存儲器文章最新資訊

觀存儲器產業(yè)：DRAM報價仍有上漲空間 NAND持續(xù)穩(wěn)定成長

　　去年我們曾經對存儲器產業(yè)進行分析，認為存儲器產業(yè)在2016～2017年是恢復秩序且有機會成長的產業(yè)，時至今日，雖然存儲器大廠持續(xù)邁向新制程發(fā)展，但由于市場寡占，主要大廠對于新產能擴充仍相當自律，加上電子化產品對于存儲器的需求持續(xù)提升，因此在這1年間，存儲器變成了洛陽紙貴的零組件。　　尤其到了第3季旺季，存儲器需求更是熱絡，報價持續(xù)走揚，預期2017年對于存儲器產業(yè)來說將是豐收的1年，受惠智能手機存儲器容量升級，服務器/數(shù)據(jù)中心的強勁需求，2018年存儲器需求亦可望持續(xù)成長。　　從需求部分來看，
關鍵字：存儲器 DRAM

東芝存儲器重啟NAND投資　聯(lián)合對抗三星

　　隨東芝存儲器(TMC)股權出售案定案，全球NAND快閃存儲器市場形成三強鼎立態(tài)勢：三星電子(Samsung Electronics)，東芝存儲器、西部數(shù)據(jù)(WD)、與SK海力士(SK Hynix)團隊，以及英特爾(Intel)與美光(Micron Technology)聯(lián)盟?，F(xiàn)在東芝要重新挑戰(zhàn)三星，但與西部數(shù)據(jù)的官司成為最主要的問題。　　東芝存儲器社長成毛康雄，在2017年10月13日參加日本四日市的事業(yè)說明會中，指出2017年內已對四日市工廠進行3,150億日圓(約28.1億美元)的設備投資，為
關鍵字：東芝存儲器

Gartner：2017全球半導體產值預計大漲19.7％

　　研調機構Gartner預估，今年全球半導體產值可望達4111億美元，將較去年成長19.7%，是7年來成長最強勁的一年。　　Gartner指出，存儲器供不應求，尤其是動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)，是驅動今年整體半導體業(yè)產值成長的主要動力。隨著存儲器成本增加，材料清單成本高于電子設備部分，Gartner表示，已有代工廠調高價格因應。　　展望未來，Gartner預期，明年全球半導體產值可望進一步攀高至4274億美元，將較今年再成長4%;只是隨著供應商增產，存儲器市場恐將反轉，2019年全球半導體產
關鍵字：存儲器 DRAM

51單片機存儲器內存的講解

51單片機存儲器內存的講解-51單片機當中的存儲器從功能性上來劃分可以分為程序存儲器與數(shù)據(jù)存儲器。一般來說單片機存儲器的存儲空間是能夠進行存儲空間拓展的，但是如何進行拓展則需要根據(jù)不同的存儲器類型進行選擇，本文就將為大家針對這個問題進行講解。
關鍵字： 51單片機存儲器

FPGA芯片配置方式及常見配置方法

FPGA芯片配置方式及常見配置方法-廣義的來說，F(xiàn)PGA的配置包括直接使用下載電纜對FPGA器件進行編程、對外部EEPROM和FLASH進行編程、使用MPU對FPGA器件進行編程、外部EEPROM和FLASH對器件進行編程等。
關鍵字：存儲器 MPU FPGA芯片

高級微控制器總線結構完美解析

高級微控制器總線結構完美解析-AHB總線用于高性能，高時鐘工作頻率模塊。AHB在AMBA架構中為系統(tǒng)的高性能運行起到了基石作用。AHB為高性能處理器，片上內存，片外內存提供接口，同時橋接慢速外設。高性能，數(shù)據(jù)傳輸，多總線主控制器，突發(fā)連續(xù)傳輸，分步傳輸。
關鍵字：微控制器嵌入式存儲器

東芝存儲器契約重點　滿足3條件方出售

　　日本經濟新聞(Nikkei)網站報導，東芝存儲器(TMC)出售案的重要部分為外界所知，必須滿足3個條件才能出售：1，通過10個主要國家地區(qū)的反壟斷法審查;2，與西部數(shù)據(jù)(WD)的仲裁案及官司中，沒有禁止出售命令;3，日本政府認為交易不影響國家安全。　　在反壟斷法審查方面，需通過審查的國家有：巴西、大陸、歐盟、日本、韓國、墨西哥、菲律賓、臺灣、土耳其、美國。目前重點在通常耗時超過6個月的大陸審查，因參與此案的SK海力士(SK Hynix)與東芝是同業(yè)，故契約設定10年內SK海力士取得東芝存儲器普通股
關鍵字：東芝存儲器

國家存儲器基地一號廠房提前封頂 2018年將投入使用

　　總投資240億美元的國家存儲器基地項目(一期)的一號生產及動力廠房9月28日實現(xiàn)提前封頂，預計2018年投入使用。全面建成后，該項目年產值將超過100億美元。　　國家存儲器基地項目位于武漢東湖高新區(qū)武漢未來科技城，一期工程于2016年12月30日正式開工建設，規(guī)劃3座全球單座潔凈面積最大的廠房、一座總部研發(fā)大樓和其他若干配套建筑，其核心生產廠房和設備每平方米的投資強度超過3萬美元。　　國家存儲器基地項目是新中國成立以來湖北省單體投資最大的高科技產業(yè)項目，項目一期達產后，預計可實現(xiàn)月產能30萬片
關鍵字：存儲器晶圓

