利用差頻電路實(shí)現(xiàn)微電容式傳感器檢測電路的溫漂抑制
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經(jīng)n個(gè)周期，使得(n-1)△T≤Tin／2，n△T>Tin／2時(shí)，Vck下降時(shí)Vin為高電平，輸出跳變?yōu)楦唠娖?。?jīng)過λTck的時(shí)間，Vin比Vck多走了一個(gè)周期，再次同時(shí)達(dá)到下降沿，但Vout仍為輸出高電平。(λ+1)Tck時(shí)，Vck下降沿到來，此時(shí)Vin為高電平。Vout再次跳變到低電平。取兩次Vout下降沿的距離作為Vout的周期，得本文引用地址：http://www.2s4d.com/article/163353.htm
對(duì)于t0時(shí)刻Vin的上升沿與Vck下降沿重合的情況，分析與上面完全類似，可得到相同的結(jié)果。
下面考慮更一般的情況。當(dāng)Tin不是△T的整數(shù)倍時(shí)，仍假設(shè)t0時(shí)刻輸入不同頻率，不同占空比時(shí)Vout和Vck同為下降沿，分析過程同上，不同的是，在Vout經(jīng)過λTck的時(shí)間后，由于Tin不是△T的整數(shù)倍，Vin和Vck無法再次同時(shí)達(dá)到下降沿，對(duì)于下一周期的分析將無法套用以上的過程。
因此考慮一個(gè)相對(duì)長的時(shí)間內(nèi)，t0到t0+T之間各信號(hào)頻率的關(guān)系。Vin走了T／Tin個(gè)下降沿，T／Tin或T／Tin+1個(gè)上升沿，Vck走了T／Tck個(gè)下降沿。Vin比Vck多走了T／Tin-T／Tck個(gè)周期。按以分析方法可得出，Vout會(huì)有T／Tin-T／Tck個(gè)下降沿，可以認(rèn)為Vout周期為：
由式(13)可以看出，通過兩個(gè)相同電路的頻率求差，電源、閾值電壓和溫度對(duì)頻率的影響中各自最主要的一項(xiàng)被消去，大大降低了對(duì)電容-頻率特性的影響。
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