半導(dǎo)體文章最新資訊

安森美半導(dǎo)體推出應(yīng)用于汽車(chē)的全新可調(diào)輸出低壓降穩(wěn)壓器系列

應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ONNN)推出兩款全新低壓降(LDO)穩(wěn)壓器IC產(chǎn)品。新器件基于公司領(lǐng)先市場(chǎng)的汽車(chē)電源管理方案設(shè)計(jì)，非常適用于汽車(chē)
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半導(dǎo)體奧林匹克ISSCC開(kāi)幕

　　被譽(yù)為半導(dǎo)體奧林匹克的國(guó)際會(huì)議“ISSCC2012”于20日在美國(guó)舊金山開(kāi)幕。開(kāi)幕前一天舉行了“Flash-Memory Based Circuit, System, and Platform Design”與“Mobile GHz Processor Design Techniques”的發(fā)布會(huì)，以及“Robust VLSI Circuit Design and Systems for Sustainable Soc
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東莞電動(dòng)汽車(chē)、半導(dǎo)體等四項(xiàng)目獲資助4800萬(wàn)元

　　據(jù)東莞時(shí)報(bào)“政府出題、企業(yè)應(yīng)征”2010年?yáng)|莞市重大科技專(zhuān)項(xiàng)項(xiàng)目下達(dá) 。經(jīng)2011年第27次市黨政領(lǐng)導(dǎo)班子聯(lián)席會(huì)議討論，東莞市將對(duì)2010年度市重大科技專(zhuān)項(xiàng)《純電動(dòng)汽車(chē)集成開(kāi)發(fā)關(guān)鍵技術(shù)研究及應(yīng)用》、《電動(dòng)汽車(chē)動(dòng)力電池關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化》、《第三代半導(dǎo)體碳化硅外延晶片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化》、《半導(dǎo)體照明產(chǎn)品質(zhì)量檢測(cè)與評(píng)價(jià)體系的研究》4個(gè)項(xiàng)目分別立項(xiàng)資助2800萬(wàn)元、700萬(wàn)元、800萬(wàn)元和500萬(wàn)元，資助總額4800萬(wàn)元。　　2010重大科技專(zhuān)項(xiàng)鎖定電動(dòng)汽車(chē)和半導(dǎo)體等專(zhuān)題　　
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半導(dǎo)體技術(shù)進(jìn)入10納米世代材料、機(jī)臺(tái)將是2大挑戰(zhàn)

全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)奉為圭臬的摩爾定律(Moore’s Law)發(fā)展雖有面臨瓶頸的挑戰(zhàn)，然目前半導(dǎo)體業(yè)者仍積極發(fā)展新材料，并在制程微縮上加緊腳步，國(guó)研院國(guó)家納米元件實(shí)驗(yàn)室便表示，「三角型鍺鰭式晶體管」技術(shù)可克服矽基材上的鍺通道缺陷問(wèn)題，讓半導(dǎo)體技術(shù)進(jìn)入10納米制程。
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意法半導(dǎo)體(ST)宣布公司高管變動(dòng)

中國(guó)，2012年2月21日 ——橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域的全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱(chēng)ST;紐約證券交易所代碼：STM)近日宣布Carlo Ferro接受公司新的任命，擔(dān)任ST-Ericsson公司首席運(yùn)營(yíng)官，致力于實(shí)現(xiàn)公司的全面轉(zhuǎn)型。　　意法半導(dǎo)體總載兼首席執(zhí)行官Carlo Bozotti表示：“在Ferro擔(dān)任首席財(cái)務(wù)官的6年中，我們
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DIGITIMES Research：TSV 3D IC面臨諸多挑戰(zhàn)

　　2016年將完成多種半導(dǎo)體異質(zhì)整合水平　　TSV3DIC技術(shù)雖早于2002年由IBM所提出，然而，在前后段IC制造技術(shù)水準(zhǔn)皆尚未成熟情況下，TSV3DIC技術(shù)發(fā)展速度可說(shuō)是相當(dāng)緩慢，DIGITIMESResearch分析師柴煥欣分析，直至2007年?yáng)|芝(Toshiba)將鏡頭與CMOSImageSensor以TSV3DIC技術(shù)加以堆棧推出體積更小的鏡頭模塊后，才正式揭開(kāi)TSV3DIC實(shí)用化的序幕。　　于此同時(shí)，全球主要芯片制造商制程技術(shù)先后跨入奈米級(jí)制程后，各廠商亦警覺(jué)到除微縮制程技術(shù)將面臨物
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機(jī)電式繼電器實(shí)現(xiàn)突破性創(chuàng)新

機(jī)電式繼電器被公認(rèn)是可靠、具魯棒性的低成本器件。繼電器的制造量與日俱增，并被成功運(yùn)用于實(shí)現(xiàn)信號(hào)和能量分...
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應(yīng)用材料：2012年半導(dǎo)體回溫可期

行動(dòng)裝置將成為2012年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)復(fù)蘇的重要推手。尤其在整體經(jīng)濟(jì)環(huán)境趨于明朗后，行動(dòng)裝置強(qiáng)勁的發(fā)展動(dòng)能，更可望帶動(dòng)半導(dǎo)體元件需求快速回升;至于面板與太陽(yáng)能等產(chǎn)業(yè)的反彈速度則相對(duì)較慢。
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解讀2012年電子產(chǎn)業(yè)熱點(diǎn)與企業(yè)策略

