存儲(chǔ)器文章最新資訊

存儲(chǔ)器大廠美光在臺(tái)投資千億

　　全球DRAM大廠美光預(yù)計(jì)在臺(tái)投資新臺(tái)幣1,300億元，絕大部分DRAM基地都在臺(tái)灣地區(qū)，成為生產(chǎn)重鎮(zhèn)，未來也將持續(xù)在臺(tái)擴(kuò)充產(chǎn)能。美光鎖定中科進(jìn)行新的3D封測(cè)制程，預(yù)估2-3年可量產(chǎn)，要打造成為亞太區(qū)營運(yùn)中心。　　臺(tái)灣也就美光擴(kuò)大投資所需土地、廠房、資金等提供協(xié)助，未來規(guī)劃中科擴(kuò)廠計(jì)劃，將可增加2,000個(gè)以上就業(yè)機(jī)會(huì)，將臺(tái)灣塑造為高效完整的DRAM全球生產(chǎn)基地。　　據(jù)了解，美光于2012年并購爾必達(dá)與瑞晶之后，剛好瑞晶于中科已有2廠，后面還有2個(gè)廠還沒蓋，解決土地、廠房、水電等問題后，美光未來
關(guān)鍵字：存儲(chǔ)器美光

英特爾存儲(chǔ)器：熱數(shù)據(jù)推“傲騰”，溫?cái)?shù)據(jù)有“Ruler”

　　“中國閃存市場(chǎng)峰會(huì)CFMS2017”上，英特爾中國區(qū)非易失存儲(chǔ)器事業(yè)部總經(jīng)理劉鋼先生介紹了英特爾最新的存儲(chǔ)技術(shù)，包括用于熱數(shù)據(jù)的傲騰和用于溫?cái)?shù)據(jù)的3D NAND “Ruler”?！　?jù)悉，大數(shù)據(jù)、海量集成的數(shù)據(jù)在各個(gè)領(lǐng)域涌現(xiàn)，并希望能夠盡快處理，為此需要對(duì)海量的數(shù)據(jù)要進(jìn)行分層，即熱數(shù)據(jù)、溫?cái)?shù)據(jù)、冷數(shù)據(jù)?！　釘?shù)據(jù)——基于3D Xpoint材料的“傲騰”　　英特爾展示了不同于flash的一種非易失存儲(chǔ)器材料——3D Xpoint。基于3D Xpoint的
關(guān)鍵字：英特爾存儲(chǔ)器

三維存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)取得進(jìn)展

　　近日，中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所相變存儲(chǔ)器課題組在三維存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)領(lǐng)域取得進(jìn)展，研究成果以A Single-Reference Parasitic-Matching Sensing Circuit for 3-D Cross Point PCM為題，發(fā)表在IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs上。　　相變存儲(chǔ)器利用電脈沖誘導(dǎo)存儲(chǔ)材料在非晶態(tài)與晶態(tài)之間切換，具有非揮發(fā)性、循環(huán)壽命長、寫入速度快、穩(wěn)定性好、功耗低
關(guān)鍵字：存儲(chǔ)器

全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)可望成長37%，韓國第一、中國大陸第二

　　2017年全球半導(dǎo)體設(shè)備銷售金額可望創(chuàng)下歷史紀(jì)錄。據(jù)SEMI最新預(yù)估數(shù)字，2全球半導(dǎo)體設(shè)備銷售金額可望在2017年逼近550億美元，比2016年大幅成長37%。這也是自金融海嘯以來最高的成長率。　　SEMI進(jìn)一步分析，2017年全球最大半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)將由韓國奪下，其采購的半導(dǎo)體設(shè)備價(jià)值將達(dá)195億美元，比2016年大幅成長130%。韓國半導(dǎo)體設(shè)備采購金額暴增，主要與三星(Samsung)大舉投資新的存儲(chǔ)器產(chǎn)能有關(guān)。　　另一方面，中國大陸半導(dǎo)體設(shè)備采購金額有望在2018年超越中國臺(tái)灣，以125億
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體存儲(chǔ)器

東芝存儲(chǔ)器收購案：有關(guān)方面詢問蘋果參與意向

　　據(jù)日媒報(bào)道，有關(guān)正陷入巨額虧損的東芝半導(dǎo)體子公司“東芝存儲(chǔ)器”的出售談判，作為新提案的一部分，美國西部數(shù)據(jù)公司(WD)正在詢問美國蘋果公司是否有意參與收購。報(bào)道稱，西數(shù)在新提案中表示出降低收購參與度的意向，有可能暫緩注資。據(jù)分析，西數(shù)意在增加己方陣營的注資企業(yè)，確保東芝要求的2萬億日元(約合人民幣1200億元)規(guī)模的收購資金。　　據(jù)報(bào)道，東芝6日召開社內(nèi)外董事會(huì)議，以西數(shù)陣營的提案為主進(jìn)行協(xié)商。然而對(duì)于未放棄將來取得經(jīng)營權(quán)的西數(shù)，東芝存儲(chǔ)器方面存在著根深蒂固的警惕，因此并未
關(guān)鍵字：東芝存儲(chǔ)器

