半導體(st)應用軟件 文章 最新資訊
產業(yè)鏈人士:半導體供應鏈明年仍面臨市場不確定性,2024 年有望增長

- 12 月 27 日消息,據國外媒體報道,進入下半年之后,受消費電子產品需求下滑影響,半導體市場也面臨挑戰(zhàn),出貨量與價格雙雙下滑,機構預計今年全球半導體市場的規(guī)模,將降至 5800 億美元,同比下滑 4.4%。半導體市場不樂觀,也就會影響半導體供應鏈,而在半導體市場不樂觀的狀況預計持續(xù)的情況下,半導體供應鏈預計也會繼續(xù)面臨挑戰(zhàn)。而最新的報道顯示,產業(yè)鏈消息人士認為,半導體供應鏈廠商,在明年仍會面臨相對較高的市場不確定性,預計直到 2024 年才會走上明確的增長軌道。值得注意的是,此前預計今年全球半導體市場規(guī)
- 關鍵字: 半導體 產業(yè) 市場
基于ST L6563H+L6599A+SRK2000A的大功率電源適配器方案

- 1.該方案是PFC+LLC拓撲,適合作中大功率電源,其中ST的方案L6562/L6563+L6599被業(yè)界稱為最經典的PFC+LLC方案,現(xiàn)在還有相當多的人使用。方案主要優(yōu)勢為高效率,低EMI ,適合應用于高頻化,高功率密度設計。DEMO板EVL150W-ADP-SR,是款 150W,寬輸入電壓范圍,PFC+LLC解決方案,適用于大功率適配器,TV電源和LED大功率電源,在無/輕載運行時功耗低,重載滿載高效率。在LLC拓撲未流行前,傳統(tǒng)的150W方案主要有PFC+反激或者PFC+正激,其主要的缺點是效率不
- 關鍵字: ST L6563H L6599A SRK2000A 大功率適配器
基于ST HVLED001B +HVLED002 設計的高效率和低THD可調光LED 100W驅動器

- 一, HVLED001B 的介紹:HVLED001B是具有恒定電壓初級感應和超低待機功耗的高功率因數反激控制器, 同時也是增強型峰值電流模式控制器,能夠主要控制高功率因數(HPF)反激或降壓-升壓。初級側調節(jié)和光耦合器控制可以獨立地應用在芯片上,在空載情況下都可以利用精確調節(jié)和非常低的待機功耗來實現(xiàn)。創(chuàng)新的ST高壓技術允許HVLED001B直接連接到輸入電壓,從而可以啟動設備并監(jiān)視輸入電壓,而無需外部組件。有效控制開路,輸出短路,輸入過壓或欠壓等異常情況,以及主開關的開環(huán)和過流等電路故障。內置的智能自動恢
- 關鍵字: ST HVLED001B HVLED002 STEVAL-LLL008V1
美國半導體強勢回歸:新建23個晶圓廠 增加2000億美元投資

- 通過在 2022 年 8 月頒布的芯片和科學法案,華盛頓的政策制定者在吸引美國半導體生產和創(chuàng)新投資方面邁出了歷史性的一步。已經激發(fā)了對美國的私人投資,這將加強美國經濟、創(chuàng)造就業(yè)機會和供應鏈彈性。從 CHIPS 法案于 2020 年春季出臺到頒布后的幾個月,半導體生態(tài)系統(tǒng)中的公司宣布了數十個提高美國制造能力的項目。一些項目開始時是在期待 CHIPS 法案的資助并依賴于政策制定者的承諾繼續(xù)提供此類資金,而其他人則在立法頒布后向前推進。以下是 CHIPS 法案推動的公告的一些要點:全美宣布了40 多個新的半導體
- 關鍵字: 美國 半導體 制造業(yè)
基于安森美半導體NCP13992/NCL2801-戶外400W-IP67防水LED電源

- 該方案采用安森美半導體的LLC驅動器-NCP13992,同步整流驅動芯片MPS6922,PFC驅動為NCL2801;而NCP13992是業(yè)界首款采用電流控制模式LLC控制器NCP1399優(yōu)化平均效率待機功耗升級版本.輸入100-277VAC輸出DC12V30A,主要驅動器件應用600V門極驅動器簡化布局并減少外部組件數,采用跳周期模式提升輕載能效,并集成一系列保護特性以提升系統(tǒng)可靠性,用于LED電源及工業(yè)電源系統(tǒng)應用,可顯著實現(xiàn)輕載和滿載時的高能效及超低待機能耗。?場景應用圖?產品實體圖?展示板照片?方案
- 關鍵字: 安森美 半導體 NCP13992 NCL2801 IP67防水 LED電源
世平基于安森美半導體 NCP51820 650V Hi-Low Side GaN MOS Driver 應用于小型化工業(yè)電源供應器方案

- 安森美GAN_Fet驅動方案(NCP51820)。 數十年來,硅來料一直統(tǒng)治著電晶體世界。但這個狀況在發(fā)現(xiàn)了砷化鎵(GaAs)和砷化鎵、磷(GaAsP)等不同特性的材料后,已經逐漸開始改變。由開發(fā)了由兩種或三種材料制成的化合物半導體,它們具有獨特的優(yōu)勢和優(yōu)越的特性。但問題在于化合物半導體更難制造且更昂貴。雖然它們比硅具有明顯的優(yōu)勢。作為解決方案出現(xiàn)的兩個化合物半導體器件是氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)功率電晶體。這些器件可與壽命長的硅功率LDMOS MOSFET和超結MOSFET競爭。GaN和SiC器
- 關鍵字: NCP51820 安森美 半導體 電源供應器 GaN MOS Driver
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