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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅(sic)mosfet

碳化硅(sic)mosfet 文章 最新資訊

選型必看！MOSFET四大非理想?yún)?shù)詳解

  • 幾乎所有的書籍資料，在講解MOSFET的時候，都喜歡先從微觀結構去分析MOSFET基于半導體特性的各種結構，然后闡述這些結構導致其參數(shù)的成因。但是這種方式對于物理基礎較弱的應用型硬件工程師是非常不友好的，導致大家看了大量的表述沒有理解，沒有汲取到營養(yǎng)。各種三維、二維的圖形，各式各樣，也不統(tǒng)一。本章節(jié)，我們從應用的角度，來看我們選擇一個開關的器件，當選擇了一個MOSFET之后，他并不是一個完全理想的開關器件。通過其不理想的地方，理解他的一些關鍵參數(shù)。后續(xù)的內容，我們再通過微觀結構去理解一下導致這些參數(shù)的原因
  • 關鍵字： 選型指南  MOSFET  無源器件  

基本半導體子公司注冊資本增至2.1億元

  • 7月9日，深圳基本半導體股份有限公司子公司——基本封裝測試（深圳）有限公司完成工商變更登記，公司注冊資本從1000萬元大幅增至2.1億元人民幣，由母公司基本半導體和深圳市投控基石新能源汽車產(chǎn)業(yè)私募股權投資基金合伙企業(yè)（有限合伙）共同注資。此舉標志著基本半導體在車規(guī)級碳化硅領域的戰(zhàn)略布局又邁出重要一步，為后續(xù)研發(fā)創(chuàng)新和產(chǎn)能擴充奠定堅實基礎。戰(zhàn)略資本加持 助力新能源汽車產(chǎn)業(yè)發(fā)展本次增資得到了深圳市投控基石新能源汽車產(chǎn)業(yè)基金的戰(zhàn)略支持，是對基本半導體在新能源汽車功率器件領域技術積累和市場優(yōu)勢的充分認可。該基金是
  • 關鍵字： 基本半導體  碳化硅  車規(guī)級  

基于onsemi NCP51752隔離式SiC MOSFET閘極驅動器評估板

  • NCP51752是隔離單通道柵極驅動器系列,源極和吸收峰電流分別為+4.5 A/-9A。 它們設計用于快速切換以驅動功率MOSFET和SiC MOSFET功率開關。 NCP51752提供短而匹配的傳播延遲。為了提高可靠性、dV/dt免疫力，甚至更快地關閉，NCP51752具有嵌入式負偏置軌機制在GND2和VEE引腳之間。 本用戶指南支持NCP51752的評估板。 它應該與NCP51752數(shù)據(jù)表以及onsemi的應用說明和技術支持團隊一起使用。 本文檔描述了孤立單體的擬
  • 關鍵字： onsemi  NCP51752  隔離式  SiC  MOSFET  閘極驅動器  評估板  

650V GaN器件在高功率應用中對SiC構成挑戰(zhàn)

  • 瑞薩電子宣布推出其 Gen 4+ Super GaN 平臺，該平臺具有適用于高功率應用的 650 V、30 毫歐姆氮化鎵器件。此次發(fā)布代表了該公司在收購 Transphorm 并與其控制器和驅動器 IC 產(chǎn)品線集成后對 GaN 技術的持續(xù)投資。與之前的 35 毫歐姆器件相比，Gen 4+ 平臺的 RDS（on） 和芯片尺寸減小了 14%，直接降低了成本。開關品質因數(shù)提高了 50%，而輸出品質因數(shù)提高了 20% 以上。在比較測試中，瑞薩電子在 4 kW 電源應用中的損耗比領先的碳化硅 MOSFET 和 JF
  • 關鍵字： 650V  GaN  器件  高功率應用  SiC  

Wolfspeed 1700 V MOSFET技術，助力重塑輔助電源系統(tǒng)的耐用性和成本

  • 在幾乎所有電機驅動、電動汽車、快速充電器和可再生能源系統(tǒng)中，都會配備低功耗輔助電源。雖然相比于主要的功率級，此類電源通常受到的關注較少，但它們仍是幫助系統(tǒng)高效運行的關鍵組成部分。提高系統(tǒng)可靠性、減小系統(tǒng)尺寸以及縮減系統(tǒng)成本，同時最大限度地降低風險并支持多源采購——設計人員不斷面臨這些經(jīng)常相互矛盾的挑戰(zhàn)。Wolfspeed 推出的工業(yè)級 C3M0900170x 和獲得車規(guī)級認證 (AEC-Q101) 的 E3M0900170x 碳化硅 MOSFET 產(chǎn)品系列，可在 20 至 200 W 范圍內增強輔助電源的
  • 關鍵字： Wolfspeed  MOSFET  輔助電源系統(tǒng)  

