半導體文章最新資訊

國外軍事和宇航應用寬帶隙半導體技術(shù)的發(fā)展

用微電子器件是一些需要在惡劣環(huán)境中長時間持續(xù)工作而無須維修的器件,對性能、可靠性、重量、體積和能耗等方面都有著極其苛刻的要求,其開發(fā)制造成本也較高。通常,宇航及其他軍用微電子系統(tǒng)要求在長期存放過程中性能不退化,如導彈要求存放10至20年仍能滿足安全和可靠性的要求;空間應用系統(tǒng)要求穩(wěn)定的可靠性、極小的體積并能完成嚴格的檢測和試驗;航空電子系統(tǒng)要經(jīng)受短時間內(nèi)溫度、濕度和環(huán)境壓力的極度變化;此外,這些電子系統(tǒng)還必須具有極強的抗
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九洲光電LED半導體系列產(chǎn)品被軍事領(lǐng)域肯定

　　九洲光電LED半導體照明產(chǎn)品系列涵蓋了道路照明、景觀照明、室內(nèi)照明和室外照明，是已經(jīng)進入軍事照明領(lǐng)域的LED企業(yè)，并且在地鐵、飛機、艦船等特種照明應用領(lǐng)域儲備了大量專利技術(shù)和完整解決方案。　　近日，中國國防科技工業(yè)企業(yè)管理協(xié)會授予四川九洲光電科技股份有限公司“軍工節(jié)能減排供應商資格”，對四川九洲光電科技股份有限公司的LED半導體系列產(chǎn)品在節(jié)能減排上的表現(xiàn)表示肯定。　　四川九洲光電科技股份有限公司致力于發(fā)展綠色環(huán)保、節(jié)能減排高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)，公司主要產(chǎn)品為LED半導體器件、L
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半導體激光器軍事用途

由于半導體激光器具有結(jié)構(gòu)簡單、體積小、壽命較長、易于調(diào)制及價格低廉等優(yōu)點, 廣泛應用于軍事領(lǐng)域,，如激光制導跟蹤、激光雷達、激光引信、激光測距、激光通信電源、激光模擬武器、激光瞄準告警、激光通信和激光陀螺等。目前, 世界上的發(fā)達國家都非常重視大功率半導體激光器的研制及其在軍事上的應用。　　半導體激光引信是一種光學引信, 屬主動式近炸引信的技術(shù)范疇。激光引信通過激光對目標進行探測, 對激光回波信息進行處理和計算,
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圍繞IC設計的上下游行業(yè)動向

“2011中國半導體行業(yè)協(xié)會集成電路設計分會年會”期間，部分國內(nèi)外著名企業(yè)分析了當今EDA、IP、設計服務、代工、掩模的技術(shù)市場趨勢。
關(guān)鍵字： EDA 半導體 201201

2012尋找半導體諾亞方舟

一部好萊塢的電影，讓2012成為極易觸動神經(jīng)的年份，無法阻擋的時間車輪現(xiàn)在把2012年帶到我們面前?，斞湃说念A言是否屬實其實不重要，2012年對全球經(jīng)濟而言，確實將是一場極為嚴峻的考驗。在這樣一個風雨飄搖的經(jīng)濟動蕩中，尋找屬于自己的諾亞方舟是半導體在2012年最重要的任務。　　越是在經(jīng)濟形勢不明朗的時候，我們越應該打開思維去擁抱未來，因此我們尋找半導體諾亞方舟的旅程也應該用更開放的視角去審視整個產(chǎn)業(yè)。固然我們無法指望這些諾亞方舟能夠在經(jīng)濟蕭條期力挽狂瀾令半導體產(chǎn)業(yè)逆勢飄紅，但至少依靠這些具
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誰家新燕啄春泥

在分析預測2012年市場形勢的各種版本中，臺積電董事長張忠謀用了一個比較悲涼的說法“現(xiàn)在已看不到燕子，而且可能在未來的一年，都看不到燕子?！鄙踔磷詈笥謴娬{(diào)“明年全球看不到燕子”。這位全球最大半導體代工企業(yè)掌門人所形容的局面，儼然比兩年前的形勢更為嚴峻，是否意味著半導體市場將迎來一個風雨飄搖的2012?
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2012年世界電子產(chǎn)業(yè)展望(上)

無庸諱言，全球經(jīng)濟正處于動蕩和進一步的不確定之中，復雜嚴峻，各機構(gòu)的預測不可不信又不可全信，人們要開動腦筋，及時觀察，靈活應變。電子產(chǎn)業(yè)高層當前要握住現(xiàn)金，增加研發(fā)投資和產(chǎn)品開發(fā)以迎接未來，不可盲目擴大。只有精心制定長遠規(guī)劃，謹慎管理資源和竭力避免市場風險的企業(yè)，方能成為贏家。
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今年全球半導體設備支出臺灣第二大

　　市場預估，2012年全球半導體晶圓廠設備支出將在第三季反彈，總額約為350億美元，年減11%，其中臺灣的設備投資預約達70.48億美元，雖年減11.9%，仍續(xù)居全球第二大采購市場，值得注意的是，韓國因三星大舉投資晶圓代工，以102.55億美元、年成長38.6%，躍居全球設備投資之冠。　　臺積電去年資本支出從78億美元下修到74億美元，降幅約5%，市場傳出今年將比去年減約20%以內(nèi);下周三法說會可望公布今年資本支出額。　　SEMI昨公布全球晶圓廠預估報告指出，上半年景氣走緩，2012年全球半導體
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半導體今年資本支出持平價格戰(zhàn)恐再起

