光電探測器陣列CCD轉(zhuǎn)移特性
為了減小氧化層殘余電荷引起界面陷阱中心使載流子消失以提高轉(zhuǎn)移效率,可以在氧化層和襯底之間增加一層隱埋層使轉(zhuǎn)移溝道從表面移向體內(nèi)。由圖1(b)可以看出,勢能極小值脫離了界面進入了體內(nèi),避免了表面態(tài)的影響,因此大大提高了轉(zhuǎn)移效率。
本文引用地址:http://www.2s4d.com/article/167562.htm為了減小氧化層殘余電荷引起界面陷阱中心使載流子消失以提高轉(zhuǎn)移效率,可以在氧化層和襯底之間增加一層隱埋層使轉(zhuǎn)移溝道從表面移向體內(nèi)。由圖1(b)可以看出,勢能極小值脫離了界面進入了體內(nèi),避免了表面態(tài)的影響,因此大大提高了轉(zhuǎn)移效率。
本文引用地址:http://www.2s4d.com/article/167562.htm
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