儲器又稱閃存,它結(jié)合了ROM和RAM的特點,不僅具備電子可擦除可編程(EEPROM)功能,而且不會斷電丟失數(shù)據(jù)同時能快速讀取數(shù)據(jù),它具有在線電擦寫、低功耗、大容量、擦寫速度快等特點,屬于EEPROM
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誰將主導存儲市場的未來十年?
- 對于存儲來說,我們有兩點可以肯定:一是數(shù)據(jù)將會持續(xù)不斷的增長下去,而且,他們都需要被存儲;二是,我們的存儲設備和存儲能力將會隨著數(shù)據(jù)的增長而不斷演變——這確實是兩點可以肯定事情,所有人都知道,但問題在于,我們?nèi)匀贿€不知道怎么去做以應付突然而至或者說在我們沒有防備時而到來的數(shù)據(jù)爆炸,現(xiàn)在,IDC已經(jīng)相信,我們所生活的數(shù)字世界中的數(shù)據(jù)增長量已經(jīng)開始超過我們的存儲能力的增長——無論這條被廣泛引用的論據(jù)的可信度達到多少,我們都已經(jīng)能切身感受到我們身邊的存儲容量的
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SSD固態(tài)硬盤受寵 國內(nèi)移動存儲企業(yè)嶄露頭角
- 日前,百度公司宣布以閃存及配套技術(shù)全面代替硬盤存儲,百度公司承載全球檢索及索引存儲的運算集群中的硬盤已全部拆除。這是閃存與傳統(tǒng)硬盤在爭奪市場方面所取得的一次重大勝利。 據(jù)悉,由于全部采用了閃存芯片作為存儲介質(zhì),SSD固態(tài)硬盤的速度是傳統(tǒng)硬盤的數(shù)倍,同時由于內(nèi)部不存在任何機械部件,SSD固態(tài)硬盤還擁有抗震性能好,零噪音等眾多顯著的技術(shù)優(yōu)勢。正是因為擁有比傳統(tǒng)硬盤更優(yōu)越的技術(shù)性能,SSD固態(tài)硬盤才在許多重要領(lǐng)域占領(lǐng)了市場。 據(jù)市場分析機構(gòu)iSuppli公司預計,到2012年,固態(tài)硬盤銷售量將由
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閃存介紹
【閃存的概念】
閃存(Flash Memory)是一種長壽命的非易失性(在斷電情況下仍能保持所存儲的數(shù)據(jù)信息)的存儲器,數(shù)據(jù)刪除不是以單個的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位,區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲器(EEPROM)的變種,EEPROM與閃存不同的是,它能在字節(jié)水平上進行刪除和重寫而不是整個芯片擦寫,這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷 [ 查看詳細 ]
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