　　巴克萊資本證券亞太區(qū)半導體首席分析師陸行之出具報告表示，半導體產(chǎn)業(yè)仍為減碼，預估聯(lián)電、世界先進，晨星在去年第4季和今年第1季優(yōu)于預期下，將優(yōu)于同業(yè)的表現(xiàn)。短線建議投資人避開基板廠如南電，景碩。展望今年晶圓代工、封測，以及基板廠營收年成長可達5-9%，資本支出將持平，但今年折舊速度過快，產(chǎn)能恐過剩，預期價格戰(zhàn)將起，部分廠商現(xiàn)金流可能惡化。　　展望今年第1季，陸行之指出，基板廠營收可能季減10-12%，封測廠營收季減8-12%，晶圓代工臺積電、聯(lián)電營收季減也有4-6%。由于眾多相關(guān)應用興起，預估PC、
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松下關(guān)閉鹿兒島半導體工廠

　　松下電器公司計劃在2年內(nèi)關(guān)閉位于鹿兒島縣日置市的一家半導體工廠。　　這一消息是鹿兒島縣知事伊藤祐一郎今日向媒體透露的。伊藤知事稱，松下電器公司已經(jīng)向鹿兒島縣政府和日置市政府報告了這一計劃。　　日置市政府已經(jīng)成立了一個對策本部，對于工廠關(guān)閉后對市財政的影響，以及雇用問題進行對應。該工廠目前有600余名職員。
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三星中國換帥半導體業(yè)務發(fā)力

　　原三星電子液晶面板事業(yè)部社長張元基正式就任三星集團大中華區(qū)總裁。對于中國三星來講，等待新總裁張元基的首要任務是：正式啟動液晶面板、芯片等尖端技術(shù)領(lǐng)域的在華投資。　　事實上，就在1月4日韓國知識經(jīng)濟部宣布，韓國政府已批準三星電子在中國設立10納米級NAND閃存工廠的申請——10納米級NAND閃存是韓國的國家核心技術(shù)之一，主要用于智能手機和平板電腦。此前，三星在韓國之外只有在美國得克薩斯州奧斯汀有一家同類芯片工廠。　　張元基的升遷緣于韓國三星電子之前的一位副會長李潤雨的退休
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2011年十大半導體廠商營收排名

根據(jù)國際研究暨顧問機構(gòu) Gartner 初步統(tǒng)計結(jié)果， 2011年全球半導體營收較 2010年微幅增加0.9%，達到3,020億美元。半導體產(chǎn)業(yè)在今年年初雖有強勁表現(xiàn)，但隨著對整體經(jīng)濟的憂慮漸增，導致2011年設備及半導體的訂單減少。
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IHS：2011 Q3至Q4半導體庫存終于下降

　　據(jù)eettaiwan 為了抑制供過于求，過去幾季以來業(yè)界不斷減少產(chǎn)量;而根據(jù)市調(diào)機構(gòu)IHS iSuppli指出，2011年第三季，半導體庫存出現(xiàn)了八季以來的首次下降情況，且第四季還可望進一步下降。　　據(jù)IHSiSuppli公司稍早前公布的庫存報告(InventoryInsiderreport)，2011年第三季半導體庫存天數(shù)(DOI)從第二季的83天下降2.5%，來到81天。　　自2009年以來，DOI一直呈現(xiàn)穩(wěn)定上升趨勢。當時的庫存天數(shù)僅約65天左右。這是由于當時晶片制造商為了因應全球性的經(jīng)
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2012年半導體產(chǎn)業(yè)營收增長4%

　　美國華爾街分析師預測，全球半導體產(chǎn)業(yè)營收繼2011年成長1~2%之后，2012年成長率將在0~4%之間。　　“我們?nèi)跃S持對半導體產(chǎn)業(yè)的樂觀看法，認為景氣將在2012年第一季觸底，并在下半年隨著庫存去化而全面復蘇;下半年產(chǎn)業(yè)成長率表現(xiàn)可望超越終端市場?！盉arclaysCapital分析師CJMuse表示，該機構(gòu)估計2012年半導體產(chǎn)業(yè)成長率將表現(xiàn)持平、最多至4%，與低于原先預期的全球GDP成長率一致。　　BarclaysCapital稍早之前預期，2012年全球芯片產(chǎn)業(yè)
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納米復合材料省部共建教育部重點實驗室正式落戶

　　依托于哈爾濱師范大學的“半導體納米復合材料省部共建教育部重點實驗室”獲教育部正式批準建設，是哈師大在高層次、高水平科技創(chuàng)新平臺建設方面取得的又一新突破。　　該實驗室以王選章教授為首席專家，以兩個一級學科碩士學位授予點和兩個一級學科省級重點學科、“功能納米材料合成及其應用研究”和“新型功能材料與綠色化學”兩個黑龍江省科技創(chuàng)新團隊及黑龍江省“高水平大學”特色優(yōu)勢學科(物理學)建設項目等為依托培養(yǎng)人才，并以微
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半導體介紹

semiconductor 電阻率介于金屬和絕緣體之間并有負的電阻溫度系數(shù)的物質(zhì)。半導體室溫時電阻率約在10-5～107歐·米之間，溫度升高時電阻率指數(shù)則減小。半導體材料很多，按化學成分可分為元素半導體和化合物半導體兩大類。鍺和硅是最常用的元素半導體；化合物半導體包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物（砷化鎵、磷化鎵等）、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物), [ 查看詳細 ]