半導(dǎo)體?測(cè)試?系統(tǒng)? 文章最新資訊

單片機(jī)最小系統(tǒng)不能燒寫程序的解決思路

現(xiàn)象：?jiǎn)纹瑱C(jī)晶振不起振，不能燒寫程序調(diào)查步驟：1、懷疑晶振諧振電容等貼片有誤，重新?lián)Q上后，還是不能下載，排除;2、懷疑單片機(jī)電源紋波過(guò)大，示波器測(cè)量發(fā)現(xiàn)紋波正常，排除;3、懷疑單片機(jī)復(fù)位腳，用示波器測(cè)量發(fā)
關(guān)鍵字：解決思路程序不能最小系統(tǒng) 單片機(jī)

光谷力爭(zhēng)國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)第三極

　　8月的最后一個(gè)周三，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的非盈利機(jī)構(gòu)GSA(半導(dǎo)體聯(lián)盟)迎來(lái)一名新成員，英文名XMC。　　說(shuō)到這位“新人”，GSA亞太區(qū)執(zhí)行長(zhǎng)王智立博士這樣描述：“在新興半導(dǎo)體制造領(lǐng)域中，XMC正扮演著創(chuàng)新且重要的角色”。　　這家公司的中文名字叫武漢新芯集成電路制造有限公司(以下簡(jiǎn)稱“武漢新芯”)，目前芯片產(chǎn)能排名中部第一。從2006年首條12英寸芯片生產(chǎn)線建成，經(jīng)歷了七年之癢的武漢新芯重回公眾視野，卻代表著光谷的雄心&mdas
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體光纖

盧超群：往后十年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將走出一個(gè)大多頭

　　臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(TSIA)理事長(zhǎng)暨鈺創(chuàng)科技董事長(zhǎng)盧超群表示，今年將是3D IC從研發(fā)到導(dǎo)入量產(chǎn)的關(guān)鍵年，3D IC元年最快明年來(lái)臨，往后十年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將走出一個(gè)大多頭，重現(xiàn)1990年代摩爾定律為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)帶來(lái)的爆發(fā)性成長(zhǎng)。　　隨著矽元件趨近納米極限，摩爾定律開始遭遇瓶頸，各界期盼立體堆疊3D IC技術(shù)延續(xù)摩爾定律　　存儲(chǔ)器芯片設(shè)計(jì)公司鈺創(chuàng)董事長(zhǎng)盧超群上半年接任臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)理事長(zhǎng)，他希望透過(guò)協(xié)會(huì)的影響力，帶領(lǐng)臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)參與各項(xiàng)國(guó)際半導(dǎo)體規(guī)格制定、提升人才參與及素質(zhì)，并讓國(guó)內(nèi)外科技投
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體 3D

嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)中的“團(tuán)隊(duì)技能”

前一陣看了幾本有關(guān)嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)的書，包括RTOS，算法，硬件設(shè)計(jì)、數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)等，感覺這個(gè)系統(tǒng)是相當(dāng)復(fù)雜的，所以在此分享一些心得。
關(guān)鍵字：嵌入式 datasheet 處理器調(diào)試測(cè)試

東芝歡慶泰國(guó)新半導(dǎo)體工廠開業(yè)

　　曼谷和東京--(美國(guó)商業(yè)資訊)--東芝公司(Toshiba Corporation，TOKYO:6502)宣布，該公司旗下的泰國(guó)公司東芝半導(dǎo)體(泰國(guó))公司(Toshiba Semiconductor (Thailand) Co., Ltd.，簡(jiǎn)稱TST)已經(jīng)完成向新半導(dǎo)體制造工廠的搬遷工作，并開始量產(chǎn)，象徵著該公司已經(jīng)從2011年災(zāi)難性大洪水中完全恢復(fù)過(guò)來(lái)。　　新廠位于曼谷東北方向約140公里處，這是一座位于泰國(guó)巴真府(Prachinburi)304工業(yè)園區(qū)的最先進(jìn)工廠。這座工廠的建設(shè)始于2012
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2013年前十大半導(dǎo)體廠排名日本急劇衰落

