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cbram 文章 最新資訊

超低功耗CBRAM存儲器技術(shù)　或能加速IoT應用發(fā)展

  • 　　屬于非揮發(fā)性存儲器的快閃存儲器(flash memory)過去在智能手機、平板電腦等市場需求的帶動下，快閃存儲器產(chǎn)業(yè)快速成長，然隨著快閃存儲器技術(shù)逐漸瀕臨尺寸與性能極限，各式新存儲器技術(shù)陸續(xù)浮上臺面，導電橋式隨機存取存儲器(conductive- bridging RAM;CBRAM)就是相當被看好的接班技術(shù)之一。 　　The Daily Reckoning網(wǎng)站報導，過去幾10年來，半導體技術(shù)的重大進展多是來自于微縮，然隨著每次的微縮，快閃存儲器都會變得更不可靠，且這種以電荷儲存為基礎(chǔ)的存儲器技術(shù)也
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挑戰(zhàn)快閃存儲器　首款CBRAM預計明年亮相

  • 　　一家股東包括半導體設(shè)備大廠應用材料(Applied Materials)的新創(chuàng)存儲器公司Adesto Technologies，正準備推出首款導電橋接隨機存取存儲器(conductive-bridging RAM， CBRAM )。 CBRAM 是一種低耗電、與CMOS兼容的存儲器，可客制化應用在廣泛的離散式或嵌入式市場，該公司打算最快在2011年第一季推出首款 CBRAM 樣品。 　　在近日于美國舉行的非揮發(fā)性存儲器研討會(Non Volatile Memory Conference)上，Ades
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