日本開發(fā)6G芯片：單載波速度高達100Gbps

5G才剛剛開始商用，6G早已經啟動，不少國家、機構、企業(yè)都開始了6G的預研工作。

近日，日本NTT集團旗下的設備技術實驗室成功研發(fā)出一款6G超高速芯片，采用磷化錮(InP)化合物，并在300GHz超高頻段進行了無線傳輸實驗，使用16QAM調制時，獲得了100Gbps的超高速度，相當于10萬兆有線網絡。

更令人驚嘆的是，這一高速只使用了一個載波，如果再輔以多載波聚合，以及MIMO、OAM等空間復用技術，或者未來研發(fā)出新的相關技術，組合之下速度更是不可限量，預計至少能達到400Gpbs，也就是如今5G速度的至少40倍。

當然了，28GHz毫米波就面臨傳輸距離、損耗的嚴峻考驗，300GHz超高頻需要克服的困難必然更多，而且注定只適合短距離高速傳輸。

在此之前，美國加州大學Irvine分校的NCIC實驗室也開發(fā)了一款超越5G的收發(fā)器芯片，55nm SiGe BiCMOS工藝制造，面積2.5×3.5毫米，工作在115-135GHz頻段，成功實現了36Gbps的無線傳輸速度，但距離只有30厘米。

至于6G到底會是什么樣子，誰都沒數，目前所做的都是探索各種可能性。