　?。篒CInsights日前公布2013年上半年全球前十大半導(dǎo)體廠營(yíng)收排名，其中，日本半導(dǎo)體業(yè)者受到產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)加劇及垂直整合商業(yè)模式式微的沖擊，進(jìn)榜業(yè)者已愈來(lái)愈少，目前僅存東芝(Toshiba)一家仍榜上有名，相較于1990年時(shí)最多六家同時(shí)上榜的紀(jì)錄已大幅減少。 ? 　　2013年前十大半導(dǎo)體廠排名　日本急劇衰落
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我國(guó)首次制備大規(guī)模鍺基石墨烯助推半導(dǎo)體工業(yè)

　　將助推石墨烯在半導(dǎo)體工業(yè)界廣泛應(yīng)用　　記者從中科院上海微系統(tǒng)所獲悉，該所信息功能材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室SOI課題組與超導(dǎo)課題組，采用化學(xué)氣相淀積法，在鍺襯底上直接制備出大面積、均勻的、高質(zhì)量單層石墨烯。相關(guān)成果日前發(fā)表于《自然》雜志子刊《科學(xué)報(bào)告》。　　石墨烯在機(jī)械、電學(xué)、光學(xué)和化學(xué)方面的優(yōu)異性能，使其具有巨大的應(yīng)用前景。目前，化學(xué)氣相沉積法是制備高質(zhì)量、大面積石墨烯的最主要途徑。但是，在石墨烯的生長(zhǎng)過(guò)程中，金屬基底是必不可少的催化劑，而隨后的應(yīng)用必須要將石墨烯從金屬襯底上轉(zhuǎn)移到所需要的絕緣或者半
關(guān)鍵字：石墨烯半導(dǎo)體

寬禁帶半導(dǎo)體新時(shí)代的來(lái)臨

　　第三代半導(dǎo)體中SiC(碳化硅)單晶和GaN(氮化鎵)單晶脫穎而出，最有發(fā)展前景。第三代半導(dǎo)體主要包括SiC單晶、GaN單晶、ZnO單晶和金剛石，其中又以SiC和GaN為最核心的材料。SiC擁有更高的熱導(dǎo)率和更成熟的技術(shù)，而GaN直接躍遷、高電子遷移率和飽和電子速率、成本更低的優(yōu)點(diǎn)則使其擁有更快的研發(fā)速度。兩者的不同優(yōu)勢(shì)決定了應(yīng)用范圍上的差異，在光電領(lǐng)域，GaN占絕對(duì)的主導(dǎo)地位，而在其他功率器件領(lǐng)域，SiC適用于1200V以上的高溫大電力領(lǐng)域，GaN則更適用900V以下的高頻小電力領(lǐng)域。目前來(lái)看，未來(lái)2
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體晶圓制造

簡(jiǎn)易元器件測(cè)試器

簡(jiǎn)易元器件測(cè)試器,本測(cè)試器可用來(lái)測(cè)試晶體三極管、二極管、LED、(單雙向)可控硅、電容和開關(guān)的通斷特性，電路見圖1。測(cè)晶體三極管時(shí)，將引腳分別插入C、B、E，并根據(jù)三極管類型置好NPN/PNP
關(guān)鍵字：測(cè)試 LED

半導(dǎo)體、電子設(shè)備：電子行業(yè)整體運(yùn)行狀況

　　電子板塊五個(gè)交易日上漲2.46%，排在23個(gè)行業(yè)中第4位，成交金額512.70億元，資金流出2.34億元;漲幅前三名分別為：億緯鋰能(300014)上漲16.50%、天源迪科(300047)上漲14.66%、環(huán)旭電子(601231)上漲14.49%;跌幅前三名分別為：華燦光電(300323)下跌12.97%、天津普林(002134)下跌7.68%、興森科技(002436)下跌5.71%。　　行業(yè)動(dòng)態(tài)觸控筆記本OGS面板低價(jià)版問(wèn)世Win8觸控PC約占全球筆記本出貨10%國(guó)內(nèi)液晶電視面板自給率超過(guò)3成
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半導(dǎo)體巨頭搶入20納米設(shè)備廠新一輪搶單

