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Maxim推出850MHz至1550MHz SiGe無源混頻器

作者: 時間:2009-06-03 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

  推出業(yè)內(nèi)性能最佳的完全集成、850MHz至1550MHz SiGe無源。器件專為多載波電纜前端下行視頻、電纜調(diào)制解調(diào)器終端系統(tǒng)(CMTS)、視頻點播和DOCSIS®兼容的邊沿QAM調(diào)制以及無線基礎設施等應用而設計,在較寬的50MHz至1000MHz IF頻帶內(nèi)具有優(yōu)異的線性度和雜散抑制性能。當配置為下變頻器時,該單個IC提供35dBm的IIP3、24dBm的IP1dB、7.4dB的轉(zhuǎn)換損耗和7.8dB的噪聲系數(shù)。此外,在整個50MHz至1000MHz IF頻帶內(nèi),器件具有優(yōu)異的2 x 1、2 x 2和3 x 3雜散抑制,典型值分別為88dBc、79dBc和101dBc (輸入電平為-14dBm)。器件極高的線性度和優(yōu)異的雜散抑制性能對于確保電纜前端系統(tǒng)中的50MHz至1000MHz DOCSIS兼容傳輸十分重要。

本文引用地址:http://www.2s4d.com/article/94919.htm

  作為上變頻器使用時,具有同樣優(yōu)異的性能:IIP3為33.4dBm、轉(zhuǎn)換損耗僅為7.5dB、LO ±2IF抑制優(yōu)于61dBc、LO ±3IF抑制優(yōu)于78dBc。器件理想用于點對點和點對多點的微波及固定帶寬無線接入基站應用,這些應用需要覆蓋850MHz至1550MHz頻帶的一次和二次IF上變頻級。

  專有的SiGe工藝使在單個芯片中集成了先進的雙平衡內(nèi)核以及一個LO放大器、2個非平衡變壓器和多個分立元件。與類似的競爭方案相比,MAX2051減少了72%的電路板空間和25%的分立元件數(shù)量。器件優(yōu)異的雜散性能還簡化了相鄰諧波分量的濾波要求,從而使濾波器設計更為簡單、尺寸更小、性價比更高。

  為實現(xiàn)較寬的IF范圍,MAX2051包含了同樣寬范圍的LO緩沖電路,該電路針對1200MHz至2250MHz頻帶的高端LO注入架構(gòu)進行了優(yōu)化。片上0dBm LO驅(qū)動緩沖器提供±3dB的驅(qū)動差異控制,從而在整個溫度、電源和輸入功率范圍內(nèi)保證了增益、噪聲系數(shù)和IIP3性能的穩(wěn)定性。MAX2051在-40°C至+85°C工業(yè)級溫度范圍內(nèi)具有優(yōu)異的0.01dB/°C增益變化性能。MAX2051提供緊湊的5mm x 5mm、20引腳TQFN無鉛封裝。



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