高功率LED在室內(nèi)照明發(fā)展所需的技術支持
1 引言
本文引用地址:http://www.2s4d.com/article/168955.htmLED照明市場商機為業(yè)界帶來無窮想象空間,LED照明應用已經(jīng)從過去室外LED跳向室內(nèi)照明應用。根據(jù)Strategies Unlimited統(tǒng)計,未來五年內(nèi)LED室內(nèi)照明的發(fā)展將有指數(shù)型增長趨勢。按照估計,至2011年,其產(chǎn)值將高達數(shù)百億美元。尤其是2009年歐盟率先實施禁用白熾燈計劃,以及節(jié)能議題備受關注,造就了LED室內(nèi)照明巨大的市場機遇和樂觀的前景。下文從散熱技術、光學設計和驅(qū)動設計等燈具技術的需求,分析高功率LED 在室內(nèi)照明領域中的發(fā)展。
高功率LED照明的發(fā)展高功率LED照明的發(fā)展取決于兩大元素:一是芯片本身;二是燈具技術,包含散熱、光學、驅(qū)動。
2 芯片支持
目前,LED 芯片技術發(fā)展的關鍵在于基底材料和外延生長技術?;撞牧嫌蓚鹘y(tǒng)的藍寶石材料、硅和碳化硅,發(fā)展到氧化鋅、氮化鎵等新材料。無論是面向重點照明和整體照明的高功率芯片,還是用于裝飾照明和一些簡單的輔助照明的低功率芯片,技術升級的關鍵都關乎如何開發(fā)出更高效、更穩(wěn)定的芯片。在短短數(shù)年內(nèi),借助于包括芯片結構、表面粗化處理和多量子阱結構設計在內(nèi)的一系列技術改進,LED 在光效方面實現(xiàn)了巨大突破。圖1是LED 芯片結構的發(fā)展示意圖。隨著生產(chǎn)技術的逐漸成熟,LED 量子效率將進一步提高,LED 芯片的光效也將隨之增強。
薄膜芯片技術是超亮 LED 芯片生產(chǎn)中的核心技術,能夠減少各側(cè)面的光輸出損耗,并能借助底部的反射面使 97% 以上的光線從正面輸出(見圖 2)。這不僅顯著提高LED 的光效,還為透鏡設計創(chuàng)造了優(yōu)越的便利條件。
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