　　隨著臺(tái)積電、英特爾、三星等半導(dǎo)體大廠將在明年微縮制程進(jìn)入20納米以下世代，設(shè)備廠也展開新一波的搶單計(jì)劃。　　在應(yīng)用材料于其SEMVision系列設(shè)備上引進(jìn)首創(chuàng)缺陷檢測(cè)掃瞄電子顯微鏡(DRSEM)技術(shù)后，另一設(shè)備大廠科磊(KLATencor)21日宣布，同步推出新一化光學(xué)及電子束晶圓缺陷檢測(cè)系統(tǒng)。隨著兩大設(shè)備廠已搶進(jìn)臺(tái)積電及英特爾供應(yīng)鏈，對(duì)于國(guó)內(nèi)設(shè)備廠漢微科來(lái)說(shuō)競(jìng)爭(zhēng)壓力大增。　　雖然半導(dǎo)體市場(chǎng)下半年景氣能見度不高，但是包括臺(tái)積電、英特爾、三星、格羅方德(GlobalFoundries)、聯(lián)電等大
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體 20納米

倍受矚目的倒車后視系統(tǒng)面臨設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)

美國(guó)交通部在2011年12月提出新的安全法規(guī)，旨在幫助消除車輛后方的盲區(qū)，這些盲區(qū)導(dǎo)致駕駛員很難看到車后的行人 - 特別是幼童，此法規(guī)使得基于視頻的汽車安全系統(tǒng)這一新興領(lǐng)域成為公眾矚目的焦點(diǎn)。此次提出的倒車后
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基于GPS的恒溫晶振頻率校準(zhǔn)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

摘要：針對(duì)目前廣泛對(duì)高精度頻率源的需求，利用FPGA設(shè)計(jì)一種恒溫晶振頻率校準(zhǔn)系統(tǒng)。系統(tǒng)以GPS接收機(jī)提供的秒脈沖信號(hào)為基準(zhǔn)源，通過(guò)結(jié)合高精度恒溫晶振短期穩(wěn)定度高與GPS長(zhǎng)期穩(wěn)定特性好、跟蹤保持特性強(qiáng)的優(yōu)點(diǎn)，設(shè)計(jì)
關(guān)鍵字： GPS 恒溫晶振頻率校準(zhǔn) 系統(tǒng)

半導(dǎo)體搶入16/14nm FinFET制程業(yè)者掠地

　　EDA業(yè)者正大舉在FinFET市場(chǎng)攻城掠地。隨著臺(tái)積電、聯(lián)電和英特爾(Intel)等半導(dǎo)體制造大廠積極投入16/14奈米FinFET制程研發(fā)，EDA工具開發(fā)商也亦步亦趨，并爭(zhēng)相發(fā)布相應(yīng)解決方案，以協(xié)助IC設(shè)計(jì)商克服電晶體結(jié)構(gòu)改變所帶來(lái)的新挑戰(zhàn)，卡位先進(jìn)制程市場(chǎng)。　　16/14奈米(nm)先進(jìn)制程電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化(EDA)市場(chǎng)戰(zhàn)火正式點(diǎn)燃。相較起28/20奈米制程，16/14奈米以下制程采用的鰭式場(chǎng)效電晶體(FinFET)結(jié)構(gòu)不僅提升晶片設(shè)計(jì)困難度(圖1)，更可能拖累產(chǎn)品出貨時(shí)程，為協(xié)助客戶能突破Fi
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體 14nm

莫大康：縮小半導(dǎo)體工藝尺寸能走多遠(yuǎn)？

　　推動(dòng)半導(dǎo)體業(yè)進(jìn)步有兩個(gè)輪子，一個(gè)是工藝尺寸縮小，另一個(gè)是硅片直徑增大，而且總是尺寸縮小為先。由半導(dǎo)體工藝路線圖看，2013年應(yīng)該進(jìn)入14納米節(jié)點(diǎn)，觀察近期的報(bào)道，似乎已無(wú)異議，而且仍是英特爾挑起大樑。盡管摩爾定律快“壽終正寢”的聲音已不容置辯，但是14nm的步伐仍按期走來(lái)，原因究竟是什么? 　　傳統(tǒng)光刻技術(shù)與日俱進(jìn) 　　當(dāng)尺寸縮小到22/20nm時(shí)，傳統(tǒng)的光刻技術(shù)已無(wú)能力，必須采用輔助的兩次圖形曝光技術(shù)。　　提高光刻的分辨率有3個(gè)途徑：縮短曝光波長(zhǎng)、增大鏡頭數(shù)值孔徑NA
關(guān)鍵字： ASML 半導(dǎo)體

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半導(dǎo)體?測(cè)試?系統(tǒng)?介紹

您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條半導(dǎo)體?測(cè)試?系統(tǒng)?!
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