2011年是全球電子產(chǎn)業(yè)的調(diào)整期，在內(nèi)外宏觀經(jīng)濟(jì)都不太樂(lè)觀、各產(chǎn)業(yè)不斷跨界融合的背景之下，半導(dǎo)體應(yīng)用聯(lián)盟邀請(qǐng)各電子產(chǎn)業(yè)的精英們對(duì)2012年產(chǎn)業(yè)的熱點(diǎn)及趨勢(shì)展開(kāi)了交流討論，筆者在此擇其精要做一歸納解讀。
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富士通全系列精品將亮相春展

富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司宣布將參加今年2月的深圳會(huì)展。旗下MCU、汽車(chē)電子、無(wú)線通訊、模擬及存儲(chǔ)器、家庭影音等全系列產(chǎn)品線中的產(chǎn)品及解決方案的精品都悉數(shù)登場(chǎng)，全方位展示富士通半導(dǎo)體在消費(fèi)電子、汽車(chē)電子、無(wú)線通訊、電源管理和存儲(chǔ)領(lǐng)域中的卓越表現(xiàn)。
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Hemlock半導(dǎo)體集團(tuán)CEO辭職

　　近日，Hemlock半導(dǎo)體集團(tuán)的首席執(zhí)行官Richard Doornbos宣布辭職，并將于2012年2月29日生效。他從2006年開(kāi)始擔(dān)任公司的首席執(zhí)行官，負(fù)責(zé)過(guò)超過(guò)45億美元的投資。　　道康寧公司的總裁兼首席執(zhí)行官Bob Hansen表示：“Rick的領(lǐng)導(dǎo)才能將Hemlock半導(dǎo)體公司在這樣一個(gè)前所未有的時(shí)期帶入了一個(gè)新時(shí)代。我們會(huì)懷念他33年來(lái)帶給道康寧和Hemlock的激情、專(zhuān)長(zhǎng)和經(jīng)驗(yàn)，我們祝他的退休生活更好。”
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2011年全球半導(dǎo)體行業(yè)營(yíng)業(yè)收入增長(zhǎng)放緩

　　根據(jù)國(guó)際研究暨顧問(wèn)機(jī)構(gòu)Gartner初步統(tǒng)計(jì)結(jié)果，2011年全球半導(dǎo)體營(yíng)業(yè)收入將同比增加0.9%，達(dá)到3020億美元。Gartner表示，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在2011年年初雖有強(qiáng)勁表現(xiàn)，但隨著對(duì)總體經(jīng)濟(jì)的憂慮漸增，2011年設(shè)備及半導(dǎo)體的訂單減少。隨著總體經(jīng)濟(jì)不確定性于年中逐漸升高，使消費(fèi)者延遲購(gòu)買(mǎi)，再加上政府為避免承擔(dān)更多債務(wù)而暫緩基礎(chǔ)建設(shè)的擴(kuò)大支出計(jì)劃，使得設(shè)備庫(kù)存隨著時(shí)間增加，影響層面逐漸擴(kuò)及整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。
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Digi-Key公司與Ramtron簽署全球經(jīng)銷(xiāo)協(xié)議

Digi-Key 公司是一家知名的電子元件經(jīng)銷(xiāo)商，被設(shè)計(jì)師們譽(yù)為業(yè)內(nèi)最廣泛的電子元件庫(kù)，提供立即發(fā)貨服務(wù)，日前宣布已經(jīng)與 Ramtron International Corporation (Nasdaq: RMTR) 簽署全球經(jīng)銷(xiāo)協(xié)議。
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半導(dǎo)體激光控制器的設(shè)計(jì)

近年來(lái),隨著光電技術(shù)的迅猛發(fā)展,激光器已廣泛應(yīng)用于醫(yī)療、國(guó)防、測(cè)量等各個(gè)領(lǐng)域。而環(huán)境溫度變化會(huì)直接影響激光器的波長(zhǎng)。把關(guān)鍵元件(如高性能晶振、SAW 濾波器、光放大器、激光二極管) 的本機(jī)溫度限制在窄范圍內(nèi),可
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2012年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)最佳狀況僅能小幅成長(zhǎng)

　　據(jù)蘋(píng)果日?qǐng)?bào) 由于今年全球經(jīng)濟(jì)前景仍充滿不確定性，以及半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的庫(kù)存量降低速度不夠快，無(wú)法刺激新增的需求，因此2012年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，最佳的狀況僅能小幅成長(zhǎng)。　　預(yù)估2012年全球半導(dǎo)體營(yíng)業(yè)額將達(dá)3232億美元(約9兆5667億元臺(tái)幣)，較2011年的3128億美元小幅成長(zhǎng)3.3%，不過(guò)比起2011年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的營(yíng)業(yè)額僅有1.25%的年增率，稍有進(jìn)步。　　如2013年美國(guó)及其他區(qū)的經(jīng)濟(jì)狀況開(kāi)始復(fù)蘇，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的成長(zhǎng)可望恢復(fù)活力，估2013~2015年間，半導(dǎo)體營(yíng)業(yè)額的年成長(zhǎng)率，將可達(dá)到6
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體晶圓

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半導(dǎo)體介紹

semiconductor 電阻率介于金屬和絕緣體之間并有負(fù)的電阻溫度系數(shù)的物質(zhì)。半導(dǎo)體室溫時(shí)電阻率約在10-5～107歐·米之間，溫度升高時(shí)電阻率指數(shù)則減小。半導(dǎo)體材料很多，按化學(xué)成分可分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類(lèi)。鍺和硅是最常用的元素半導(dǎo)體；化合物半導(dǎo)體包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物（砷化鎵、磷化鎵等）、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物), [ 查看詳細(xì) ]