加強(qiáng)ESD保護(hù)的小竅門

1   引言

電路板設(shè)計人員不僅需要外部靜電放電保護(hù)，還需要考慮到小幾何形狀芯片組的脆弱性，確保其足夠堅固耐用。如前一篇論文所述，在受保護(hù)的數(shù)據(jù)線或I/O 引腳上放置8 kV 額定ESD 器件并不能保證芯片組本身在系統(tǒng)內(nèi)測試中通過8 kV。

通常情況下，ESD設(shè)備本身并不能提供足夠的保護(hù)，因此會導(dǎo)致芯片組過早出現(xiàn)故障。本文列舉了一些指導(dǎo)原則，為設(shè)計人員加強(qiáng)板載ESD保護(hù)提供參考。

2   設(shè)備安置和布局

要使ESD保護(hù)器發(fā)揮最大功效，器件的位置和布局至關(guān)重要。為此，設(shè)計人員最好了解各種寄生電感對電路板的影響。需要特別關(guān)注的是電感，因為僅通過1 nH的8 kV ESD 沖擊（即30 A）就會在PCB 線路上產(chǎn)生30 V 的尖峰電壓：

注：本討論假定所有ESD威脅都通過圖1中的端口進(jìn)入系統(tǒng)。

圖1 靜電放電器件需要考慮的四個寄生電感

在決定ESD 器件的位置時，應(yīng)考慮LESD、LGND、LIC 和LPORT 這四個寄生電感，圖1 顯示了它們的位置。LESD 和LGND 有增加箝位電壓（或VIC）的作用，而LIC和LPORT 則對設(shè)計者有利。我們先來看看這兩個有害電感。

3   LESD和LGND

有時，電路板的布局不允許將ESD 器件直接放置在PCB 線路上。原因各有不同，但歸根結(jié)底，將靜電放電元件放置在距離受保護(hù)數(shù)據(jù)線一厘米遠(yuǎn)的地方，就能迅速轉(zhuǎn)化為數(shù)十伏的電壓。GND 總線也是如此。在某些設(shè)計中ESD 器件的GND 必須通過多個通孔，甚至要經(jīng)過迂回路徑才能到達(dá)GND 平面。

除了流經(jīng)ESD 設(shè)備的ESD 電流所產(chǎn)生的電壓外，這兩個電感還會產(chǎn)生電壓尖峰（即IPEAK * RDYNAMIC）。

下面的簡化示例將說明LESD 和LGND 對VIC 的影響。在舉例說明之前，我們需要指出的是，常見的PCB 制造工藝可為典型的微帶線跡提供約3 nH/cm（假設(shè)具有一定的寬度、厚度和介電常數(shù)）。

有鑒于此，讓我們在本例中假設(shè)一個8 kV 的ESD脈沖和一個動態(tài)電阻為1 Ω的ESD器件。此外，讓我們看看兩種不同的布局，布局A 和布局B，它們的LESD=LGND=1.5 nH（各為0.5 cm）和LESD=LGND=3.0 nH（各為1.0 cm）。

因此，只要將痕量長度（即LESD 和LGND）從0.5 cm增加到1 cm，VIC 就能增加75%。圖2 顯示了布局B 以及與每個元件相關(guān)的電壓。

圖2 帶相關(guān)電壓的布局B圖示例

4   LIC和LPORT

在許多ESD器件數(shù)據(jù)表中，通常會說明要將器件盡可能靠近ESD進(jìn)入點(diǎn)。這樣做的目的是使LPORT 與LIC 的比率盡可能小（即L_IC>>L_PORT）。L_PORT的電感不一定會影響整體ESD性能，但L_IC的電感肯定會。

L_IC的非線性特性將通過提供“朝向”集成電路的巨大壓降，對ESD 脈沖的初始峰值電流起到緩沖作用。

隨著電感的減小（即ESD器件越來越靠近集成電路），壓降會不斷減小，直至不再產(chǎn)生額外的優(yōu)勢。因此，對設(shè)計人員最有利的是使L_PORT與L_IC的比率盡可能小，以利用PCB 線路的寄生特性。圖3 顯示了我們所指的電壓降。

