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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 臺積電

臺積電 文章 最新資訊

傳英偉達(dá)削減臺積電的RTX 40系列GPU訂單，AMD和蘋果也有同樣意愿

  • 最近幾個月以來，隨著通貨膨脹的沖擊以及經(jīng)濟前景不明朗等因素的影響，消費電子產(chǎn)品市場的需求正迅速放緩，無論是智能手機、PC還是電視等產(chǎn)品，銷量都出現(xiàn)了不同程度的下滑。因應(yīng)市場環(huán)境的變化，各大廠商也開始對生產(chǎn)進(jìn)行調(diào)整。據(jù)DigiTimes報道，英偉達(dá)、AMD和蘋果都打算修改在臺積電（TSMC）的訂單。英偉達(dá)正面臨顯卡市場過度飽和的狀況，以及下一代GPU需求下降的問題，正考慮削減基于Ada Lovelace架構(gòu)的GeForce RTX 40系列GPU的訂單。目前英偉達(dá)的合作伙伴還有大量GeForce RTX 3
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蘋果自研處理器M2 Pro/M3曝光 臺積電3nm工藝

  • 芯研所6月29日消息，據(jù)DigiTimes的消息稱，臺積電將生產(chǎn)M2 Pro和M3芯片，這兩款芯片將采用臺積電最新3nm工藝技術(shù)。蘋果已經(jīng)預(yù)定臺積電3nm工藝產(chǎn)能，專門為生產(chǎn)M2 Pro和M3芯片，其性能相比上代會更強。按照臺積電之前公布的計劃，將于2022年下半年開始量產(chǎn)3nm芯片。如果消息屬實的話，那么M2 Max芯片自然也會升級至3nm工藝，最后自然還有 M2 Ultra。M1系列芯片都是采用5nm工藝，而已經(jīng)發(fā)布的M2芯片也是5nm，這多少會讓外界懷疑M2 Pro和M2 Max芯片是否真的會用3n
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臺積電營收將超英特爾 短期內(nèi)毫無反超的可能

  • 你還記得英特爾第一次成為全球半導(dǎo)體銷售第一是哪一年么？筆者查閱了資料，應(yīng)該是1992年，那一年英特爾終于超越了日本巨頭NEC占據(jù)了半導(dǎo)體的頭把交椅，而這一坐就是24年。直到2017年三星憑借存儲器價格高漲連奪兩年第一后，2019年又被英特爾重新奪回，不過2021年三星再次依靠存儲行業(yè)的暴漲拿回了領(lǐng)頭羊位置，而到2022年年終結(jié)算的時候，英特爾可能不僅保不住第一的位置，甚至連第二的位置都很難守住。因為按照中國臺灣媒體的報道，臺積電（TSMC）依靠快速增長的營收，正在無限逼近英特爾，很有可能在三季度實現(xiàn)在營收
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臺積電營收有望本季度首超英特爾 成為全球第二大半導(dǎo)體廠

  • 據(jù)臺媒經(jīng)濟日報報道，臺積電營收最快將于本季首度追上英特爾，成為僅次于三星的全球第二大半導(dǎo)體廠，并在第三季度傳統(tǒng)旺季進(jìn)一步拉開差距。
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西門子擴展多款 IC 設(shè)計解決方案對臺積電先進(jìn)工藝的支持

  • 獲得臺積電技術(shù)認(rèn)證的西門子EDA 產(chǎn)品包括 Calibre?nmPlatform——用于 IC 簽核的領(lǐng)先物理驗證解決方案；以及 Analog FastSPICE? 平臺——專為納米級模擬、射頻（RF）、混合信號、存儲器和定制數(shù)字電路提供快速電路驗證。這兩個產(chǎn)品系列目前均已獲得臺積電 N4P 和 N3E 工藝認(rèn)證。作為臺積電 N3E 工藝的定制設(shè)計參考流程 (CDRF) 的一部分，Analog FastSPICE 平臺還可支持可靠性感知仿真，包括老化、實時自熱效應(yīng)和高級可靠性功能。 Calibr
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臺積電魏哲家出席日本3DIC材料研發(fā)中心開幕

