首頁　 資訊　 商機 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> 絕緣柵雙極型晶體管(igbt)

絕緣柵雙極型晶體管(igbt) 文章 最新資訊

意法半導體隔離柵極驅動器：碳化硅MOSFET安全控制的優(yōu)化解決方案和完美應用伴侶

  • 意法半導體（下文為ST）的功率MOSFET和IGBT柵極驅動器旨在提供穩(wěn)健性、可靠性、系統(tǒng)集成性和靈活性的完美結合。這些驅動器具有集成的高壓半橋、單個和多個低壓柵極驅動器，非常適合各種應用。在確保安全控制方面，STGAP系列隔離柵極驅動器作為優(yōu)選解決方案，在輸入部分和被驅動的MOSFET或IGBT之間提供電氣隔離，確保無縫集成和優(yōu)質性能。選擇正確的柵極驅動器對于實現(xiàn)最佳功率轉換效率非常重要。隨著SiC技術得到廣泛采用，對可靠安全的控制解決方案的需求比以往任何時候都更高，而ST的STGAP系列電氣隔離柵極驅
  • 關鍵字： STGAP  MOSFET  IGBT  驅動器  電氣隔離  

基礎知識之IGBT

  • 什么是IGBT(絕緣柵雙極晶體管)？IGBT是　“Insulated Gate Bipolar Transistor”的首字母縮寫，也被稱作絕緣柵雙極晶體管。 IGBT被歸類為功率半導體元器件晶體管領域。功率半導體元器件的特點除了IGBT外，功率半導體元器件（晶體管領域）的代表產品還有MOSFET、BIPOLAR等，它們主要被用作半導體開關。 根據(jù)其分別可支持的開關速度，BIPOLAR適用于中速開關，MOSFET則適用于高頻領域。IGBT是輸入部為MOSFET結構、輸出部為BIPOLAR結構的元器件，通過
  • 關鍵字： 功率半導體  IGBT  

IGBT驅動電路介紹

  • IGBT，中文名字為絕緣柵雙極型晶體管，它是由MOSFET（輸入級）和PNP晶體管（輸出級）復合而成的一種器件，既有MOSFET器件驅動功率小和開關速度快的特點（控制和響應），又有雙極型器件飽和壓降低而容量大的特點（功率級較為耐用），頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz頻率范圍內。理想等效電路與實際等效電路如圖所示：IGBT 的靜態(tài)特性一般用不到，暫時不用考慮，重點考慮動態(tài)特性（開關特性）。動態(tài)特性的簡易過程可從下面的表格和圖形中獲?。篒GBT的開通過程IGBT 在開通過程中，
  • 關鍵字： IGBT  電路設計  驅動電路  

IGBT如何進行可靠性測試？

  • 在當今的半導體市場，公司成功的兩個重要因素是產品質量和可靠性。而這兩者是相互關聯(lián)的，可靠性體現(xiàn)為在產品預期壽命內的長期質量表現(xiàn)。任何制造商要想維續(xù)經(jīng)營，必須確保產品達到或超過基本的質量標準和可靠性標準。安森美 (onsemi) 作為一家半導體供應商，為高要求的應用提供能在惡劣環(huán)境下運行的產品，且這些產品達到了高品質和高可靠性。人們認識到，為實現(xiàn)有保證的質量性能，最佳方式是摒棄以前的“通過測試確保質量”方法，轉而擁抱新的“通過設計確保質量”理念。在安森美，我們使用雙重方法來達到最終的質量和可靠性水
  • 關鍵字： IGBT  可靠性  測試  

必看！IGBT基礎知識匯總！

  • 01 IGBT是什么？IGBT，絕緣柵雙極型晶體管，是由（BJT）雙極型三極管和絕緣柵型場效應管（MOS）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有（MOSFET）金氧半場效晶體管的高輸入阻抗和電力晶體管（GTR）的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；（因為Vbe=0.7V,而Ic可以很大（跟PN結材料和厚度有關））MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。（因為MOS管有Rds，如果Ids比較大，就會導致Vds很大）IGBT綜合了以
  • 關鍵字： IGBT  晶體管  基礎知識  

