MAXQ構架上閃存和SRAM存儲器的分配

MAXQ架構是一種基于標準Harvard結構、功能強大的單周期RISC微控制器，程序和數(shù)據存儲總線相互獨立。這種組織形式要求每個存儲器具有專用總線(圖1)，所以可同時讀取指令和操作數(shù)。由于不存在單條數(shù)據總線的沖突問題，MAXQ指令的執(zhí)行時間僅需要單個周期。

圖1. Harvard結構

每個MAXQ器件采用以下存儲器類型：

閃存

SRAM

固定用途ROM

MAXQ器件也可從閃存、固定用途ROM或SRAM執(zhí)行程序代碼。從某個存儲器段執(zhí)行程序代碼時，其它兩個存儲器段可作為數(shù)據存儲器(更多詳細信息，請參閱從閃存執(zhí)行程序和執(zhí)行固定用途ROM函數(shù)部分)。這是因為程序和數(shù)據存儲器總線不能同時存取同一存儲器段。

有人可能認為采用Harvard結構的MAXQ微控制器也不能在非易失閃存中儲存數(shù)據。然而，MAXQ器件內嵌固定用途ROM函數(shù)，允許讀、寫非易失閃存數(shù)據。

從閃存執(zhí)行程序

MAXQ器件中，從閃存執(zhí)行應用程序時，數(shù)據存儲器為SRAM(讀和寫)和固定用途ROM(只讀)。從閃存執(zhí)行代碼時，數(shù)據存儲器映射請參見表1，存儲器映射參見圖2。

SRAM數(shù)據存儲器在存儲器映射中位于地址0x0000至0x07FF (字節(jié)尋址模式下)或地址0x0000至0x03FF (字尋址模式下)。

固定用途ROM在存儲器映射中位于地址0x8000至0x9FFFh (字節(jié)模式)或地址0x8000至0x8FFF (字尋址模式下)。

圖2. 從閃存執(zhí)行應用代碼時的存儲器映射

執(zhí)行固定用途ROM函數(shù)

執(zhí)行固定用途ROM函數(shù)時，數(shù)據存儲器為SRAM(讀和寫)和閃存(讀和寫)。從閃存執(zhí)行應用程序且變量或數(shù)據對象位于閃存時，可通過固定用途ROM函數(shù)讀或寫這些變量或數(shù)據對象。通過跳轉至執(zhí)行固定用途ROM函數(shù)，即可將閃存作為數(shù)據進行存取。從固定用途ROM執(zhí)行代碼時，數(shù)據存儲器映射請參見表2，存儲器映射參見圖3。

SRAM數(shù)據存儲器在存儲器映射中位于地址0x0000至0x07FF (字節(jié)尋址模式下)或地址0x0000至0x03FF (字尋址模式下)。

字節(jié)尋址模式下，CDA0 = 0時，閃存的低半部分在存儲器映射中位于地址0x8000至0xFFFFh；CDA0 = 1時，閃存的高半部分在存儲器映射中位于地址0x8000至0xFFFFh。字尋址模式下，閃存在存儲器映射中位于地址0x8000至0xFFFF。

