半導(dǎo)體文章最新資訊

New JRC新日本無線株式會(huì)社高新的半導(dǎo)體技術(shù)

新日本無線集團(tuán)創(chuàng)立于1959年，是以模擬半導(dǎo)體為中心從事設(shè)計(jì)、開發(fā)、制造、銷售為一體的高新半導(dǎo)體技術(shù)企業(yè)。公司自創(chuàng)立以來，精煉出了獨(dú)自的技術(shù)和創(chuàng)造出了特色的產(chǎn)品，一直為世界電子技術(shù)的發(fā)展做出著貢獻(xiàn)?，F(xiàn)在，已形成了半導(dǎo)體技術(shù)和微波技術(shù)兩大產(chǎn)業(yè)支柱，這兩種技術(shù)融合而產(chǎn)生的「μ&μ」(Microelectronics & Microwave)旗號(hào)是擔(dān)當(dāng)未來新時(shí)代的關(guān)鍵多媒體技術(shù)。在產(chǎn)品比例中，半導(dǎo)體占84%，微波占16%，并在不斷開創(chuàng)新的領(lǐng)域。
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Q4記憶體模組較半導(dǎo)體稍顯樂觀

全球經(jīng)濟(jì)情勢(shì)不佳，半導(dǎo)體廠第4季營運(yùn)恐難有突出表現(xiàn)，將普遍較第3季滑落；僅記憶體模組廠展望相對(duì)樂觀，下半年?duì)I運(yùn)可望呈逐季攀高走勢(shì)。
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德州儀器分銷商將銷售 TI與NS產(chǎn)品組合

　　日前，德州儀器 (TI) 宣布自2011年10月5日起，TI 全球分銷商網(wǎng)絡(luò)的現(xiàn)有成員將在其銷售的產(chǎn)品線中加入美國國家半導(dǎo)體 (NS) 產(chǎn)品。此舉不僅將國家半導(dǎo)體的產(chǎn)品推介給更多的分銷商，更確保全球客戶都可通過廣泛的授權(quán)渠道購買到 TI 與美國國家半導(dǎo)體合并后新產(chǎn)生的近 45,000 種模擬產(chǎn)品組合。這一舉措是TI 于今年 9 月底正式完成對(duì)美國國家半導(dǎo)體的收購后得以實(shí)施的。　
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德州儀器分銷商將銷售TI與NS產(chǎn)品組合

2011 年10 月10 日，日前，德州儀器 (TI) 宣布自2011年10月5日起，TI 全球分銷商網(wǎng)絡(luò)的現(xiàn)有成員將在其銷售的產(chǎn)品線中加入美國國家半導(dǎo)體 (NS) 產(chǎn)品。此舉不僅將國家半導(dǎo)體的產(chǎn)品推介給更多的分銷商，更確保全球客戶都可通過廣泛的授權(quán)渠道購買到 TI 與美國國家半導(dǎo)體合并后新產(chǎn)生的近 45,000 種模擬產(chǎn)品組合。這一舉措是TI 于今年 9 月底正式完成對(duì)美國國家半導(dǎo)體的收購后得以實(shí)施的。
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半導(dǎo)體資本支出顯著下滑明年衰退16.7%

　　國際研究暨顧問機(jī)構(gòu)顧能(Gartner)發(fā)表半導(dǎo)體設(shè)備市場最新展望報(bào)告，由于全球總體經(jīng)濟(jì)景氣不振，導(dǎo)致電子產(chǎn)品超額庫存和終端需求疲弱，使得半導(dǎo)體資本支出顯著下滑，2012年全球半導(dǎo)體資本支出預(yù)計(jì)為515.339億美元，較2011年的618.321億美元衰退16.7%。　
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半導(dǎo)體業(yè)不景氣英飛凌擬縮減資本投資規(guī)模

　　據(jù)國外媒體報(bào)道，芯片廠商英飛凌首席執(zhí)行官彼得鮑爾(PeterBauer)稱，由于經(jīng)濟(jì)形勢(shì)不穩(wěn)定導(dǎo)致市場需求下滑，加上芯片行業(yè)發(fā)展速度減慢，公司打算縮減投資規(guī)模。為了減少公司業(yè)績受不斷變化的消費(fèi)者市場的影響，英飛凌已經(jīng)將業(yè)務(wù)重點(diǎn)轉(zhuǎn)移到消費(fèi)者市場以外的領(lǐng)域。　
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未來半導(dǎo)體：整并是晶片產(chǎn)業(yè)未來大勢(shì)

在全球經(jīng)濟(jì)前景以及行動(dòng)通訊系統(tǒng)過渡不明朗的陰霾之下，今年的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)表現(xiàn)可能會(huì)以低于5%的成長率勉強(qiáng)“含混過關(guān)，但市場研究機(jī)構(gòu)ICInsights最新發(fā)表的秋季預(yù)測報(bào)告指出，2012年IC市場成長率將微調(diào)至兩位數(shù)字，長期來看，該產(chǎn)業(yè)若經(jīng)歷一番整并，應(yīng)有助于維持溫和成長。
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NI在北京和廣州開設(shè)分公司

