惠普海力士合作開發(fā)憶阻器存儲

惠普公司今天宣布，已經(jīng)和韓國海力士半導(dǎo)體達成合作研發(fā)協(xié)議，雙方將共同致力于在未來的產(chǎn)品中使用Memristor憶阻器技術(shù)，即使用電阻實現(xiàn)存儲的ReRAM(Resistive Random Access Memory電阻式存儲器)。

憶阻器技術(shù)的研究實際上已有數(shù)十年的歷史。1971年，加州大學(xué)伯克利分校Leon Chua教授預(yù)測，在電容、電阻和電感之外，還存在第四種基本元件：記憶電阻(Memristor)。這種電阻能夠通過施加不同方向、大小電壓，改變其阻值。由于可以使用不同阻值代表數(shù)字信號，憶阻器在計算機存儲領(lǐng)域應(yīng)用前景廣泛。它使用單個元件就可以實現(xiàn)一組閃存電路的功能，并且耗能更少，速度更快。當(dāng)把憶阻器與半導(dǎo)體電路混合時，可以大幅降低處理器芯片中用于存儲的晶體管數(shù)量，明顯降低成本。

發(fā)展歷程

2006年，惠普終于通過實驗證實了憶阻器的存在，并在2008年于自然雜志發(fā)表論文得到世界認可。在證明憶阻器存在后，惠普還在不斷推動這項技術(shù)的進步，包括2009年實現(xiàn)憶阻器電路堆疊，今年上半年又證實憶阻器可實現(xiàn)邏輯電路，即可以在存儲芯片中直接實施運算功能。根據(jù)今天簽訂的協(xié)議，雙方將共同研發(fā)憶阻器技術(shù)，爭取盡快讓使用該技術(shù)的ReRAM商品化。海力士將在自己的研發(fā)和生產(chǎn)制造中逐步應(yīng)用憶阻器技術(shù)。

由于ReRAM屬于非易失性存儲設(shè)備，其最直接的應(yīng)用就是替代閃存，擔(dān)當(dāng)計算機以及各種消費電子設(shè)備中的長期存儲任務(wù)。甚至還可能成為通用性存儲介質(zhì)，取代DRAM甚至硬盤的位置。

憶阻器存儲