兩種常見的MOSFET驅動電路設計

由分立器件組成的驅動電路((如圖所示)，驅動電路工作原理如下：

　　A.當HS為高電平時，Q7、Q4導通，Q6關閉，電容C4上的電壓(約14V)經(jīng)過Q4、D3、R6加到Q5的柵極，使Q5導通。在導通期間，Q5的源極電壓(Phase)接近電源電壓Vdc，所以電容兩端的電壓隨著Phase電壓一起浮動，電容C4亦稱為自舉電容。Q5靠C4兩端的電壓來維持導通。

　　B. 當HS為低電平時，Q7、Q4關閉，Q6導通，為Q5的柵極提供放電回路，從而使Q5很快關閉。當Q5關閉后，由于下管的開通或負載的作用，使得Phase電壓下降接近0V，從而使C4經(jīng)過+15V→D2→C4→GND回路充電，為下一次導通做好準備。

　　C. 當LS為低電平時，Q8、Q11導通，Q10關閉，驅動電路通過R11為下管Q9的柵極充電，使Q9導通。

　　D. 當LS為高電平時，Q8、Q11關閉，Q10導通，為Q9的柵極提供放電回路,使Q9關斷。

　　E. 當HS和LS同時為高電平時，上管開通下管關閉。當HS和LS同時為低電平時，上管關閉下管開通。在實際應用中，為了避免上下管同時開通，HS和LS的邏輯要靠MCU或邏輯電路來保證。

　　半橋驅動芯片組成的驅動電路

　　半橋驅動芯片組成的驅動電路如圖所示，工作原理如下：

　　A.當HS和LS同時為高電平時，HO有驅動電壓輸出，使Q1開通。當HS和LS同時為低電平時，LO有驅動電壓輸出，使Q2開通。

　　B.電容C2與分立器件驅動電路里的C4作用相同，同樣為自舉電容。

　　C.電容C1為去藕電容，為抑制功率MOSFET開關時對驅動電路浮動電源部分的干擾，一般應加上此電容。