　　美國國家儀器有限公司(National Instruments, 簡稱NI)近日于中國的北京和廣州分別開設(shè)了其在華的分公司，開業(yè)儀式在北京和廣州分公司隆重舉行。NI全球銷售和營銷高級(jí)副總裁Pete Zogas、亞太地區(qū)銷售和營銷副總裁Victor Mieres、大中國區(qū)總經(jīng)理陳大龐、中國區(qū)銷售經(jīng)理陳健忠以及NI在各地的合作伙伴、客戶和媒體代表出席了盛大的開業(yè)儀式。　
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三星稱明年半導(dǎo)體業(yè)增速放緩

　　日前，三星電子高管在接受采訪時(shí)表示，由于全球經(jīng)濟(jì)放緩打壓了市場需求需求，三星電子預(yù)計(jì)明年全球半導(dǎo)體行業(yè)增速將會(huì)放緩。　　三星電子設(shè)備解決方案主管權(quán)五鉉(Kwon Oh-hyun)表示：“在經(jīng)濟(jì)放緩的背景下，半導(dǎo)體行業(yè)的前景很模糊。2012年的增長率不會(huì)太高，而技術(shù)將是一個(gè)重要因素?！? 　　
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半導(dǎo)體行業(yè)不景氣英飛凌擬縮減資本投資規(guī)模

　　據(jù)國外媒體報(bào)道，芯片廠商英飛凌首席執(zhí)行官彼得鮑爾(Peter Bauer)稱，由于經(jīng)濟(jì)形勢(shì)不穩(wěn)定導(dǎo)致市場需求下滑，加上芯片行業(yè)發(fā)展速度減慢，公司打算縮減投資規(guī)模。為了減少公司業(yè)績受不斷變化的消費(fèi)者市場的影響，英飛凌已經(jīng)將業(yè)務(wù)重點(diǎn)轉(zhuǎn)移到消費(fèi)者市場以外的領(lǐng)域。　　
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半導(dǎo)體資本支出明年減16.7%

　　國際研究暨顧問機(jī)構(gòu)顧能(Gartner)發(fā)表半導(dǎo)體設(shè)備市場最新展望報(bào)告，由于全球總體經(jīng)濟(jì)景氣不振，導(dǎo)致電子產(chǎn)品超額庫存和終端需求疲弱，使得半導(dǎo)體資本支出顯著下滑，2012年全球半導(dǎo)體資本支出預(yù)計(jì)為515.339億美元，較2011年的618.321億美元衰退16.7%。　　
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Crossing Automation推出18寸晶圓分類機(jī)Spartan450

　　晶圓廠與機(jī)臺(tái)自動(dòng)化供應(yīng)商 Crossing Automation Inc. 日前推出18寸晶圓分類機(jī)—— Spartan 450 ，並宣布這臺(tái)全新分類機(jī)已接獲一半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)業(yè)者訂單。此平臺(tái)預(yù)估將于 2012 年第一季出貨。　　
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BCD半導(dǎo)體大跌10.71% 下調(diào)Q3營收和毛利率預(yù)期

　　BCD半導(dǎo)體日前股價(jià)大跌，截至收盤，BCD半導(dǎo)體跌10.71%，報(bào)收5美元，成交量為5.92萬股，日均交易量為3.66萬股。　　BCD半導(dǎo)體近日下調(diào)了2011年第三季度的營收預(yù)期至3900萬美元，低于此前預(yù)計(jì)的4300萬至4500萬美元。毛利率也下調(diào)至27%，低于此前預(yù)計(jì)的30%。
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基于NCP5662的半導(dǎo)體激光器驅(qū)動(dòng)電源

二極管激光器及二極管泵浦的固體激光器現(xiàn)已成為固體激光器的發(fā)展主流,其轉(zhuǎn)換效率高,穩(wěn)定性好、可靠性高,是迄今惟一不需維護(hù)的激光系統(tǒng),具有輸出的光束質(zhì)量高、體積小、結(jié)構(gòu)緊湊等優(yōu)點(diǎn),已經(jīng)獲得了廣泛的應(yīng)用。二極管泵
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Microsemi宣布收購Zarlink半導(dǎo)體公司

　　致力于提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導(dǎo)體技術(shù)產(chǎn)品的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達(dá)克交易所代號(hào)：MSCC) 和為廣泛的通訊和醫(yī)療應(yīng)用提供領(lǐng)先混合信號(hào)芯片技術(shù)的供應(yīng)商Zarlink半導(dǎo)體公司(Zarlink Semiconductor Inc.，多倫多證券交易所代號(hào)：ZL)宣布，兩家公司開始討論達(dá)成支持協(xié)議，依據(jù)協(xié)議，美高森美通過一個(gè)全資控股子公司(“要約人”)，將修改其現(xiàn)有的報(bào)價(jià)，對(duì)Zarlink所有已發(fā)行和流通的普通股(“股票”)和2012年9月
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半導(dǎo)體介紹

semiconductor 電阻率介于金屬和絕緣體之間并有負(fù)的電阻溫度系數(shù)的物質(zhì)。半導(dǎo)體室溫時(shí)電阻率約在10-5～107歐·米之間，溫度升高時(shí)電阻率指數(shù)則減小。半導(dǎo)體材料很多，按化學(xué)成分可分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類。鍺和硅是最常用的元素半導(dǎo)體；化合物半導(dǎo)體包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物（砷化鎵、磷化鎵等）、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物), [ 查看詳細(xì) ]