香港首座8英寸SiC晶圓廠獲得批準

  • 6月25日，香港特區(qū)政府創(chuàng)新科技局轄下創(chuàng)新科技署宣布，Jizcube Semiconductor （Hong Kong） Limited提交的「新工業(yè)加速計劃」申請已獲得評審委員會批準。獲批項目涉及在香港興建寬禁帶半導體碳化硅 （SiC） 晶圓制造設施。項目總預算超過 7 億港元，將獲得 2 億港元的「新產(chǎn)業(yè)加速計劃」資助。這筆資金預計將大大提升香港的先進半導體制造能力，并加速其在寬禁帶半導體領域的發(fā)展。Jizcube 于 2023 年 10 月在香港注冊成立，并于 2024 年 6 月正式開始運營，同時
  • 關鍵字： 香港  8英寸  SiC  晶圓廠  

基于SiC的熔絲保護高壓電氣系統(tǒng)

  • 在減少排放和實現(xiàn)凈零目標的前進道路上，碳化硅技術將在可持續(xù)發(fā)展應用中發(fā)揮關鍵作用。這些應用可以通過在系統(tǒng)中添加電力電子器件（例如電機驅動器）或增強現(xiàn)有系統(tǒng)中的電力電子器件以達到更高的電壓并提高效率。隨著越來越多的應用集成電氣系統(tǒng)，對電路保護的需求至關重要。維修或更換組件的成本可能很高，因此設計人員正在實施更強大的電路保護方法。僅限于保護線路的電路中斷裝置對于敏感的電子負載已不再足夠。電子電路中斷解決方案（例如電子熔絲）可以保護線路并限制傳輸?shù)焦收县撦d的短路允通電流和能量，從而可以防止負載自身損壞。傳統(tǒng)電路
  • 關鍵字： SiC  熔絲保護  

一文讀懂SiC Combo JFET技術

  • 安森美具有卓越 RDS（on）*A 性能的 SiC JFET，特別適用于需要大電流處理能力和較低開關速度的應用，如固態(tài)斷路器和大電流開關系統(tǒng)。得益于碳化硅（SiC）優(yōu)異的材料特性和 JFET 的高效結構，可實現(xiàn)更低的導通電阻和更佳的熱性能，非常適合需要多個器件并聯(lián)以高效管理大電流負載的應用場景。SiC Combo JFET 技術概覽對于需要常關器件的應用，可以將低壓硅（Si） MOSFET與常開碳化硅（SiC） JFET串聯(lián)使用，以創(chuàng)建共源共柵（cascode）結構。在這種設置中，SiC JFET負責處理
  • 關鍵字： 安森美  SiC  Combo  JFET  

SiC Combo JFET技術概覽與特性

  • 安森美具有卓越 RDS（on）*A 性能的 SiC JFET，特別適用于需要大電流處理能力和較低開關速度的應用，如固態(tài)斷路器和大電流開關系統(tǒng)。得益于碳化硅（SiC）優(yōu)異的材料特性和 JFET 的高效結構，可實現(xiàn)更低的導通電阻和更佳的熱性能，非常適合需要多個器件并聯(lián)以高效管理大電流負載的應用場景。SiC Combo JFET技術概覽對于需要常關器件的應用，可以將低壓硅（Si） MOSFET與常開碳化硅（SiC） JFET串聯(lián)使用，以創(chuàng)建共源共柵（cascode）結構。在這種設置中，SiC JFET負責處理高
  • 關鍵字： SiC Combo JFET  安森美  

CoolSiC? MOSFET G2如何正確選型

  • 之前兩篇文章我們分別介紹了CoolSiC? MOSFET G2的產(chǎn)品特點及導通特性 （參考閱讀： CoolSiC? MOSFET Gen2性能綜述 ， CoolSiC? MOSFET G2導通特性解析 ） ，今天我們分析一下在軟開關和硬開關兩種場景下，如何進行CoolSiC? MOSFET G2的選型。G2在硬開關拓撲中的應用除了R DS(on) ，開關損耗在SiC MOSFET的選型中也扮演著非常重要的角色。因為SiC往往工
  • 關鍵字： 英飛凌  MOSFET  

