博客專欄

EEPW首頁 > 博客 > MDD高效率整流管的工作原理:如何降低導(dǎo)通損耗?

MDD高效率整流管的工作原理:如何降低導(dǎo)通損耗?

發(fā)布人:MDD辰達(dá) 時(shí)間:2025-04-03 來源:工程師 發(fā)布文章

在高頻、高功率應(yīng)用中,高效率整流管的導(dǎo)通損耗直接影響電路的整體能效和熱管理。MDD作為專業(yè)的二極管制造商,其高效率整流管因低正向壓降(VF)和快速恢復(fù)特性廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源(SMPS)、PFC電路、DC-DC變換器等場(chǎng)景。那么,MDD高效率整流管的工作原理是什么?又該如何優(yōu)化導(dǎo)通損耗呢?

1.MDD高效率整流管的工作原理

MDD高效率整流管的核心工作原理基于PN結(jié)整流特性,但相較于傳統(tǒng)硅整流二極管,它通過以下優(yōu)化實(shí)現(xiàn)高效能:

①降低正向壓降VF:

采用肖特基二極管(SBD)或超快恢復(fù)二極管(UF),降低導(dǎo)通損耗,提高整流效率。

采用優(yōu)化的摻雜工藝,減少PN結(jié)勢(shì)壘,提高載流子遷移率,從而降低VF。

②優(yōu)化恢復(fù)特性:

超快恢復(fù)結(jié)構(gòu)減少反向恢復(fù)時(shí)間(trr),降低開關(guān)損耗。

SiC碳化硅整流管具有更低的反向漏電流,提高高溫環(huán)境下的穩(wěn)定性。

③改進(jìn)封裝與散熱:

采用D2PAK、TO-220、TO-247等低熱阻封裝,提高散熱能力,減少導(dǎo)通損耗積累的熱量。

2.如何降低導(dǎo)通損耗?

導(dǎo)通損耗主要取決于正向壓降(VF)和工作電流(IF),降低VF和減少功率損耗是提高系統(tǒng)效率的關(guān)鍵。

①選型優(yōu)化:根據(jù)應(yīng)用需求選擇低VF的二極管

低壓應(yīng)用(<100V):選用肖特基二極管(SBD),如MDD的MBR系列,VF低至0.3V,有效減少導(dǎo)通損耗。

中高壓應(yīng)用(100V-600V):選擇超快恢復(fù)二極管,如MDD的HER、UF系列,兼顧低VF與快速恢復(fù)特性。

高壓高效應(yīng)用(>600V):使用SiC碳化硅二極管,如MDD的MSCD系列,具有極低VF和高溫穩(wěn)定性。

②提高散熱能力,降低熱阻(RθJC)

選擇低熱阻封裝(TO-220、TO-247、DPAK)提高散熱效率,防止高溫下VF升高導(dǎo)致更大導(dǎo)通損耗。

采用銅基PCB、散熱器、風(fēng)冷/液冷系統(tǒng)輔助散熱。

③優(yōu)化電路設(shè)計(jì),避免過載工作

適當(dāng)增大二極管的額定電流IF(AV),確保二極管工作在低VF區(qū)域,減少功率損耗。

減小二極管寄生電感,優(yōu)化PCB走線,避免額外的開關(guān)損耗。

3.高效整流,降低損耗

MDD高效率整流管通過優(yōu)化正向壓降(VF)、反向恢復(fù)特性(trr)、封裝散熱設(shè)計(jì),在開關(guān)電源、PFC、DC-DC轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用中,顯著降低導(dǎo)通損耗,提高系統(tǒng)效率。正確選擇低VF、高效散熱的整流管,并結(jié)合合理的電路設(shè)計(jì),是提升電源系統(tǒng)穩(wěn)定性的關(guān)鍵。


*博客內(nèi)容為網(wǎng)友個(gè)人發(fā)布,僅代表博主個(gè)人觀點(diǎn),如有侵權(quán)請(qǐng)聯(lián)系工作人員刪除。



關(guān)鍵詞: 高效率整流二極管

技術(shù)專區(qū)

關(guān)閉