MOSFET封裝進步幫助提供超前于芯片組路線圖的移動功能

　　就芯片電阻等無源元件而言，微型化已經(jīng)造就了在單個元件中結合多個電阻的電阻陣列元件，以及采用極小的0402、0201或01005 SMD封裝的分立元件。然而，MOSFET的微型化通常更具挑戰(zhàn);MOSFET的設計參照了幾項相互沖突的參數(shù);在物理尺寸小、能進行快速高能效開關的元件中，難于實現(xiàn)低導通電阻及將開關應用的能耗降至最低。為了實現(xiàn)這些參數(shù)的高質量組合，元件必須擁有小裸片尺寸，并帶有高單元密度及低電容和低閘極電荷。

　　移動設備用MOSFET的微型化

　　通常情況下，有多種設計手段可行。功率MOSFET設計人員傾向于使用超結(super junction)、深溝槽(deep trench)或其它先進的溝槽技術來提供低導通電阻及高壓能力和小裸片尺寸。在小信號MOSFET中，如那些用于在移動設備中采用2.5 V或1.8 V低電壓工作的負載開關及接口的小信號MOSFET，必須追尋其它技術來減小封裝尺寸和每個裸片尺寸的導通電阻。事實上，每個裸片尺寸的導通電阻是主導用于負載開關型應用的MOSFET的真正關鍵的評判標準。

　　最新世代小信號MOSFET被設計為提供低閾值電壓，規(guī)定的閘極驅動電壓低至1.5 V，使元件能夠提供極低導通電阻，用于采用鋰離子電池提供的低電壓工作的便攜應用。

　　為了將這些元件能夠提供的小裸片尺寸的優(yōu)勢提升至最多，它們提供寬廣超小型封裝選擇來供貨，涵蓋從尺寸為1.6 x 1.6 x 0.5 mm的SOT-563封裝到尺寸為1.0 x 0.6 x 0.4mm SOT-883的封裝等。最新的器件，如安森美半導體的N溝道NTNS3193NZ 及P溝道NTNS3A91PZ充分利用極纖薄導線架平面網(wǎng)格陣列(XLLGA)亞芯片級封裝技術的優(yōu)勢，進一步推進了小信號MOSFET的微型化。