內(nèi)存芯片 文章 進入內(nèi)存芯片技術社區(qū)
美國商務部向美光科技提供 61 億美元資金,用于在該國生產(chǎn)芯片
- 12 月 11 日消息,美國商務部周二表示,作為2022 年《芯片和科學法案》的一部分,美光科技已獲得高達 61.65 億美元(當前約 448.07 億元人民幣)的撥款,用于在美國制造半導體。該機構表示,這筆資金將支持美光的“二十年愿景”,即在紐約投資約 1000 億美元、在愛達荷州投資 250 億美元用于新工廠,并創(chuàng)造約 20,000 個新工作崗位。美國商務部還表示,美光將根據(jù)某些里程碑的完成情況逐步獲得上述資金。此外,美國商務部還宣布已與美光科技達成初步協(xié)議,將額外提供 2.75 億美元資金,用于擴建
- 關鍵字: 美國 美光科技 生產(chǎn)芯片 半導體 DRAM 內(nèi)存芯片 存儲芯片
芯片制造轉(zhuǎn)移,價格大變
- 7 月,處在 2024 年中,不僅是上下半年的過渡期,也是整個半導體產(chǎn)業(yè)由衰轉(zhuǎn)盛的過渡期,因為行業(yè)正在從 2023 年的低谷期向上走,根據(jù)各大市場研究機構統(tǒng)計和預測,2024 上半年依然處于恢復期,下半年的行情會比上半年好很多。在這種情況下,處于年中過渡期的 6、7 月份,受多種因素影響,也成了多事之秋,特別是芯片制造,訂單和制造產(chǎn)線轉(zhuǎn)移輪番上演,芯片價格也隨之變化。晶圓代工轉(zhuǎn)單加劇臺積電最新財報顯示,2024 年第二季度以客戶總部所在地劃分,北美占比仍然最大,達到 65%,中國大陸市場則急速拉升至 16
- 關鍵字: 內(nèi)存芯片
三星否認自家 HBM 內(nèi)存芯片未通過英偉達測試,“正改善質(zhì)量”
- 5 月 27 日消息,此前有消息稱三星電子最新的高帶寬內(nèi)存(HBM)芯片尚未通過英偉達測試,有“知情人士”表示,該公司的芯片因發(fā)熱和功耗問題而受到影響。不過據(jù)韓媒Business Korea 報道,三星電子發(fā)布聲明否認了相關報道,該公司聲稱他們正在與多家全球合作伙伴“順利進行 HBM 芯片測試過程”,同時強調(diào)“他們正與其他商業(yè)伙伴持續(xù)合作,以確保產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性”。三星最近開始批量生產(chǎn)其第五代 HBM 芯片 ——24GB(8-Hi)/ 36GB(12-Hi)的 HBM3E 產(chǎn)品。在目前已量產(chǎn)的 H
- 關鍵字: 三星 HBM 內(nèi)存芯片 英偉達
消息稱三星將發(fā)布超高速32Gb DDR5內(nèi)存芯片
- 2 月 5 日消息,據(jù)報道,三星將在即將到來的 2024 年 IEEE 國際固態(tài)電路峰會上推出多款尖端內(nèi)存產(chǎn)品。除了之前公布的 GDDR7 內(nèi)存(將在高密度內(nèi)存和接口會議上亮相),這家韓國科技巨頭還將發(fā)布一款超高速 DDR5 內(nèi)存芯片。這款大容量 32Gb DDR5 DRAM 采用 12 納米 (nm) 級工藝技術開發(fā),在相同封裝尺寸下提供兩倍于 16Gb DDR5 DRAM 的容量。雖然三星沒有提供太多關于將在峰會上發(fā)布的 DDR5 芯片的信息,但我們知道,這款 DDR5 的 I / O 速度高達每個引
- 關鍵字: 三星 32Gb DDR5 內(nèi)存芯片
全球芯片供應持續(xù)過剩 三星第三季度營業(yè)利潤或下滑80%
- 10月10日消息,因受到全球芯片供應持續(xù)過剩的影響,三星電子的“搖錢樹”業(yè)務第三季度可能出現(xiàn)巨額虧損,營業(yè)利潤預計將較上年同期下降80%。作為全球最大的內(nèi)存芯片、智能手機和電視制造商,三星電子將于周三公布第三季度初步業(yè)績。LSEG SmartEstimate對19位分析師進行的調(diào)查顯示,在第三季度,三星電子的營業(yè)利潤可能降至2.1萬億韓元(約合15.6億美元)。相比之下,去年第四季度的營業(yè)利潤為10.85萬億韓元(約合80億美元)。三星營業(yè)利潤大幅下滑的原因是,由于內(nèi)存芯片價格未能像部分人預期的那樣迅速回
- 關鍵字: 全球芯片 過剩 三星 內(nèi)存芯片 智能手機 電視制造商
三星第二季度營業(yè)利潤或暴跌96% 降至14年來最低水平
