半導體DRAM大廠華邦電子，正式宣布將在路竹的南科高雄園區(qū)，設立12寸晶圓廠，總投資金額高達新臺幣3350億元，比鴻海美國投資案新臺幣3050億元還大。
高雄市長陳菊、臺灣地區(qū)科技部長陳良基、華邦電董事長焦佑鈞，于25日下午4點在臺灣高市府，正式宣布啟動此一投資案。
科技部強調，這是繼臺積電新臺幣5000億元的5納米、3納米制程后，最大的半導體廠投資案，尤其近期鴻海集團宣布在美國威斯康辛州投資100億美元(約3000億元臺幣)，為臺灣產業(yè)投下震撼彈，華邦電于大廠出走傳聞甚囂塵上時，做出規(guī)模
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華邦電子 晶圓
半導體DRAM大廠華邦電子，正式宣布將在路竹的南科高雄園區(qū)，設立12寸晶圓廠，總投資金額高達新臺幣3350億元，比鴻海美國投資案新臺幣3050億元還大。
高雄市長陳菊、臺灣地區(qū)科技部長陳良基、華邦電董事長焦佑鈞，于25日下午4點在臺灣高市府，正式宣布啟動此一投資案。
科技部強調，這是繼臺積電新臺幣5000億元的5納米、3納米制程后，最大的半導體廠投資案，尤其近期鴻海集團宣布在美國威斯康辛州投資100億美元(約3000億元臺幣)，為臺灣產業(yè)投下震撼彈，華邦電于大廠出走傳聞甚囂塵上時，做出規(guī)模
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華邦電 晶圓
半導體大廠格羅方德半導體(GLOBALFOUNDRIES，GF)表示，其14nmHighPerformance(HP)技術現(xiàn)已進入量產，此技術將運用于IBM新一代服務器系統(tǒng)的處理器。在大數(shù)據(jù)和認知運算時代，這項由雙方共同研發(fā)的14HP制程，將協(xié)助IBM為其支援的云端、商務及企業(yè)級解決方案提供高效能及資料處理能力等兩大優(yōu)勢。14HP是業(yè)界唯一在絕緣層上硅(SOI)基板整合3DFinFET電晶體架構的技術。此技術擁有17層的金屬堆疊，每片芯片具有超過80億個電晶體，并運用內嵌式DRAM和其他創(chuàng)新功能，提供
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格羅方德 晶圓
全球半導體產業(yè)自從臺積電(TSMC)成立后，開始出現(xiàn)垂直分工的商業(yè)模式，這種垂直分工模式(包括IC設計、或者制造、或者封裝測試)快速成為一種產業(yè)趨勢，中國臺灣及大陸的垂直分工集成電路企業(yè)如雨后春筍般涌現(xiàn)，而此前的IDM模式的集成電路企業(yè)卻越來越少。那么，在半導體產業(yè)中這兩種模式整體來看孰強孰弱?中國半導體廠商又如何發(fā)展好IDM模式?
國內唯一IDM廠商，中等尺寸產能排名全球第五位
隨著半導體制造工藝的進步和晶圓尺寸的增大，單位面積上能夠容納的IC 數(shù)量劇增，成品率顯著提高，技術挑戰(zhàn)也越來越
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士蘭微 晶圓
SEMI(國際半導體產業(yè)協(xié)會)發(fā)布最新“全球晶圓廠預測報告”(World Fab Forecast)，指出全球晶圓廠設備支出再次刷新紀錄。報告顯示，在所有SEMI追蹤的296座前端晶圓廠房與生產線當中，有30座晶圓設備支出超過5億美元。2017年晶圓設備支出(含全新與整新)預計將成長37%，創(chuàng)下550億美元的最新年度支出紀錄。SEMI同時也預測2018年晶圓設備支出成長率將再度攀升5%，同時也將再次寫下580億美元的新紀錄。SEMI臺灣區(qū)總裁曹世綸表示，先前最高的支出紀錄是20
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SEMI 晶圓
近日路透社報道稱，晶圓代工廠格芯(原格羅方德GlobalFoundries)指控晶圓代工龍頭臺積電涉有不公平的競爭行為，并向歐盟執(zhí)委會的反壟斷機關要求調查一事。
報道指出，格芯對臺積電的指控包括以忠誠折扣、排他性條款或罰款等方式威脅客戶，這嚴重影響到包括格芯在內的其他行業(yè)參與者的競爭力，格芯要求歐盟官方應注意到少數(shù)幾家業(yè)內參與者獨霸半導體產業(yè)的現(xiàn)象。
針對上述消息，格芯發(fā)言人向第一財經記者表示，“格芯并未主動向歐盟提起投訴，而是在全面配合歐盟的反壟斷調查。”
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晶圓 工藝
據(jù)IC Insights最新數(shù)據(jù)預估，整體來說，2017年純晶圓代工市場的營收規(guī)模將成長7%，但成長動能幾乎全部來自40奈米以下先進制程。 2017年40奈米以下先進制程的營收料將達到215億美元，比2016年成長18%;40奈米以上(含)成熟制程的市場只會成長不到1%，達323億美元。
雖然40奈米以上成熟制程對晶圓代工業(yè)者營收的貢獻度達到6成，但對絕大多數(shù)晶圓代工業(yè)者而言，40奈米以上成熟制程的利潤空間已經相當有限。 40奈米以下先進制程才是晶圓代工業(yè)者的金雞母。
以個別廠商來看，臺積
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制程 晶圓
2017年初SK集團(SK Group)購并樂金集團(LG Group)的硅晶圓子公司樂金Siltron(LG Siltron)，將其更名為SK Siltron。目前硅晶圓市場氣氛普遍停留在12吋晶圓，業(yè)界關注成為SK集團子公司的SK Siltron對18吋晶圓發(fā)展速度是否會有所改變。
據(jù)韓媒the bell報導，樂金Siltron在2013年建立18吋晶圓測試產線，開始從事相關研發(fā)，但之后曾因半導體市場不景氣，研發(fā)被迫中斷。盡管業(yè)界普遍認為，短期內12吋晶圓時代仍將延續(xù)，但仍有業(yè)者預測SK S
