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100W MOSFET功率放大器電路

作者: 時間:2023-09-06 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

我們設計了一個使用 的功率放大電路,可產(chǎn)生 100W 的輸出功率,驅(qū)動約 8 歐姆的負載。 所設計的功率放大電路具有效率高、交叉失真和總諧波失真的優(yōu)點。

本文引用地址:http://www.2s4d.com/article/202309/450274.htm

工作原理:

該電路采用多級功率放大原理,包括前置放大器、驅(qū)動器和使用 的功率放大。 前置放大器采用差分放大器,驅(qū)動級是帶有電流鏡負載的差分放大器,功率放大采用 AB 類工作方式。與 BJT 相比,MOSFET 具有驅(qū)動電路簡單、熱穩(wěn)定性較低、輸入阻抗高等優(yōu)點。前置放大器由兩級差分放大器電路組成,用于產(chǎn)生無噪聲放大信號。 前置放大器的第一級由使用 PNP 晶體管的差分模式發(fā)射極耦合放大器組成。第二級由帶有源負載的差分放大器組成,以提高電壓增益。電流鏡像電路實際上確保了輸出電流保持恒定,而不受輸入信號電壓變化的影響。放大后的信號被輸送到推挽放大器級,產(chǎn)生高功率輸出信號。

100W MOSFET 電路圖:

100W MOSFET Power Amplifier Circuit Diagram

電路元件:

R1、R4: 4k 歐姆

R2: 100 歐姆

R3: 50k 歐姆

R5: 1k 歐姆

R6: 50k 歐姆

R7: 10k 歐姆

R8、R9: 100 歐姆

R10、R13: 470 歐姆

R11: 100 歐姆

R12: 3k 歐姆

R14、R15: 0.33 歐姆

C1: 10uF

C2、C3: 18pF

C4: 100nF

Q1、Q2: BC556,PNP 晶體管

Q3, Q4:  MJE340,NPN 晶體管

Q5、Q6: MJE350,PNP 晶體管

Q7: n 溝道 E-MOSFET,IRF530

Q8: p 溝道 E-MOSFET,IRF9530

V1, V2: +/- 50 V.

MOSFET 電路設計:

第一級差分放大器設計:

發(fā)射極電阻器的選擇:  對于高效差分放大器,R3/R2 所給出的共模抑制比應更高。這就要求 R2 的值遠遠低于 R3。在此,我們選擇 100 歐姆的電位器作為 R2,50k 電阻器作為 R3。

集電極電阻的選擇: 如果差分增益約為 50,發(fā)射極電阻約為 100 歐姆,則 R1 和 R4 的值約為 4k。

耦合電容器的選擇:這里我們選擇一個 10uF 的電容器將交流輸入信號耦合到 Q1 的輸入端。

第二級差分放大器設計:

R11 的選擇:發(fā)射極總電流約為 0.5 安培時,發(fā)射極電阻值約為 100 歐姆。

R12 的選擇:電位器 R12 的值由 MOSFET 的柵極閾值電壓和流過 Q4 集電極的靜態(tài)電流(約 50mA)決定。因此 R12 約為 3k。 同樣,R7 的值約為 10k。

選擇負載:差分放大器連接到有源負載,即電流鏡電路。我們選擇 PNP 晶體管 MJE350,每個晶體管的發(fā)射極電阻為 100 歐姆。發(fā)射極電阻的選擇是為了使其上的壓降約為 100mV,以確保晶體管的匹配。

輸出級設計:

我們選擇 N 溝道 MOSFET IRF530 和 P 溝道 MOSFET IRF9530 作為功率放大器。功率為 100 瓦,負載為 8 歐姆時,所需的輸出電壓約為 40V,輸出電流約為 5A。  因此,源電阻的值約為 0.33 歐姆,每個 MOSFET 的電流約為 1.6 安培(輸出電壓/(π 乘以負載電阻))。

100W MOSFET 功率放大器電路工作原理:

PNP 晶體管構成差分放大器電路,其中一個晶體管接收輸入交流信號,另一個晶體管通過反饋接收輸出信號。  交流信號通過耦合電容器耦合到 Q1 的基極,反饋信號通過 R5 和 R6 輸入 Q2 的基極。放大器的輸出通過調(diào)節(jié)電位器來設定。第一級差分放大器的輸出被饋送至第二級差分放大器的輸入端。 當輸入電壓大于反饋電壓時(就第一級差分放大器而言),第二級差分放大器的晶體管 Q3 和 Q4 的輸入電壓同時相差。  晶體管 Q5 和 Q6 構成電流鏡像電路。該電流鏡像電路可確保流向推挽放大器電路的輸出電流保持恒定。

這是因為當 Q3 的集電極電流增大時,Q4 的集電極電流會減小,以保持流過 Q3 和 Q4 發(fā)射極公共點的電流恒定。

此外,電流鏡電路產(chǎn)生的輸出電流等于 Q3 的集電極電流。電位器 R12 可確保為每個 MOSFET 提供適當?shù)闹绷髌珘?。由于兩個 MOSFET 互為補充,當向 Q7 的柵極施加正電壓時,它將導通。同樣,閾值電壓為負時,Q8 導通。柵極電阻用于防止 MOSFET 輸出振蕩。

電路的輸入是頻率為 1khz 的 4Vp-p 交流輸入電壓。 連接示波器時,通道 A 連接輸入,通道 B 連接輸出。將瓦特計連接到負載上,觀察負載上的功率。

100w MOSFET 功率放大器電路的應用:

可用于驅(qū)動揚聲器等音頻負載,作為音頻放大器。

可用于驅(qū)動大功率天線等射頻負載。

可用于實現(xiàn)分布式揚聲器系統(tǒng)

該電路可用于電視、電腦、MP3 播放器等電子設備。

該電路的局限性:

MOSFET 更容易發(fā)生靜電放電。

MOSFET 從電源中汲取的電流相當大,除非使用安全保險絲,否則會損壞整個電路。

該電路容易產(chǎn)生高頻振蕩。

本電路為理論電路,用于教學目的。



關鍵詞: 功率放大器 MOSFET

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