首頁　 資訊　 商機 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> 絕緣柵雙極型晶體管(igbt)

絕緣柵雙極型晶體管(igbt) 文章 最新資訊

吉利科技旗下晶能車規(guī)級IGBT產(chǎn)品成功流片

  • 近日，吉利科技旗下浙江晶能微電子有限公司宣布，其自主設計研發(fā)的首款車規(guī)級IGBT產(chǎn)品成功流片。新款芯片各項參數(shù)均達到設計要求。吉利科技集團消息顯示，該款IGBT芯片采用第七代微溝槽柵和場截止技術，通過優(yōu)化表面結(jié)構和FS結(jié)構，兼具短路耐受同時實現(xiàn)更低的導通/開關損耗，功率密度增大約35%，綜合性能指標達到行業(yè)領先水平。晶能與晶圓代工廠深度綁定，采用工藝共創(chuàng)方式持續(xù)提升芯片性能。據(jù)悉，晶能微電子是吉利科技集團孵化的功率半導體公司，聚焦于Si IGBT&SiC MOS的研制與創(chuàng)新，發(fā)揮“芯片設計+模塊制
  • 關鍵字： 吉利科技  晶能  車規(guī)級  IGBT  

吉利科技旗下晶能微電子自研首款車規(guī)級 IGBT 產(chǎn)品成功流片

  • IT之家 3 月 16 日消息，吉利科技旗下浙江晶能微電子近期宣布，其自主設計研發(fā)的首款車規(guī)級 IGBT 產(chǎn)品成功流片。新款芯片各項參數(shù)均達到設計要求。晶能自主研發(fā) IGBT 流片晶圓該款 IGBT 芯片采用第七代微溝槽柵和場截止技術，通過優(yōu)化表面結(jié)構和 FS 結(jié)構，兼具短路耐受同時實現(xiàn)更低的導通 / 開關損耗，功率密度增大約 35%，綜合性能指標達到行業(yè)領先水平。晶能與晶圓代工廠深度綁定，采用工藝共創(chuàng)方式持續(xù)提升芯片性能。晶能表示，一輛典型的新能源汽車芯片用量超過 1200 顆。功率半導體占比接近 1/
  • 關鍵字： 吉利  IGBT  

[向?qū)捊麕а葸M]:您能跟上寬禁帶測試要求的步伐嗎?

  • _____碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的新一代寬禁帶(WBG)材料的使用度正變得越來越高。在電氣方面，這些物質(zhì)比硅和其他典型半導體材料更接近絕緣體。這些物質(zhì)的采用旨在克服硅的局限性，而這些局限性源自其是一種窄禁帶材料，所以會引發(fā)不良的導電性泄漏，且會隨著溫度、電壓或頻率的提高而變得更加明顯。這種泄漏的邏輯極限是不可控的導電率，相當于半導體運行失效。在這兩種寬禁帶材料中，GaN主要適合中低檔功率實現(xiàn)方案，大約在1 kV和100 A以下。GaN的一個顯著增長領域是它在LED照明中的應用，而且在汽車
  • 關鍵字： MOSFET  IGBT  

基于Infineon TC233LP+AIKW40N65DF5的3.3KW OBC方案

  • 隨著全球?qū)Νh(huán)保問題的重視，在汽車領域，新能源汽車肩負著構建良好生態(tài)環(huán)境的目的和使命走在了前沿，汽車產(chǎn)業(yè)從不同技術路線探索環(huán)保之道。電動汽車是新能源汽車的主要技術路線之一，其核心部件車載充電機（OBC）經(jīng)過幾年的發(fā)展技術日益成熟。但高效可靠，易于控制，高性價比一直是各家方案商以及零部件供應商持續(xù)追求的目標。本方案是品佳集團聯(lián)合國內(nèi)高校共同設計，基于Infineon AURIX系列MCU開發(fā)的一套OBC方案。首次采用單片MCU完成原本DSP+MCU的運算任務，功率器件采用Infineon TRENCHSTOP
  • 關鍵字： Infineon  TC233LP  AIKW40N65DF5  OBC  Aurix  IGBT  

如何通過改進IGBT模塊布局來克服芯片縮小帶來的熱性能挑戰(zhàn)

  • 尺寸和功率往往看起來像是硬幣的兩面。當你縮小尺寸時--這是我們行業(yè)中不斷強調(diào)的目標之一--你不可避免地會降低功率。但情況一定是這樣嗎？如果將我們的思維從芯片轉(zhuǎn)移到模塊設計上，就不需要拋硬幣了。在IGBT模塊中，芯片面積減小導致了熱阻抗的增加，進而影響性能。但是，由于較小的芯片在基板上釋放了更多的空間，因此有可能利用這些新的可用空間來優(yōu)化模塊的布局。在這篇文章中，我們將探討如何調(diào)整模塊設計來改善熱性能。下篇將探討如何改善電氣性能。作為參考，我們將使用采用TRENCHSTOP? IGBT 7技術的新型1200
  • 關鍵字： 英飛凌  IGBT  

