新聞中心

EEPW首頁 > EDA/PCB > 新品快遞 > Ramtron出貨首批用新IBM生產線制造的F-RAM樣片

Ramtron出貨首批用新IBM生產線制造的F-RAM樣片

—— 可為電子系統提供高性能非易失性數據采集和儲存解決方案
作者: 時間:2011-06-22 來源:電子產品世界 收藏

        世界領先的低功耗鐵電存儲器(F-RAM)和集成半導體產品開發(fā)商及供應商 International Corporation(簡稱)宣布,現在已經可廣泛提供在新IBM公司生產線上制造的首批預驗證鐵電存儲器(F-RAM)樣片。FM24C04C和FM24C16C是位密度分別為4kbit和16kbit的串行5V F-RAM產品,這些器件可為電子系統提供高性能非易失性數據采集和儲存解決方案。的F-RAM產品具有非易失性RAM存儲性能、無延遲(NoDelay)寫入、高讀/寫耐用性及低功耗特性。

本文引用地址:http://www.2s4d.com/article/120665.htm

        Ramtron公司首席執(zhí)行官 Eric Balzer稱:“發(fā)布FM24C04C和FM24C16C樣片是Ramtron新代工服務項目的重要里程碑。這些預驗證芯片符合所有數據表規(guī)范和公司嚴格質量標準的要求,現在這批樣片可以提供給客戶做產品評測。在測試完成后,我們將會提供其它樣片,包括3V I2C和3V及5V SPI產品。”

        FM24C04C和FM24C16C采用串行I2C接口,工作電流為100µA(100kHz下典型值),總線運行頻率最高可達1MHz。這些器件適用于工業(yè)控制、計量、醫(yī)療、軍事、游戲和計算應用及其它領域,可作為4和16Kb串行EEPROM存儲器的直接替代產品。FM24C04C和FM24C16C均采用工業(yè)標準8腳SOIC封裝,工作溫度范圍是工業(yè)級的-40°C至+85°C。

        Ramtron公司FM24CxxC產品的單字節(jié)寫入速度比EEPROM快200倍。此外,相比記錄新數據之前需要5至10毫秒寫入延遲的EEPROM器件,這些器件具有無延遲特性,能夠以標準總線速度寫入。FM24C04C和FM24C16C具有1萬億個寫入周期,而EEPROM只有100萬個寫入周期。相比同類非易失性存儲器產品,它們具有極低的工作電流。



關鍵詞: Ramtron F-RAM樣片

評論


相關推薦

技術專區(qū)

關閉