  • 晶圓代工龍頭臺積電總裁魏哲家24日出席「臺積電日本3DIC研究開發(fā)中心」開幕啟用典禮，日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)相萩生田光一亦出席致詞。該中心由臺積電設(shè)立，并與揖斐電（Ibiden）、新光電氣、信越化學(xué)等日本逾20家廠商合作，總投資金額達(dá)370億日圓，日本政府透過新能源及產(chǎn)業(yè)技術(shù)統(tǒng)合開發(fā)機構(gòu)（NEDO）出資190億日圓。臺積電在日本茨城縣筑波市產(chǎn)業(yè)技術(shù)總合研究所設(shè)立的臺積電日本3DIC研究開發(fā)中心24日開幕啟用，由于日本已開放臺灣人士以商務(wù)簽證入境且免隔離，魏哲家與臺積電先進(jìn)封裝技術(shù)暨服務(wù)副總經(jīng)理廖德堆一同出席，說明臺
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是德科技與新思科技共同合作，支持臺積電 N6RF 設(shè)計參考流程

  • 是德科技（Keysight Technologies Inc.） 是推動全球企業(yè)、服務(wù)供應(yīng)商和政府機構(gòu)網(wǎng)路連接與安全創(chuàng)新的技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)廠商，該公司日前宣布其 Keysight PathWave RFPro 與新思科技（Synopsys）定制化編譯器設(shè)計環(huán)境已完成整合，以便支持臺積電（TSMC）最新的 6 納米 RF（N6RF）設(shè)計參考流程。對于集成電路（IC）設(shè)計人員來說，EDA 工具和設(shè)計方法至關(guān)重要。最新的 TSMC N6RF 設(shè)計參考流程，為設(shè)計人員提供重要指引，使其能夠利用臺積電先進(jìn)的 N6RF 互補
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先跑并不意味著先贏 良品率才是贏得3nm之爭的關(guān)鍵

  • 隨著雙寡頭拉起的3nm制程競賽，未來行業(yè)內(nèi)的晶圓代工訂單勢必將向這兩家公司進(jìn)一步集中，由于半導(dǎo)體行業(yè)極度依賴規(guī)模效應(yīng)，未來晶圓代工這個行業(yè)也很難再有新的挑戰(zhàn)者出現(xiàn)。
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日本為中國芯片企業(yè)補貼4760億

  • 近日，由臺積電在日本九州熊本縣的晶圓廠獲得了日本官方給予的4760億日元（折合人民幣約237億元）的補助。而這座工廠的計劃成本為1.1萬億日元，所以此次的補貼占據(jù)了投資計劃的43%。根據(jù)此前消息，臺積電計劃該工廠與2024年12月開始投產(chǎn)，預(yù)計生產(chǎn)28nm~22nm制程工藝，未來可能會升級到12nm~16nm制程工藝。值得一提的是，雖然此次日本官方的補貼占據(jù)了投資計劃的43%，但臺積電依舊全資持有該工廠。
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密度僅提升10% 臺積電2nm工藝擠牙膏：Intel要贏回來了

  • 　　在技術(shù)論壇上，臺積電首次全面公開了旗下的3nm及2nm工藝技術(shù)指標(biāo)，相比3nm工藝，在相同功耗下，2nm速度快10~15%；相同速度下，功耗降低25~30%。　　然而性能及功耗看著還不錯，但臺積電的2nm工藝在晶體管密度上擠牙膏，只提升了10%，按照摩爾定律來看的話，新一代工藝的密度提升是100%才行，實際中也能達(dá)到70-80%以上才能算新一代工藝?！　∨_積電沒有解釋為何2nm的密度提升如此低，很有可能跟使用的納米片電晶體管（Nanosheet）技術(shù)有關(guān)，畢竟這是新一代晶體管結(jié)構(gòu)，考驗很多?！　∶芏忍?/li>
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臺積電2nm工藝提升不大：密度僅提升10%

  • 日前，臺積電全面公開了旗下的3nm及2nm工藝技術(shù)指標(biāo)，相比3nm工藝，在相同功耗下，2nm速度快10~15%；相同速度下，功耗降低25~30%。性能及功耗看著還不錯，但臺積電的2nm工藝在晶體管密度上擠牙膏，只提升了10%，按照摩爾定律來看的話，新一代工藝的密度提升是100%才行，實際中也能達(dá)到70-80%以上才能算新一代工藝。臺積電沒有解釋為何2nm的密度提升如此低，很有可能跟使用的納米片電晶體管（Nanosheet）技術(shù)有關(guān)，畢竟這是新一代晶體管結(jié)構(gòu)，考驗很多。     
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臺積電、Intel、三星狂買ASML EUV光刻機