基本半導體完成1.5億元D輪融資，加速碳化硅領域布局

  • 近日，深圳基本半導體股份有限公司（簡稱“基本半導體”）宣布完成D輪融資，融資金額達1.5億元人民幣。本輪融資由中山火炬開發(fā)區(qū)科創(chuàng)產(chǎn)業(yè)母基金與中山金控聯(lián)合投資，資金將主要用于碳化硅功率器件的技術研發(fā)、產(chǎn)能擴張以及市場拓展?；景雽w成立于2016年，是一家專注于碳化硅功率器件研發(fā)與制造的高新技術企業(yè)。其核心產(chǎn)品包括1200V/20A JBS碳化硅二極管、1200V平面柵碳化硅器件以及10kV/2A SiC PiN二極管等。這些產(chǎn)品以低損耗、高頻率等優(yōu)勢，廣泛應用于電動汽車、軌道交通、光伏逆變器和航空航天等領
  • 關鍵字： 基本半導體  碳化硅  

羅姆的SiC MOSFET應用于豐田全新純電車型“bZ5”

  • 全球知名半導體制造商羅姆（總部位于日本京都市）今日宣布，搭載了羅姆第4代SiC MOSFET裸芯片的功率模塊，已應用于豐田汽車公司（TOYOTA MOTOR CORPORATION.，以下簡稱“豐田”）面向中國市場的全新跨界純電動汽車（BEV)“bZ5”的牽引逆變器中?！癰Z5”作為豐田與比亞迪豐田電動車科技有限公司（以下簡稱“BTET”）、一汽豐田汽車有限公司（以下簡稱“一汽豐田”）聯(lián)合開發(fā)的跨界純電動汽車，由一汽豐田于2025年6月正式發(fā)售。此次采用的功率模塊由羅姆與正海集團的合資企業(yè)——上海海姆?？?/li>
  • 關鍵字： 羅姆  SiC MOSFET  豐田  純電車型  

從單管到并聯(lián)：SiC MOSFET功率擴展實戰(zhàn)指南

  • 在10kW-50kW中高功率應用領域，SiC MOSFET分立器件與功率模塊呈現(xiàn)并存趨勢。分立方案憑借更高設計自由度和靈活并聯(lián)擴容能力突圍——當單管功率不足時，只需并聯(lián)一顆MOSFET即可實現(xiàn)功率躍升，為工業(yè)電源、新能源系統(tǒng)提供模塊之外的革新選擇。然而，功率并非是選用并聯(lián)MOSFET的唯一原因。正如本文所提到的，并聯(lián)還可以降低開關能耗，改善導熱性能?？紤]到熱效應對導通損耗的影響，并聯(lián)功率開關管是降低損耗、改善散熱性能和提高輸出功率的有效辦法。然而，并非所有器件都適合并聯(lián)， 因為參數(shù)差異會影響均流特性。本文
  • 關鍵字： 意法半導體  SiC  MOSFET  

SiC過剩預警：新能源汽車能否消化瘋狂擴產(chǎn)？

  • 就在去年，「搶占 SiC，誰是電動汽車市場的贏家？」「第三代半導體，來勢洶洶」「碳化硅:滲透新能源車半壁江山 第三代半導體百億級市場拉開帷幕」……這樣的形容是 SiC 的專屬標簽，市場利好，一片光明。好景沒有一直延續(xù)下去?！赶⒎Q 2025 年中國 SiC 芯片價格將下降高達 30%」「SiC 價格跳水, 開啟下半場戰(zhàn)役」……新能源車爆火，那 SiC 怎么了？核心矛盾：需求增長 VS 產(chǎn)能狂飆根據(jù)預測 2025 年全球 SiC 襯底產(chǎn)能預計達 400 萬片，需求預測僅 250 萬片。從需求側來看
  • 關鍵字： SiC  

據(jù)報道，Wolfspeed 將被 Apollo 領導的債權人接管，同時競爭對手將迎來機遇

  • 據(jù)路透社援引彭博社報道，在關于即將破產(chǎn)的傳聞出現(xiàn)近一個月后，Wolfspeed 現(xiàn)在正面臨一次重大動蕩。由 Apollo 全球管理公司領導的債權人正準備根據(jù)破產(chǎn)計劃接管公司。報道稱，這家陷入困境的碳化硅巨頭預計將在幾天內公布一項預包裝破產(chǎn)計劃——旨在迅速削減數(shù)十億美元的債務。在鎖定重組協(xié)議后，Wolfspeed 將要求債權人就計劃進行投票，然后正式申請第 11 章保護，報道補充道。由意法半導體領導的對頭將受益根據(jù) TrendForce 的觀察，由于破產(chǎn)程序的不確定性，Wolfspeed 的 Si
  • 關鍵字： 碳化硅  意法半導體  功率器件  
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碳化硅(sic)mosfet介紹

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