存儲(chǔ)器價(jià)格為何居高不下？

存儲(chǔ)器價(jià)格較高不再只是因?yàn)楣┬枋Ш狻?/li>
關(guān)鍵字：存儲(chǔ)器 DRAM

美光或在臺(tái)建存儲(chǔ)器一條龍供應(yīng)鏈

　　中國臺(tái)灣地區(qū)工業(yè)局副局長游振偉于近日赴存儲(chǔ)器大廠美光訪問，并促請(qǐng)美光持續(xù)擴(kuò)大在臺(tái)投資。工業(yè)局官員表示，美光今年初購買達(dá)鴻廠房后，將改建成DRAM后段封測(cè)廠，估帶動(dòng)相關(guān)設(shè)備投資達(dá)百億元新臺(tái)幣。　　游振偉在拜訪美光時(shí)表示，期望美光在臺(tái)灣建立存儲(chǔ)器一條龍供應(yīng)鏈，讓臺(tái)灣成為其全球DRAM存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)研發(fā)與制造中心。　　美光公司是世界第三大存儲(chǔ)器制造商，僅次于韓國三星及SK海力士，在桃園及臺(tái)中均有設(shè)廠，雇用約5,280人。　　官員表示，達(dá)鴻廠房改造后，預(yù)計(jì)新增1,000名就業(yè)人口。　　據(jù)了解，工業(yè)
關(guān)鍵字：美光存儲(chǔ)器

三星存儲(chǔ)器項(xiàng)目落戶西安的五大意義

三星電子決定再次在西安高新區(qū)投資建設(shè)三星電子存儲(chǔ)芯片二期項(xiàng)目，使得西安高新區(qū)再次成為全球IT業(yè)界的聚焦點(diǎn)。
關(guān)鍵字：三星存儲(chǔ)器

存儲(chǔ)器“漲”勢(shì)不停中國有望填補(bǔ)產(chǎn)能缺口

存儲(chǔ)器作為智能手機(jī)，電腦，智能手表等終端產(chǎn)品必不可少的元器件之一，它的缺貨將會(huì)導(dǎo)致整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)失衡，終端產(chǎn)品也將面臨著無貨可用的尷尬。
關(guān)鍵字：存儲(chǔ)器 DRAM

若買下東芝存儲(chǔ)器西部數(shù)據(jù)會(huì)否再次開啟轉(zhuǎn)型模式？

如果收購成功，西部數(shù)據(jù)的整體實(shí)力必然大增，半導(dǎo)體行業(yè)市場(chǎng)又將重新洗牌，那么，這一次收購是否意味著西部數(shù)據(jù)將再次轉(zhuǎn)型呢?
關(guān)鍵字：存儲(chǔ)器西部數(shù)據(jù)

韓國存儲(chǔ)器燈火下的黑暗　封測(cè)業(yè)者陷經(jīng)營困境

　　三星電子(SamsungElectronics)、SK海力士(SKHynix)、美光(Micron)等存儲(chǔ)器業(yè)者在市場(chǎng)供不應(yīng)求引起的價(jià)格上漲下，接連刷新自身業(yè)績，但韓國封測(cè)業(yè)者卻因疏于強(qiáng)化技術(shù)競爭力，逐漸陷入經(jīng)營困境。　　據(jù)韓媒ETNews報(bào)導(dǎo)，Winpac是韓國存儲(chǔ)器封測(cè)業(yè)者，也是IC設(shè)計(jì)業(yè)者TLi的子公司，從2015年起已經(jīng)連續(xù)2年出現(xiàn)營業(yè)損失，2017年上半營業(yè)損失達(dá)34億韓元(約298萬美元)，更從2013年以來連續(xù)4年出現(xiàn)凈損失，財(cái)務(wù)狀況相當(dāng)不理想。　　最近Winpac面臨必須提前償
關(guān)鍵字：存儲(chǔ)器封測(cè)

迎接嵌入式存儲(chǔ)器轉(zhuǎn)型全球晶圓代工大廠投入MRAM研發(fā)

