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電池架構(gòu)使用100%硅負(fù)極來(lái)提高能量密度和耐用性

推出了采用 100% 硅負(fù)極設(shè)計(jì)的智能手機(jī)電池平臺(tái)，能量密度超過(guò)每升 900 瓦時(shí) （Wh/L）。這款名為 AI-1 的電池專(zhuān)為執(zhí)行高級(jí)設(shè)備處理任務(wù)（包括人工智能工作負(fù)載）的智能手機(jī)而開(kāi)發(fā)。這種電池架構(gòu)已以 7,350 毫安時(shí) （mAh）配置運(yùn)送給原始設(shè)備制造商（OEM）進(jìn)行評(píng)估和鑒定。該設(shè)計(jì)采用了以硅為主的陽(yáng)極配置，解決了通常與硅材料相關(guān)的體積膨脹和機(jī)械應(yīng)變挑戰(zhàn)。通過(guò)優(yōu)化負(fù)極結(jié)構(gòu)和支撐材料（如陰極配方、隔膜和電解質(zhì)），電池支持高放電率，并在很寬的溫度范圍內(nèi)保持運(yùn)行完整性。初步內(nèi)部測(cè)試表明，支持 3
關(guān)鍵字：電池架構(gòu) 硅負(fù)極能量密度耐用性

在線性模式供電的電子系統(tǒng)中，功率 MOSFET器件被廣泛用作壓控電阻器，電磁干擾 (EMI) 和系統(tǒng)總體成本是功率MOSFET的優(yōu)勢(shì)所在。?在線性模式工作時(shí)，MOSFET必須在惡劣工作條件下工作，承受很高的漏極電流(ID)和漏源電壓 (VDS)，然后還需處理很高的功率。這些器件必須滿足一些技術(shù)要求才能提高耐用性，還必須符合熱管理限制，才能避免熱失控。?意法半導(dǎo)體 (ST) 推出了一款采用先進(jìn)的 STPOWER STripFET F7制造技術(shù)和H2PAK 封裝的 100V功率 MOSFE
關(guān)鍵字：意法半導(dǎo)體功率 MOSFET 耐用性

目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時(shí)候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對(duì)特高耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受?chē)?yán)重的失配，即使在滿輸出電平時(shí)也是如此。現(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管，
關(guān)鍵字：射頻功率晶體管耐用性 LDMOS

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