讓CMOS集成高壓功能，ESD是關(guān)口
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時(shí)間：2016-09-12
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讓CMOS集成高壓功能，ESD是關(guān)口
本文引用地址：http://www.2s4d.com/article/201609/304843.htm一個(gè)由英飛凌(Infineon Technologies)和印度孟買(mǎi)理工學(xué)院(Indian Institute of Technology, Bombay)組成的聯(lián)合研究小組，近日宣稱(chēng)可將高電壓功能集成在先進(jìn)的CMOS技術(shù)中。
該聯(lián)合項(xiàng)目成立于2007年，主要致力于對(duì)I/O設(shè)備設(shè)計(jì)領(lǐng)域以及多門(mén)MOSFET的45納米CMOS技術(shù)的研究。該聯(lián)合小組研究人員表示，弱ESD魯棒性和高ESD應(yīng)力性，是利用先進(jìn)CMOS技術(shù)制造高壓接口(10V或以上)的主要障礙。
該團(tuán)隊(duì)的研究結(jié)果表明，設(shè)備的高壓功能、從USB接口到高壓線(xiàn)驅(qū)動(dòng)器，都可以集成在采用45納米甚至以下的CMOS片上系統(tǒng)。
英飛凌的ESD研究高級(jí)首席工程師Harald Gossner表示，“這次合作對(duì)我們?cè)诶斫庖恍┈F(xiàn)有設(shè)備的可靠性問(wèn)題是十分有益的，所提出的解決方案也大大提升了我們的產(chǎn)品性能。”
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