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SK 晶圓
英特爾在工藝制程領域的造詣可謂登峰造極。2003年,英特爾推出應變硅90nm芯片,當時屬于首家,領先業(yè)界三年;2007年,英特爾生產出高K金屬柵極的芯片,三年后業(yè)內其它公司才推出類似產品;英特爾的32nm工藝具有“自校準通道”的技術專長,能夠加強連接點的能力,互聯(lián)功能對于縮小晶片面積提升密度極其重要的,同樣領先業(yè)界三年。再到22nm技術,英特爾在2011年成為第一家推出了FinFET工藝的廠商,三年后市場上才出現(xiàn)類似產品。英特爾高級院士、技術與制造事業(yè)部制程架構與集成總監(jiān)Mar
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英特爾 晶圓
備受電子信息行業(yè)關注的格羅方德12英寸晶圓成都制造基地項目又有新進展。9月20日，記者從成都高新區(qū)獲悉，位于成都高新區(qū)西部園區(qū)的格羅方德Fab11晶圓代工廠項目近日舉行芯片廠房鋼桁架吊裝儀式，芯片廠房將在10月底前封頂。
今年2月，全球第二大晶圓代工廠格羅方德半導體股份有限公司在成都高新區(qū)啟動累計投資超過100億美元的12英寸晶圓制造基地項目(即代號為“Fab11”的格羅方德晶圓代工廠)，并發(fā)布公司在中國市場的全新中文名稱“格芯”。5月，格羅方德又
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格羅方德 晶圓
2017年9月19日，Intel在中國舉辦“精尖制造日”發(fā)布會，在全球首次展示了Arm的10納米測試芯片晶圓。一年前，Intel晶圓代工部門宣布與Arm達成合作，基于Intel 10nm制程工藝開發(fā)Arm芯片及應用。
如今，Intel將這一成果在中國展示，這里有全球25%的無晶園芯片企業(yè)，是Intel開放代工業(yè)務之后的重要增長空間。
晶圓制造幾乎是全球資金最密集、技術最尖端的領域。除了Intel、三星等少數(shù)芯片公司可以自建晶圓廠之外，包括芯片巨頭高通在內的諸多芯片公
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晶圓
在 9 月 19 日于北京舉行的英特爾精尖制造日上，英特爾在其展示區(qū)域和主題演講上展示了五款晶圓?！ ∵@是英特爾首次公開展示這五款晶圓，彰顯了我們在制造領域取得的巨大進步。 五款全球首次展出晶圓 英特爾 10 納米Cannonlake 英特爾 10 納米 Arm 測試芯片 英特爾 22FFL 14 納米展訊 SC9861G-IA 14 納米展訊&nbs
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英特爾 晶圓
Brewer Science, Inc. 很榮幸宣布參加 2017 年的 SEMICON Taiwan。公司將與業(yè)界同仁交流臺灣半導體制造趨勢的見解，內容涵蓋前端和后端的材料，以及次世代制造的流程步驟。 今日的消費性電子產品、網(wǎng)絡、高效能運算 (HPC) 和汽車應用皆依賴封裝為小型尺寸的半導體裝置，其提供更多效能與功能，同時產熱更少且操作時更省電。透過摩爾定律推動前端流程開發(fā)，領先的代工和整合組件制造商(IDM
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晶圓 EUV
據(jù)國外媒體報道，英國威爾士海港城市加地夫(Cardiff)的硅晶圓公司IQE對于英國科技投資者來說，可能成為下一個重視目標。正在努力尋找隱藏的蘋果供應商的投資者正在將賭注押在該公司身上，這推動這家硅晶圓公司股價在今年的漲幅超過300%。
IQE今年以來在英國富時AIM 100指數(shù)(FTSE AIM 100 Index)中，是表現(xiàn)第二好的成份股，并且是費城半導體指數(shù)(Philadelphia Semiconductor Index)中表現(xiàn)最好的一支股。費城半導體指數(shù)成份股包括英偉達(Nvidia
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蘋果 晶圓
伴隨著掌門人入獄，三星電子(Samsung Electronics)又再次面臨噩耗。據(jù)媒體披露，三星積極慰留梁孟松未果，梁孟松請長假后并未銷假回三星上班，從2017年8月中起正式離開三星集團，結束2009年離開臺積電到韓國三星集團任職的8年歲月。
梁孟松1981年加入臺積電2009年離開，后赴與三星關系密切的成均館大學任職，2011年正式加盟三星。在臺積電期間，梁孟松曾經是的重要技術人才，其負責了臺積電從130nm直至16nm FinFET工藝的歷代先進工藝的開發(fā)，是臺積電高管當中發(fā)明專利最多的
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中芯國際 晶圓
晶圓 介紹
晶圓 晶圓是指硅半導體積體電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結構，而成為有特定電性功能之IC產品。晶圓的原始材料是硅，而地殼表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅礦石經由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高達99.999999999%。晶圓制造廠再將此多晶硅融解，再于融液里種入籽晶，然后將其慢慢拉出，以形成圓柱狀的單晶硅 [
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