一文搞懂IGBT的損耗與結(jié)溫計算

  • 與大多數(shù)功率半導體相比，IGBT 通常需要更復雜的一組計算來確定芯片溫度。這是因為大多數(shù) IGBT 都采用一體式封裝，同一封裝中同時包含 IGBT 和二極管芯片。為了知道每個芯片的溫度，有必要知道每個芯片的功耗、頻率、θ 和交互作用系數(shù)。還需要知道每個器件的 θ 及其交互作用的 psi 值。本應用筆記將簡單說明如何測量功耗并計算二極管和 IGBT 芯片的溫升。損耗組成部分根據(jù)電路拓撲和工作條件，兩個芯片之間的功率損耗可能會有很大差異。IGBT 的損耗可以分解為導通損耗和開關（開通和關斷）損耗，而二極管損耗
  • 關鍵字： 安森美  IGBT  

為什么逆導型IGBT可以用于大功率CCM模式 PFC電路

  • 對于功率因數(shù)校正（PFC），通常使用升壓轉(zhuǎn)換器Boost拓撲結(jié)構。它可以最大限度地減少輸入電流的諧波。同時IGBT是大功率PFC應用的最佳選擇，如空調(diào)、加熱、通風和空調(diào)（HVAC）以及熱泵。理論上，在連續(xù)導通模式（CCM）下，通過IGBT反向續(xù)流永遠不會發(fā)生。然而，在輕負載或瞬態(tài)條件下，由于升壓電感Lboost和IGBT的輸出電容Coss之間的共振，會有反向電流流過。這個諧振電流，iQN(t)是由以下公式給出的。諧振期間IGBT兩端的電壓（VCE）可以得出：當輸入電壓Vin低于輸出電壓的一半時（Vin&l
  • 關鍵字： 英飛凌  IGBT  CCM模式  

如何手動計算IGBT的損耗

  • 現(xiàn)今隨著高端測試儀器和仿真軟件的普及，大部分的損耗計算都可以使用工具自動完成，節(jié)省了不少精力，不得不說這對工程師來說是一種解放，但是這些工具就像黑盒子，好學的小伙伴總想知道工作機理。其實基礎都是大家學過的基本高等數(shù)學知識。今天作者就幫大家打開這個黑盒子，詳細介紹一下IGBT損耗計算方法同時一起復習一下高等數(shù)學知識。我們先來看一個IGBT的完整工作波形：IGBT的損耗可以分為開關損耗和導通損耗，其中開關損耗又分為開通和關斷兩部分，下面我分別來看一下各部分的計算推導過程。開關損耗-開通部分我們先來看一下理想的
  • 關鍵字： 英飛凌  IGBT  

功率器件：新能源產(chǎn)業(yè)的“芯”臟

  • 功率半導體器件，也稱為電力電子器件，主要用于電力設備的電能變換和控制電路方面大功率的電子器件。逆變（直流轉(zhuǎn)換成交流）、整流（交流轉(zhuǎn)換成直流）、斬波（直流升降壓）、變頻（交流之間轉(zhuǎn)換）是基本的電能轉(zhuǎn)換方式。MOSFET 和 IGBT 是主流的功率分立器件。一 新能源汽車是功率器件增量需求主要來源01 下游應用領域廣泛，新能源汽車為主作為電能轉(zhuǎn)化和電路控制的核心器件，功率器件下游應用十分廣泛，包括新能源（風電、光伏、儲能和電動汽車）、消費電子、智能電網(wǎng)、軌道交通等，根據(jù)每個細分領域性能要求
  • 關鍵字： 功率器件  IGBT  MOSFET  國產(chǎn)替代  

瑞薩電子推出新型柵極驅(qū)動IC 用于驅(qū)動EV逆變器的IGBT和SiC MOSFET

  • 全球半導體解決方案供應商瑞薩電子（TSE：6723）近日宣布，推出一款全新柵極驅(qū)動IC——RAJ2930004AGM，用于驅(qū)動電動汽車（EV）逆變器的IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）和SiC（碳化硅）MOSFET等高壓功率器件。柵極驅(qū)動IC作為電動汽車逆變器的重要組成部分，在逆變器控制MCU，及向逆變器供電的IGBT和SiC MOSFET間提供接口。它們在低壓域接收來自MCU的控制信號，并將這些信號傳遞至高壓域，快速開啟和關閉功率器件。為適應電動車輛電池的更高電壓，RAJ2930004AGM內(nèi)置3.75kV
  • 關鍵字： 瑞薩  柵極驅(qū)動IC  EV逆變器  IGBT  SiC MOSFET  