上一頁 1 2 3 下一頁 關鍵詞： MAXQ 閃存 SRAM存儲器 評論 我來說兩句…… 驗證碼： 相關推薦 Omdia：2027 年 QLC 市場規(guī)模將占整體 NAND 閃存 46.4%，為去年 3.6 倍 網絡與存儲 QLC NAND 閃存 | 2024-06-14 日本東芝正式退市 網絡與存儲 東芝 家電 NAND 閃存 退市 | 2023-12-21 DS80C400／410／411閃存選擇 資源下載 DS80C400／410／411 ROM 閃存 | 2007-04-28 用ADSP-BF533 Blackfin的閃存來運行程序 資源下載 ADSP-BF533 Blackfin 閃存 | 2007-04-19 SIA預測2004年DRAM、閃存和DSP市場增長超過20% hpnet | 2003-06-22 西部數(shù)據發(fā)布公告：今年年底前完成閃存和硬盤業(yè)務分拆 網絡與存儲 西部數(shù)據 硬盤 閃存 | 2024-03-06 閃存的自由發(fā)展之路 hpnet | 2003-08-10 Microchip串行EEPROM器件和串行SRAM存儲器的產品系列介紹 視頻 Microchi[ EEPROM存儲器 SRAM存儲器 Microchip應用方案 | 2012-12-19 傳AMD富士通要合閃存業(yè)務奪Intel龍頭寶座 hpnet | 2002-10-11 [求助]uClinux下使用閃存芯片Am29LV160D taiq | 2005-02-26 基于WISHBONE總線的FLASH閃存接口設計 設計方案 基于 WISHBONE 總線 FLASH 閃存 接口 設計 | 2009-09-29 集邦咨詢稱 2023Q3 全球 DRAM 規(guī)模 134.8 億美元，環(huán)比增長 18% 網絡與存儲 DRAM 閃存 | 2023-12-05 Spansion最新65nm技術GL-S系列NOR閃存產品 視頻 Spansion 閃存 | 2011-08-22 嵌入式閃存發(fā)展低于預期，成本過高成為制約因素 hpnet | 2003-09-17 Calling Utility ROM Functions with IAR\'s Embedded Workbench for MAXQ 資源下載 Calling Utility ROM IAR MAXQ IAR | 2007-04-28 美光：預計臺灣地區(qū)地震對本季度 DRAM 內存供應造成中等個位數(shù)百分比影響 網絡與存儲 DRAM 閃存 美光 | 2024-04-12 閃存安全功能保護您的知識產權 視頻 Numonyx 閃存 | 2009-12-14 如何從應用系統(tǒng)代碼向閃存寫數(shù)據 資源下載 應用系統(tǒng)代碼 閃存 寫數(shù)據 | 2007-04-19 存儲市場前瞻：DDR5 需求顯著增長、AI 崛起讓手機內存邁入 20GB 時代 網絡與存儲 閃存 DRAM NAND | 2023-11-24 ATMEL公司的89系列閃存微控制器 設計方案 ATMEL 公司 系列 閃存 控制器 | 2011-06-27 Converting MAXQ Microcontrollers from Sector-Erasable (SE) to Page-Erasable (PE) Flash Devices 資源下載 MAXQ SE code | 2007-04-28 ATMEL的89系列閃存微控制器應用于EPROM的適配器電路 設計方案 ATMEL 系列 閃存 控制器 應用于 EPROM 適配器 | 2011-06-27 2023Q4 NAND 閃存行業(yè)產值環(huán)比增長 24.5%：三星增長 44.8% 居首位 網絡與存儲 NAND 閃存 存儲 市場分析 | 2024-03-06 毫米波傳感器支持的閃存型號 物聯(lián)網與傳感器 德州儀器 TI 毫米波傳感器 閃存 | 2024-03-11 Spansion公司戰(zhàn)略產品營銷副總裁Robert France 訪談 視頻 Spansion 閃存 | 2011-11-18 通用 DRAM 內存仍供大于求，消息稱三星、SK 海力士相關產線開工率維持 80~90% 網絡與存儲 DRAM 閃存 三星 海力士 | 2024-06-19 Spansion飛索半導體FL-S高速閃存系列新聞發(fā)布會 視頻 Spansion 閃存 | 2011-11-18 ATMEL單片閃存MP3解碼芯片應用 設計方案 ATMEL 單片 閃存 解碼 芯片 應用 | 2011-05-05 三季度全球 DRAM 銷售額達 132.4 億美元，連續(xù)兩個季度環(huán)比增長 網絡與存儲 DRAM 閃存 三星 海力士 | 2023-11-30 NAND閃存芯片詳解 設計方案 閃存 芯片 詳解 | 2011-05-11 上一篇：白光led的詳細介紹 下一篇：DS1877 SFP控制器快速配置指南 技術專區(qū) FPGA DSP MCU 示波器 步進電機 Zigbee LabVIEW Arduino RFID NFC STM32 Protel GPS MSP430 Multisim 濾波器 CAN總線 開關電源 單片機 PCB USB ARM CPLD 連接器 MEMS CMOS MIPS EMC EDA ROM 陀螺儀 VHDL 比較器 Verilog 穩(wěn)壓電源 RAM AVR 傳感器 可控硅 IGBT 嵌入式開發(fā) 逆變器 Quartus RS-232 Cyclone 電位器 電機控制 藍牙 PLC PWM 汽車電子 轉換器 電源管理 信號放大器 關閉