IR推出150V和200V MOSFET

　　國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出一系列150V和200V HEXFET功率MOSFET，為開(kāi)關(guān)模式電源 (SMPS) 、不斷電系統(tǒng) (UPS)、反相器和DC馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器等工業(yè)應(yīng)用提供極低的閘電荷 (Qg)。

　　與其它競(jìng)爭(zhēng)器件相比，IR 150V MOSFET提供的總閘電荷降低了高達(dá)59%。至于新款200V MOSFET的閘電荷，則比競(jìng)爭(zhēng)器件的降低了多達(dá)33%。

　　IR亞洲區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“隨著DC-DC功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用技術(shù)的日益進(jìn)步，開(kāi)關(guān)頻率也有所提高，輸入電容和閘電荷在整體效率方面擔(dān)當(dāng)起重要的角色。開(kāi)關(guān)損耗的多少對(duì)快速開(kāi)關(guān)電路來(lái)說(shuō)是關(guān)鍵的問(wèn)題。IR新推出的150V和200V MOSFET正好針對(duì)這個(gè)挑戰(zhàn)做出了優(yōu)化，所以非常適合作為通信應(yīng)用中隔離式DC-DC轉(zhuǎn)換器的主要開(kāi)關(guān)，或者在任何先進(jìn)的DC-DC應(yīng)用中推動(dòng)輕負(fù)載效率。”

　　這些新款MOSFET達(dá)到工業(yè)級(jí)別及第一級(jí)濕度感應(yīng)度 (MSL1) 。它們采用TO220、D2PAK、TO262、DPAK和IPAK封裝，皆為無(wú)鉛設(shè)計(jì)，并符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定 (RoHS) 指令。