IGBT模塊中不同金屬化方法覆銅氮化鋁陶瓷基板的可靠性研究

  • 針對氮化鋁陶瓷基板的IGBT應用展開分析，著重對不同金屬化方法制備的覆銅AlN基板進行可靠性進行研究。通過對比厚膜法、薄膜法、直接覆銅法和活性金屬釬焊法金屬化AlN基板的剝離強度、熱循環(huán)、功率循環(huán)，分析結(jié)果可知，活性金屬釬焊法制備的AlN覆銅基板優(yōu)于其他工藝基板，剝離強度25 MPa，（-40 ~150）℃熱循環(huán)達到1 500次，能耐1 200 A/3.3 kV功率循環(huán)測試7萬次，滿足IGBT模塊對陶瓷基板可靠性需求。
  • 關鍵字： IGBT  AlN陶瓷基板  金屬化  可靠性應用  202212  

一文讀懂功率半導體

  • 功率半導體是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心，主要用于改變電子裝置中電壓和頻率、直流交流轉(zhuǎn)換等。凡是在擁有電流電壓以及相位轉(zhuǎn)換的電路系統(tǒng)中，都會用到功率器件，MOSFET、IGBT主要作用在于將發(fā)電設備產(chǎn)生的電壓和頻率雜亂不一的“粗電”通過一系列的轉(zhuǎn)換調(diào)制變成擁有特定電能參數(shù)的“精電”、供給需求不一的用電終端，為電子電力變化裝置的核心器件之一。在分立器件發(fā)展過程中，20世紀50年代，功率二極管、功率三極管面世并應用于工業(yè)和電力系統(tǒng)。20世紀60至70年代，晶閘管等半導體功率器件快速發(fā)展。20世紀70年代
  • 關鍵字： 功率半導體  MOSFET  IGBT  

10分鐘狂充80%電量！東風碳化硅功率模塊明年量產(chǎn)裝車

  • 近日消息，從東風汽車官方獲悉，東風碳化硅功率模塊項目課題已經(jīng)順利完成，將于2023年搭載東風自主新能源乘用車，實現(xiàn)量產(chǎn)。IGBT行業(yè)的門檻非常高，除了芯片的設計和生產(chǎn)，IGBT模塊封裝測試的開發(fā)和生產(chǎn)等環(huán)節(jié)同樣有著非常高的技術要求和工藝要求，作為IGBT模塊的升級產(chǎn)品、第三代半導體，碳化硅功率模塊有著更低損耗、更高效率、更耐高溫和高電壓的特性。該模塊能推動新能源汽車電氣架構從400V到800V的迭代，從而實現(xiàn)10分鐘充電80%，并進一步提升車輛續(xù)航里程，降低整車成本。同時，總投資2.8億元的功率模塊二期項
  • 關鍵字： 東風  碳化硅  功率模塊  IGBT  

吉利也要自制IGBT功率模塊，一期年產(chǎn)60萬套

  • 吉利招標平臺發(fā)布了一則《晶能微電子一期工廠改造項目監(jiān)理工程招標公告》。該公告指向，吉利加入IGBT封裝的自制隊伍。從開發(fā)走向制造晶能微電子一期工廠改造項目租賃樂坤產(chǎn)業(yè)園 A-3 的314單元約 5000 平萬米，建設年產(chǎn)60萬套IGBT 功率模塊的一期工廠，主要包括 3000 平方米的萬級潔凈室及實驗室，1000平方米的動力站，1000 平方米的倉庫及辦公區(qū)。本項目位于杭州市余杭區(qū)錢江經(jīng)濟開發(fā)區(qū)，杭州錢江經(jīng)濟開發(fā)區(qū)于2006年3月6日經(jīng)浙江省人民政府批準設立，是余杭區(qū)五大“產(chǎn)業(yè)平臺”之一，是連接杭州城東智
  • 關鍵字： IGBT  功率模塊  吉利  

半導體周期調(diào)整IGBT走強，頭部公司訂單飽滿紛紛擴產(chǎn)

  • 半導體周期雖然出現(xiàn)階段性調(diào)整，但受益于新能源汽車、新能源發(fā)電等需求推動，以IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）為代表的功率器件強勢增長，相關IGBT公司訂單量飽滿，產(chǎn)能供不應求。車規(guī)級IGBT持續(xù)放量作為IGBT龍頭，斯達半導今年前三季度實現(xiàn)凈利潤達到5.9億元，同比增長1.21倍，增速超過營業(yè)收入，銷售毛利率達到41.07%，環(huán)比提升。在12月5日斯達半導三季度業(yè)績說明會上，公司高管介紹，近幾個季度營收增長主要驅(qū)動力來自公司產(chǎn)品在新能源汽車、光伏、儲能、風電等行業(yè)持續(xù)快速放量，市場份額不斷提高；隨著規(guī)模化效應
  • 關鍵字： 半導體  IGBT  
共694條 6/47 |‹ « 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 » ›|

絕緣柵雙極型晶體管(igbt)介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條絕緣柵雙極型晶體管(igbt)!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對絕緣柵雙極型晶體管(igbt)的理解，并與今后在此搜索絕緣柵雙極型晶體管(igbt)的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關于我們 - 廣告服務 - 企業(yè)會員服務 - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473