IGBT 持續(xù)走強，頭部公司紛紛擴產

  • 從缺芯潮緩解轉向下游市場需求疲軟，在半導體賽道的周期性寒冬之下，各家企業(yè)相繼采取措施，減產、縮減投資等逐漸成為行業(yè)廠商度過危機的主要方式之一。不過在半導體諸多賽道中，有這樣一個細分領域，它未受市場景氣度的影響，持續(xù)繁榮向上。這便是 IGBT。IGBT 的市場格局根據(jù) IGBT 的產品分類來看，按照其封裝形式的不同，可分為 IGBT 分立器件、IPM 模塊和 IGBT 模塊。IGBT 分立器件主要應用在小功率的家用電器、分布式光伏逆變器；IPM 模塊應用于變頻空調、變頻洗衣機等白色家電產品；而 IGBT 模
  • 關鍵字： IGBT  

關于IGBT 安全工作區(qū) 你需要了解這兩個關鍵

  • 在 IGBT 的規(guī)格書中，可能會看到安全工作區(qū)（SOA, Safe Operating Area），例如 ROHM 的 RGS30TSX2DHR 如下圖所示。這個安全工作區(qū)是指什么？圖1. Rohm 的RGS30TSX2DHR 安全工作區(qū) （圖片來源ROHM）IGBT 的安全工作區(qū)（SOA）是使IGBT在不發(fā)生自損壞或性能沒有下降的情況下的工作電流和電壓條件。實際上，不僅需要在安全工作區(qū)內使用IGBT，還需對其所在區(qū)域實施溫度
  • 關鍵字： IGBT  安全工作區(qū)  SOA  

IGBT IPM實例：絕對最大額定值

  • 本文的關鍵要點?各種項目的絕對最大額定值都是絕對不能超過的值。?IGBT IPM絕對最大額定值的解釋基本上與半導體器件相同。?由于絕對最大額定值不是保證產品工作和特性的值，因此設計通?；谕扑]工作條件和電氣特性項目中的規(guī)格值進行。在本文中，將介紹IGBT IPM的絕對最大額定值。與上一篇一樣，我們將使用ROHM的第3代IGBT IPM“BM6337xS-xx/BM6357x-xx系列”作為IGBT IPM的示例。?IGBT IPM實例：絕對最大額定值?首先，為了便于理解后續(xù)內容，我們先
  • 關鍵字： IGBT  IPM  ROHM  

2023年慕尼黑華南電子展：EEPW&廣州金升陽科技有限公司

  • 10月31日，金升陽作為EEPW的老朋友也來到直播間向我們分享了他們這次帶來的展品以及新的動態(tài)。謝工在直播中介紹到，金升陽成立于1998年7月，25年來創(chuàng)造了高品質的機殼開關電源、導軌電源、AC/DC電源模塊、DC/DC電源模塊隔離變送器、工業(yè)接口通訊模塊、 IGBT驅動器、LED驅動器等系列產品，其中多個產品系列已經(jīng)順利通過了UL、CE、EN60601-1。我們了解到，金升陽在近日榮獲UL Solutions授予的中國工業(yè)電源UL61010-1/UL61010-2-201安全認證證書及 IEC/UL 6
  • 關鍵字： 金升陽  AC/DC  電源模塊  DC/DC  業(yè)接口通訊模塊  IGBT  

東風首批自主碳化硅功率模塊下線

  • 11月2日消息，據(jù)“智新科技”官微消息，近日，首批采用納米銀燒結技術的碳化硅模塊從智新半導體二期產線順利下線，完成自主封裝、測試以及應用老化試驗。該碳化硅模塊采用納米銀燒結工藝、銅鍵合技術，使用高性能氮化硅陶瓷襯板和定制化pin-fin散熱銅基板，熱阻較傳統(tǒng)工藝改善10%以上，工作溫度可達175℃，損耗相比IGBT模塊大幅降低40%以上，整車續(xù)航里程提升5%-8%。據(jù)悉，智新半導體碳化硅模塊項目基于東風集團“馬赫動力”新一代800V高壓平臺，項目于2021年進行前期先行開發(fā)，2022年12月正式立項為量產
  • 關鍵字： IGBT  碳化硅  東風  智新半導體  

IGBT／MOSFET 的基本柵極驅動光耦合器設計

  • 本應用筆記涵蓋了計算柵極驅動光耦合器 IC 的柵極驅動器功率和熱耗散的主題。柵極驅動光耦合器用于驅動、開啟和關閉功率半導體開關、MOSFET/IGBT。柵極驅動功率計算可分為三部分；驅動器內部電路中消耗或損失的功率、發(fā)送至功率半導體開關(IGBT/MOSFET)的功率以及驅動器IC和功率半導體開關之間的外部組件處（例如外部柵極電阻器上）損失的功率。在以下示例中，我們將討論使用 Avago ACPL-332J（2.5nApeak 智能柵極驅動器）的 IGBT 柵極驅動器設計。本應用筆記涵蓋了計算柵極驅動光耦
  • 關鍵字： IGBT  MOSFET  

