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電氣過應力簡介-第2部分

作者: 時間:2015-12-01 來源:網絡 收藏

  在上一篇博客中,我們介紹了絕對最大技術參數(shù)表,說明了串聯(lián)電阻器怎么能用來防止輸入出現(xiàn)問題。過度電源電壓是另一個常見過應力問題。有一種可能是大型瞬態(tài)電壓耦合在電源中。這可能會由電機啟動等負載的電感反沖引起。電源上的大量瞬態(tài)電壓是很多實際系統(tǒng)的常見問題。應該經常針對它進行設計,防止應用出現(xiàn)這樣的問題。

本文引用地址:http://www.2s4d.com/article/283645.htm

  防范電源瞬態(tài)的最常用方法是在每個電源上提供瞬態(tài)電壓抑制器 (TVS)。TVS 可將電源電壓限制在安全等級下,使其不超過最大電源電壓。我們在上篇博客中介紹過 TVS。在本文中,我們將繼續(xù)討論該主題,介紹 TVS 規(guī)范。

  圖 1 是 TVS 器件的典型 V-I 特性。正如之前提到的那樣,該器件的性能很像齊納二極管,只是它經過了優(yōu)化,可對大型瞬態(tài)電流進行快速反應。此外,TVS 的技術參數(shù)還強調了對于防止瞬態(tài)過壓非常重要的主要特性。表 1 是 TVS 規(guī)范實例。注意,所有技術參數(shù)都一一對應于 V-I 曲線上的主要點。我們介紹該規(guī)范時,參考 V-I 曲線有助于清楚地理解該規(guī)范的含義。


  圖1:TVS的V-I特性

  表1:瞬態(tài)電壓抑制器的技術參數(shù)實例


  反向對峙電壓 (VR) 是 TVS 器件的常態(tài)工作電壓。器件在該電壓等級下有效“關斷”,并具有特定數(shù)量的漏電流。漏電流 (IR) 一般在微安級以下。該電流可添加至總電源電流,這對于低功耗應用來說是個問題。將電源增加至反向對峙電壓以上,會導致漏電流增大,而且在達到擊穿電壓 (VBR) 時,TVS 最終會被擊穿。圖 1 顯示了 VR 在 TVS V-I 曲線上的位置。表 1 顯示了在 TVS 規(guī)范實例中 VR= 18V,IR= 5μA。

  擊穿電壓 (VBR) 是 TVS 保護開始擊穿或“接通”以及開始吸收大量電流的點。在其擊穿后,整個 TVS 的電壓將“鉗”在一個相對恒定的電壓上。從表 1 中可以看到,對于我們的 TVS 規(guī)范實例,VBR的范圍是 20V 至 22.1V,擊穿電流 (IBR) 為 1mA。

  參考圖 1 可以注意到,盡管擊穿后電壓相對恒定,但隨著電流的增加,仍將有一些電壓的增量。鉗位電壓 (VC) 的定義有助于理解在擊穿后整個 TVS 的電壓如何增加。鉗位電壓就是 TVS 導通并吸收大量電流時整個 TVS 的壓降。對于有些器件,在不同的電流等級下提供不同的鉗位電壓。在本實例中,在電流 IPP= 13.7A 時,TVS 最大鉗位電壓為 VC= 29.2V。在下一篇博客中,我們將了解如何估算不同電流等級下的鉗位電壓。




關鍵詞: 電氣過應力

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