- 7月6日消息,據(jù)分析師預測,三星電子公司第二季度營業(yè)利潤可能會較上年同期下滑96%,為14年來最低水平。理由是,盡管供應有所減少,但芯片供應過剩仍在繼續(xù)導致這家科技巨頭的“搖錢樹”出現(xiàn)巨額虧損。金融研究機構Refinitiv SmartEstimate對27位分析師進行的一項調(diào)查顯示,作為全球最大的內(nèi)存芯片、智能手機和電視制造商,三星今年第二季度的營業(yè)利潤可能降至5550億韓元(約合4.26億美元)。如果分析師們的預測準確,這將是三星自2008年第四季度以來的最低營業(yè)利潤,當時三星電子公布了約7400億韓
- 關鍵字: 三星 內(nèi)存芯片 智能手機 電視制造商 芯片供應
無需3nm工藝 全球首顆商用存內(nèi)計算SoC問世:功耗低至1毫安
- 臺積電明年就要宣布量產(chǎn)3nm工藝,這是當前最先進的半導體工藝,然而3nm這樣的工藝不僅成本極高,同時SRAM內(nèi)存還有無法大幅微縮的挑戰(zhàn),國產(chǎn)半導體芯片公司知存科技今年3月份推出了WTM2101芯片,是全球首顆商用存內(nèi)計算SoC。存內(nèi)計算是一種新型架構的芯片,相比當前的計算芯片采用馮諾依曼架構不同, 存內(nèi)計算是計算與數(shù)據(jù)存儲一體,可以解決內(nèi)存墻的問題,該技術60年代就有提出,只是一直沒有商業(yè)化。知存科技的WTM2101芯片是國際首顆商用存內(nèi)計算SoC芯片,擁有高算力存內(nèi)計算核,相對于NPU、DSP
- 關鍵字: 臺積電 3nm 內(nèi)存芯片
芯片巨頭美光:成功繞過了EUV光刻技術
- 本周美光宣布,采用全球最先進1β(1-beta)制造工藝的DRAM內(nèi)存芯片已經(jīng)送樣給部分手機制造商、芯片平臺合作伙伴進行驗證,并做好了量產(chǎn)準備。 1β工藝可將能效提高約15%,存儲密度提升35%以上,單顆裸片(Die)容量高達16Gb(2GB)?! ∫粋€值得關注的點是,美光稱,1β繞過了EUV(極紫外光刻)工具,而依然采用的是DUV(深紫外光刻)?! ∵@意味著相較于三星、SK海力士,美光需要更復雜的設計方案。畢竟,DRAM的先進性很大程度上取決于每平方毫米晶圓面積上集成更多更快半導體的能力,各公司目
- 關鍵字: 美光 DRAM 內(nèi)存芯片 光刻機 EUV
消息稱Intel欲出售內(nèi)存芯片業(yè)務:SK海力士100億美元接手
- 據(jù)外媒最新消息稱,Intel可能出售內(nèi)存芯片業(yè)務,而接盤者是SK海力士,價格是100億美元。報道中提到,這家半導體巨頭將對自己進行重新定位,遠離一個具有歷史重要性、但正日益受到挑戰(zhàn)的領域。消息人士稱,這兩家公司正就上述交易展開討論,最快可能會在周一宣布,前提是雙方之間的談判不會在最后時刻破裂。目前尚不清楚這筆交易的細節(jié)信息,如SK海力士具體將收購什么業(yè)務等。Intel旗下內(nèi)存芯片部門生產(chǎn)NAND閃存產(chǎn)品,主要用于硬盤、拇指驅(qū)動器和相機等設備。由于閃存價格下跌的緣故,Intel一直都在考慮退出這項業(yè)務。雖然
- 關鍵字: Intel 內(nèi)存芯片 SK海力士
2013年全球半導體總收入3181億美元
- 2014年4月25日市場研究機構IHS稱,2013年的全球半導體收入增長了5%,其中表現(xiàn)最好的是內(nèi)存芯片產(chǎn)品。 2013年半導體總收入達到3181億美元,較2012年的3031億美元增長5%,有效扭轉(zhuǎn)了這個行業(yè)的發(fā)展趨勢。2012年的半導體收入比2011年的3106億美元減少2.4%。 規(guī)模最大的25家芯片廠商的營收總和達到2253億美元,占整個行業(yè)總收入的71%。營收最高的芯片廠商是英特爾,其2013年的營收為470億美元,對應的市場份額為15%。 IHS的副總裁戴爾福特(Dale
- 關鍵字: 半導體 內(nèi)存芯片
內(nèi)存芯片商揚眉吐氣 靠中國企業(yè)賺錢了
- 7月5日消息,由于中國廉價平板、智能手機需求增長,由于中國移動設備商的出現(xiàn),東芝、海力士等內(nèi)存商終于擺脫了倒霉運,開始收獲金錢了。 在高端產(chǎn)品領域,盡管市場增速沒過去那么快了,但是,這些設備渴望裝上更大的內(nèi)存,也會刺激內(nèi)存銷售的增長。 兩種趨勢之下,加上2011年以來內(nèi)存商縮減投資,DRAM(動態(tài)隨機訪問存儲器)和NAND內(nèi)存芯片價格已經(jīng)開始回升,在廠商面前,內(nèi)存制造商抬起頭來,它們有了更高的議價能力。 I’M投資證券公司分析師Hong Sung-ho指出:“
- 關鍵字: 內(nèi)存芯片 NAND
關于我們 -
廣告服務 -
企業(yè)會員服務 -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