能實現(xiàn)更高的電流密度和系統(tǒng)可靠性的IGBT模塊

  • 隨著全球對可再生能源的日益關注以及對效率的需求，高效率，高可靠性成為功率電子產業(yè)不斷前行的關鍵。Nexperia（安世半導體）的 IGBT 產品系列優(yōu)化了開關損耗和導通損耗, 兼顧馬達驅動需求的高溫短路耐受能力，實現(xiàn)更高的電流密度和系統(tǒng)可靠性。自推出以來，絕緣柵雙極晶體管（IGBT）由于其高電壓、大電流、低損耗等優(yōu)勢特點，被廣泛應用于馬達驅動，光伏，UPS，儲能，汽車 等領域。變頻器變頻器由于“節(jié)能降耗”等優(yōu)勢，廣泛的使用在電機驅動的各個領域。讓我們先來走進變頻器，看看變頻器的典型電路?！敖弧薄弧彪娐?/li>
  • 關鍵字： Nexperia  IGBT  

SiC MOSFET 器件特性知多少？

  • 對于高壓開關電源應用，碳化硅或 SiC MOSFET 與傳統(tǒng)硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有顯著優(yōu)勢。開關超過 1,000 V的高壓電源軌以數(shù)百 kHz 運行并非易事，即使是最好的超結硅 MOSFET 也難以勝任。IGBT 很常用，但由于其存在“拖尾電流”且關斷緩慢，因此僅限用于較低的工作頻率。因此，硅 MOSFET 更適合低壓、高頻操作，而 IGBT 更適合高壓、大電流、低頻應用。SiC MOSFET 很好地兼顧了高壓、高頻和開關性能優(yōu)勢。它是電壓控制的場效應器件，能夠像 IGBT 一樣進行高壓
  • 關鍵字： SiC  MOSFET  IGBT  WBG  

充分利用IGBT的關鍵在于要知道何時、何地以及如何使用它們

  • 如今，碳化硅 (SiC)和氮化鎵 (GaN) 等寬禁帶半導體風頭正盛。但在此之前，絕緣柵雙極晶體管 (IGBT)才是電力電子行業(yè)的主角。本文將介紹IGBT在哪些應用中仍能發(fā)揮所長，然后快速探討一下這些多用途器件的未來前景。焊接機許多現(xiàn)代化焊接機使用逆變器，而非焊接變壓器，因為直流輸出電流可以提高焊接工藝的控制精度。更多優(yōu)勢還包括直流電流比交流電流更安全，并且采用逆變器的焊接機具有更高的功率密度，因此重量更輕。圖 1：焊接機框圖焊接逆變器常用的開關拓撲結構包括全橋、半橋和雙管正激，而恒定電流是最常用的控制方
  • 關鍵字： 安森美  IGBT  

英飛凌推出面向高能效電源應用的第七代分立式650V TRENCHSTOP IGBTs H7新品

  • 英飛凌科技股份公司近日推出分立式650V IGBT7 H7新品，進一步擴展其第七代TRENCHSTOP? IGBT產品陣容。全新器件配備尖端的EC7共封裝二極管，先進的發(fā)射器控制設計結合高速技術，以滿足對環(huán)保和高效電源解決方案日益增長的需求。TRENCHSTOP IGBT7 H7采用最新型微溝槽柵技術，具有出色的控制和性能，能夠大幅降低損耗，提高效率和功率密度。因此，該半導體器件適合用于各種應用，如組串式逆變器、儲能系統(tǒng)（ESS）、電動汽車充電應用以及如工業(yè)UPS和焊接等傳統(tǒng)應用。?在分立式封裝
  • 關鍵字： 英飛凌  650V  IGBT  
共694條 3/47 « 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 » ›|

絕緣柵雙極型晶體管(igbt)介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條絕緣柵雙極型晶體管(igbt)!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對絕緣柵雙極型晶體管(igbt)的理解，并與今后在此搜索絕緣柵雙極型晶體管(igbt)的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關于我們 - 廣告服務 - 企業(yè)會員服務 - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473