圖3 集成電路的電壓降

圖4 靜電放電器件和受保護(hù)的集成電路分擔(dān)靜電放電脈沖的電流負(fù)載

利用L_IC和L_PORT是提高整體ESD性能的直接方法。不過，有些設(shè)計無論上述比率多低，都會過早失效。換句話說L_IC的值無法為峰值ESD電流提供足夠的緩沖。

5   緩沖電阻

有時，采用前述技術(shù)還不足以為特定電路板設(shè)計提供最大的ESD 保護(hù)。原因是“片上”ESD 結(jié)構(gòu)的電流過大，導(dǎo)致I/O 與GND 或VCC 短路而損壞。

圖4 顯示，ESD 器件和受保護(hù)的集成電路實際上分擔(dān)了來自ESD脈沖的電流負(fù)載，這有助于更清楚地說明問題。該圖（減去跡線電感）顯示的是正靜電放電脈沖，其中保護(hù)裝置承擔(dān)了大部分電流，但它與集成電路本質(zhì)上是一個電阻分壓器。（注：圖中顯示集成電路的兩個導(dǎo)軌上有二極管鉗位，但片上保護(hù)裝置可以是任何其他靜電放電結(jié)構(gòu)，如可控硅。這樣做的目的是為了說明任何片上ESD結(jié)構(gòu)都有一些與ESD器件并聯(lián)的等效電阻）。

如圖4所示，集成電路上的導(dǎo)軌二極管負(fù)責(zé)將剩余電流或“讓通”電流導(dǎo)入V_CC（通常通過旁路電容返回GND）。很難確定集成電路ESD 保護(hù)的等效電阻是多少，但毫無疑問，它要比板載ESD 器件高得多。

例如，如果片上保護(hù)器（RCHIP) 的電阻為10 Ω，外部ESD 保護(hù)器的RDYNAMIC為1 Ω，則集成電路的峰值電流將為：

為幫助降低流入集成電路的峰值電流，可在外部靜電放電裝置和集成電路之間串聯(lián)電阻，如圖5 所示。

圖5 在外部ESD保護(hù)裝置與集成電路（IC）之間串聯(lián)顯示電阻

通過增加一個10 Ω 的緩沖電阻，流入集成電路的峰值電流可降低近50%（在本例中）。

顯然，電阻值可以增加到10 Ω 以上，以進(jìn)一步減小泄放電流，而最大電阻值往往取決于應(yīng)用的具體情況。

還應(yīng)注意的是，在HDMI 和USB 3.0 等一些高速應(yīng)用中使用這種技術(shù)時必須格外小心。RBUFFER 電阻會干擾線路阻抗，使信號衰減超出這兩種標(biāo)準(zhǔn)的合規(guī)規(guī)格，但精心的電路板設(shè)計可以彌補(bǔ)任何不良影響。不過，電路板設(shè)計人員應(yīng)在工具箱中保留這項技術(shù)，并在電路板或系統(tǒng)內(nèi)ESD 電平低于要求時加以應(yīng)用。

6   結(jié)束語

如今，現(xiàn)代芯片組比以往任何時候都更容易受到ESD 瞬變的損害。由于采用了小型幾何技術(shù)，這些集成電路需要堅固耐用的外部ESD 解決方案，以經(jīng)受住系統(tǒng)內(nèi)ESD 測試。

本文給出了電路板設(shè)計人員可用于優(yōu)化ESD 解決方案的四種策略或程序。

●   減少寄生“存根”或LESD 的長度；

●   減少GND 線路的長度和/ 或用于減少LGND 的過孔數(shù)量；

●   在給定的設(shè)計中使LIC 和LPORT 的比率盡可能?。?/p>

●   如果上述1-3 項還不夠，則在ESD 器件和集成電路之間使用緩沖電阻。

所有這些做法都是為了降低集成電路的電壓，并限制芯片上ESD 結(jié)構(gòu)必須處理的電流。遵循這些簡單的規(guī)則，電路板設(shè)計人員就能獲得更強(qiáng)大的ESD 解決方案，從而超越行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。

（本文來源于《EEPW》202507）