集成功率級LED與恒流源電路一體化設計
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目前，功率級LED產(chǎn)品有兩種實現(xiàn)方式：一是采用單一的大面積功率級LED芯片封裝，美國、日本已經(jīng)有5W芯片的產(chǎn)品推向市場，需要低壓大電流的恒流驅動電源供電，其價格也比較高；另一種是采用小功率芯片集成方式實現(xiàn)功率級LED，日本松下電工已經(jīng)開發(fā)出20W的集成LED產(chǎn)品。然而由于功率級LED在低壓大電流條件下工作，對于遠距離的恒流驅動電源供電卻存在著線路功耗大、系統(tǒng)可靠性低等許多難以解決的技術問題。
在承擔的國家級科技攻關項目中，我們將新設計的DIS1xxx系列浮壓恒流集成二極管與LED芯片通過厚膜集成電路工藝技術集成為一體，解決了集成功率級LED在使用中的恒流電源供電問題，其電流穩(wěn)定度、溫度漂移和可靠性等技術指標，均符合項目要求。
2 主要參數(shù)設計
采用單晶硅片作為基板，用雙極型集成電路工藝方法在硅片上制作二氧化硅絕緣層、鋁導電反光層，將多個LED芯片、SMD阻容元件和DIS1xxx 系列浮壓恒流集成芯片集成在一起。通過光刻和擴散工藝，在單晶硅層形成反向穩(wěn)壓二極管，用于泄放靜電，以提高LED的抗靜電能力。我們設計的5W功率級集成LED，采用80個0.3mm
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