中國高能離子注入機核心技術難關得到突破！

據“中國電科”報道，國內高能離子注入機核心技術難關得到突破！由中國電科所屬北京爍科中科信設備研發(fā)團隊自主研制的國內首臺高能離子注入機已順利進駐國內先進集成電路大生產線。

作為集成電路芯片制造的關鍵設備，離子注入機設備的研制難度極大、研制基礎薄弱，其應用也非常廣泛，不僅可以用做大規(guī)模集成電路和器件和半導體材料的離子注入，還能用于金屬材料表面改性和制膜等方面。

其中，低能大束流離子注入機被應用于制程邏輯、DRAM、3D存儲器和CIS芯片制造中，高能離子注入機則較多應用在功率器件、IGBT、5G射頻、CIS、邏輯芯片等器件制備過程中。

據悉，高能離子注入機是離子注入機中技術難度最大的機型，被認為是離子注入機研發(fā)領域公認的“珠穆朗瑪峰”，是我國集成電路制造裝備產業(yè)鏈上亟待攻克的關鍵一環(huán)。

“中國電科”消息指出，北京爍科中科信設備研發(fā)團隊實現了中束流、大束流、高能、特種應用及第三代半導體等全譜系離子注入機自主創(chuàng)新發(fā)展，大幅縮小了與國際一流水平差距