  • 臺積電在北美技術(shù)論壇上公布了新的制程路線圖，定于2025年量產(chǎn)2nm工藝，其采用Nanosheet（納米片電晶體）的微觀結(jié)構(gòu)，取代FinFET。期間，臺積電甚至規(guī)劃了5種3nm制程，包括N3、N3E、N3P、N3S和N3X，要在2025年前將成熟和專業(yè)化制程的產(chǎn)能提高50%，包括興建更多的晶圓廠。顯然，作為產(chǎn)能提升以及興建晶圓廠的關(guān)鍵核心設(shè)備，EUV光刻機少不了要采購一大批。臺積電表示，計劃在2024年引入ASML的新一代EUV極紫外光刻機。此前，Intel曾說自己是第一個訂購ASML下一代EUV光刻機的
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臺積電高管：將在2024年引入阿斯麥最新極紫外光刻機

  • 　　6月17日消息，據(jù)外媒報道，臺積電高管周四表示，該公司將在2024年引入荷蘭廠商阿斯麥的最新一代光刻機。　　臺積電研發(fā)高級副總裁米玉杰在硅谷舉行的技術(shù)研討會上表示，“展望未來，臺積電將在2024年引入高數(shù)值孔徑的極紫外光刻機，為的是開發(fā)客戶所需相關(guān)基礎(chǔ)設(shè)施和模式解決方案，進(jìn)一步推動創(chuàng)新?！薄　∶子窠懿⑽赐嘎缎乱淮饪虣C引入后何時用于大規(guī)模生產(chǎn)芯片。阿斯麥推出的第二代極紫外線光刻機能用于制造尺寸更小、處理速度更快的芯片。臺積電競爭對手英特爾公司此前表示，將在2025年之前開始使用新一代光刻機生產(chǎn)芯片，并
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臺積電加碼采購 本土廠利多

  • 晶圓代工龍頭臺積電積極擴建3奈米及更先進(jìn)制程晶圓廠，同時擴大后段封測廠投資，除了看好5G及高效能運算（HPC）芯片采用InFO或CoWoS等先進(jìn)封裝技術(shù)已成主流趨勢，也預(yù)期3DIC封裝架構(gòu)能夠延續(xù)摩爾定律。臺積電加強供應(yīng)鏈本土化并擴大后段設(shè)備采購，包括萬潤、辛耘、弘塑、鈦升等業(yè)者直接受惠。臺積電在先進(jìn)制程及先進(jìn)封裝的投資齊頭并進(jìn)。在晶圓廠投資部份，F(xiàn)ab 18廠已完成3奈米前期產(chǎn)能建置，并完成支持HPC運算及智能型手機應(yīng)用的完整平臺，為下半年量產(chǎn)做好準(zhǔn)備。臺積電2奈米晶圓廠Fab 20建廠計劃已啟動，并采
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臺積電2nm制程工藝取得新進(jìn)展 2nm競爭賽道進(jìn)入預(yù)熱模式

  • 據(jù)國外媒體報道，推進(jìn)3nm制程工藝今年下半年量產(chǎn)的臺積電，在更先進(jìn)的2nm制程工藝的研發(fā)方面已取得重大進(jìn)展，預(yù)計在明年年中就將開始風(fēng)險試產(chǎn) ——?也就意味著臺積電2nm制程工藝距量產(chǎn)又更近了一步。業(yè)界估計，臺積電2nm試產(chǎn)時間點最快在2024年，并于2025年量產(chǎn)，之后再進(jìn)入1nm以及后續(xù)更新世代的“埃米”制程。臺積電去年底正式提出中科擴建廠計劃，設(shè)廠面積近95公頃，總投資金額達(dá)8000億至10000億元新臺幣，初期可創(chuàng)造4500個工作機會。以投資規(guī)模及近百公頃設(shè)廠土地面積研判，除了規(guī)劃2nm廠
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臺積電介紹

　　臺灣積體電路制造股份有限公司 　　臺灣積體電路制造股份有限公司(Taiwan Semiconductor) 　　臺灣積體電路制造股份有限公司網(wǎng)站:http://www.tsmc.com.tw/ 英文 　　臺灣積體電路制造股份有限公司簡介 　　臺積公司于1987年在新竹科學(xué)園區(qū)成立，是全球第一家的專業(yè)集成電路制造服務(wù)公司。身為業(yè)界的創(chuàng)始者與領(lǐng)導(dǎo)者，臺積公司是全球規(guī)模最大的專業(yè)集成電路制造 [ 查看詳細(xì) ]

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