分析師：三星存儲器業(yè)務創(chuàng)紀錄，有望推高Q3利潤

　　據(jù)路透社北京時間10月10日消息，分析師預計，三星存儲芯片業(yè)務利潤將在第三季度創(chuàng)下紀錄，這一數(shù)據(jù)意味著三星電子的利潤再創(chuàng)新高。受此消息提振，三星股價周二在韓國股市開盤后大漲4.5%。　　據(jù)分析師預計，三星電子第三季度利潤為14.3萬億韓元(約合126億美元)，再次創(chuàng)下新高。今年第二季度三星電子的單個季度的凈利潤首次超過蘋果公司。公告顯示，三星電子2017年4-6月營業(yè)利潤達到創(chuàng)紀錄的14.07萬億韓元(約126.44億美元)，同比增長72.9%;凈利潤11.05萬億韓元，刷新歷史紀錄。　　外媒
關鍵字：三星存儲器

紫光存儲器基地一號廠房提前封頂：2018年投入使用

　　這段時間內存、固態(tài)硬盤、顯卡價格的波動讓眾多用戶傷心不已，就其根源還是核心芯片掌握在極少數(shù)廠家手中，供貨多少都是人家說了算，所以咱們也必須有話語權。　　據(jù)報道，世界級的國家存儲器基地項目(一期)一號生產及動力廠房今天在武漢提前封頂，建筑總面積52.4萬平方米。　　作為國家集成電路產業(yè)的重大戰(zhàn)略部署，國家存儲器基地是新中國成立以來，湖北最大的單體投資項目，將為我國打破主流存儲器領域國際壟斷提供硬支撐。　　　　基地由紫光集團聯(lián)合國家集成電路產業(yè)投資基金、湖北省集成電路產
關鍵字：紫光存儲器

國家存儲器基地一期提前封頂年產值可達100億美元

　　9月28日消息，由紫光集團聯(lián)合國家集成電路產業(yè)投資基金、湖北省集成電路產業(yè)投資基金、湖北科投共同投資建設的國家存儲器基地項目(一期)一號生產及動力廠房，實現(xiàn)提前封頂。　　趙偉國表示，存儲器基地項目是中國集成電路存儲芯片產業(yè)規(guī)?；l(fā)展“零”的突破，相當于中國科技領域的遼寧號航空母艦出海試航。該項目實現(xiàn)提前封頂，這是為不辱使命、堅定不移推進國家戰(zhàn)略所必須要做到的?？陀^地說，我們在核心技術和產品結構上仍然與世界一流水平存在差距，實現(xiàn)追趕超越的目標絕非一朝一夕，需要堅定的戰(zhàn)略定力和
關鍵字：存儲器

超低功耗CBRAM存儲器技術　或能加速IoT應用發(fā)展

　　屬于非揮發(fā)性存儲器的快閃存儲器(flash memory)過去在智能手機、平板電腦等市場需求的帶動下，快閃存儲器產業(yè)快速成長，然隨著快閃存儲器技術逐漸瀕臨尺寸與性能極限，各式新存儲器技術陸續(xù)浮上臺面，導電橋式隨機存取存儲器(conductive- bridging RAM;CBRAM)就是相當被看好的接班技術之一。　　The Daily Reckoning網站報導，過去幾10年來，半導體技術的重大進展多是來自于微縮，然隨著每次的微縮，快閃存儲器都會變得更不可靠，且這種以電荷儲存為基礎的存儲器技術也
關鍵字： CBRAM 存儲器

DDR5可望成為下一代主流存儲器接口？

老的DDR4能不能降個價，現(xiàn)在實在買不起。
關鍵字： DDR5 存儲器

將DRAM技術根留臺灣的聯(lián)電為何硬被扣上竊密罪

員工有無竊取機密資料可以查證，企業(yè)有無教唆員工偷竊，也可以透過證據(jù)來佐證，但如何定義一家企業(yè)“積極”與“未積極”防范∕規(guī)范員工的行為，這十分兩難。
關鍵字： DRAM 存儲器

收購東芝存儲器的貝恩財團有哪些成員？

　　東芝出售內存事業(yè)股權花落美國私募股權基金貝恩資本陣營，群聯(lián)董事長潘健成21日表示，該公司也會參與這次股權投資。群聯(lián)雖然所占股權比率不多，但雙方親上加親，代表臺廠在這項全球矚目的內存事業(yè)投資，仍占有一席之地。　　群聯(lián)是NAND Flash控制芯片暨模塊廠，東芝原本即是其最大單一股東，持股比重近10%，雙方共生共榮，被視為是魚幫水、水幫魚的伙伴關系。　　當市場缺貨時，東芝給予群聯(lián)最大程度貨源奧援，當市況較為低緩時，群聯(lián)也支持東芝，在淡季時先吃下大量貨源，供后續(xù)旺季使用。　　業(yè)界認為，在東芝本身
關鍵字：東芝存儲器

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存儲器介紹

什么是存儲器存儲器（Memory）是計算機系統(tǒng)中的記憶設備，用來存放程序和數(shù)據(jù)。計算機中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計算機程序、中間運行結果和最終運行結果都保存在存儲器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。存儲器的構成構成存儲器的存儲介質，目前主要采用半導體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩(wěn)態(tài)半導體電路或一個CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細 ]