　　全球主要晶圓代工廠計(jì)劃在2017年與2018年提供磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)作為嵌入式儲(chǔ)存解決方案，可望改變下一代儲(chǔ)存技術(shù)的游戲規(guī)則。　　據(jù)Semi Engineering網(wǎng)站報(bào)導(dǎo)，GlobalFoundries、三星(Samsung)、臺(tái)積電(TSMC)和聯(lián)電(UMC)計(jì)劃在2017年稍晚開始提供ST-MRAM或STT-MRAM，取代NOR Flash，此舉代表市場(chǎng)的巨大轉(zhuǎn)變，因?yàn)榈侥壳盀橹?，只有Everspin已經(jīng)為各種應(yīng)用提供MRAM，例如電池供電的SRAM替代品、讀寫緩存(Write
關(guān)鍵字：存儲(chǔ)器 MRAM

揭開合肥長鑫存儲(chǔ)器項(xiàng)目神秘，靠挖墻腳能挖出個(gè)未來？

　　前兩期《中國芯勢(shì)力》介紹了長江存儲(chǔ)和晉華存儲(chǔ)，然而中國三大存儲(chǔ)器勢(shì)力還有一大神秘“隊(duì)伍”——合肥長鑫，看看背后有著怎么樣的神秘。　　揭開合肥存儲(chǔ)器項(xiàng)目神秘　　合肥對(duì)DRAM的謀劃不僅是合肥長鑫的存儲(chǔ)項(xiàng)目，在2016年3月，就有消息傳出，原爾必達(dá)社長坂本幸雄成立的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司兆基科技(Sino King Technology)將在中國主導(dǎo)大規(guī)模半導(dǎo)體生產(chǎn)項(xiàng)目。據(jù)悉，這位爾必達(dá)前社長和合肥政府欲聯(lián)合投資8000億日元，爆料的文章中還用到了&ldqu
關(guān)鍵字：合肥長鑫存儲(chǔ)器

一種多功能存儲(chǔ)器芯片的測(cè)試系統(tǒng)硬件設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

　　隨著電子技術(shù)的飛速發(fā)展，存儲(chǔ)器的種類日益繁多，每一種存儲(chǔ)器都有其獨(dú)有的操作時(shí)序，為了提高存儲(chǔ)器芯片的測(cè)試效率，一種多功能存儲(chǔ)器芯片的測(cè)試系統(tǒng)應(yīng)運(yùn)而生。本文提出了一種多功能存儲(chǔ)器芯片的測(cè)試系統(tǒng)硬件設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)，對(duì)各種數(shù)據(jù)位寬的多種存儲(chǔ)器芯片(SRAM、MRAM、NOR FALSH、NAND FLASH、EEPROM等)進(jìn)行了詳細(xì)的結(jié)口電路設(shè)計(jì)(如何掛載到NIOSII的總線上)，最終解決了不同數(shù)據(jù)位寬的多種存儲(chǔ)器的同平臺(tái)測(cè)試解決方案，并詳細(xì)地設(shè)計(jì)了各結(jié)口的硬件實(shí)現(xiàn)方法?！　∫?/li>
關(guān)鍵字：存儲(chǔ)器芯片

Lam Research科技長：存儲(chǔ)器會(huì)轉(zhuǎn)變成模擬處理器

　　新的運(yùn)算架構(gòu)在硅谷成為熱門話題，盡管存儲(chǔ)器以及微處理器目前仍舊是2個(gè)不同的元件，隨著信息量持續(xù)增加，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)很有可能會(huì)走上結(jié)合存儲(chǔ)以及邏輯元件的路。摩爾定律見證半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)持續(xù)推出更快、更便宜、更節(jié)能的芯片，然而摩爾定律的速度變緩是產(chǎn)業(yè)面臨的挑戰(zhàn)。電移(electromigration)、溫度遷移(thermal migration)、動(dòng)態(tài)電流密度等物理效應(yīng)考驗(yàn)?zāi)柖桑ㄟ^工程技術(shù)克服制造瓶頸的難度的更高、費(fèi)用更為昂貴。　　據(jù)網(wǎng)站Semiconductor Engineering報(bào)導(dǎo)，除了芯片相
關(guān)鍵字：存儲(chǔ)器模擬處理器

共1633條 13/109 |‹ « 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 » ›|

存儲(chǔ)器介紹

什么是存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器（Memory）是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來存放程序和數(shù)據(jù)。計(jì)算機(jī)中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲(chǔ)器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。存儲(chǔ)器的構(gòu)成構(gòu)成存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)介質(zhì)，目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲(chǔ)器中最小的存儲(chǔ)單位就是一個(gè)雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個(gè)CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細(xì) ]