臺積電：我們的3納米優(yōu)于intel18A

事實上，積極與臺積電競爭先進制程的英特爾，其CEO Pat Gelsinger 在推動重返晶圓代工服務上，準備以4 年發(fā)展5 個節(jié)點制程的計劃，也就是分別完成intel7 及intel4 制程之后，預計將在2023 年底前進入intel3 制程，2024 年上半年推進Intel 20A 制程，以及在2024 年下半年推進Intel 18A 制程。如此計劃，將使得英特爾的先進制程技術能在2025 年重返晶圓代工的技術龍頭。

對此，魏哲家表示，臺積電N3 制程技術，在包括PPA 晶體管技術上，已經(jīng)都是業(yè)界最先進的技術。而且，N3 制程技術在有優(yōu)秀的良率下，根據(jù)已公布的第三季財報顯示，3 納米制程出貨占臺積電2023 年第三季晶圓銷售金額6%。預計接下來在高效能運算、智能手機相關領域的支持下將會有強勁需求。整體來說，2023 年3 納米將貢獻全年晶圓營收的中個位數(shù)（mid-single digit，即4%-6%）百分比。

魏哲家還強調，臺積電N3 制程技術家族中，將陸續(xù)推出N3E、N3P、N3X 等改良型制程。其中N3E 為3 納米家族的延伸，具備強化的效能、功耗和良率，將為高效能運算和智能手機相關應用提供完整的支持平臺。目前N3E 已通過驗證并達成效能與良率目標，預計在2023 年第四季量產(chǎn)。除此之外，臺積電也將進一步持續(xù)強化N3 制程技術，包括N3P 和N3X 等制程。

魏哲家還進一步指出，觀察到N2 制程技術在高效能運算和智能手機相關應用方面所引起的客戶興趣和參與，與N3 制程技術在同一階段時不相上下，甚至更高。臺積電的2 納米制程技術在2025 年推出時，在密度和能源效率上都將會是業(yè)界最先進的半導體技術。而N2 制程技術研發(fā)進展順利，也將如期在2025 年進入量產(chǎn)。

臺積電的N2 制程技術將采用納米片(Nanosheet) 晶體管結構，其納米片技術展現(xiàn)了絕佳的能源效率，這使得N2 制程技術將效能及功耗效率提升一個世代，以滿足日益增加的節(jié)能運算需求。做為N2 制程技術平臺的一部分，臺積電亦在N2 發(fā)展出背面電軌(backside power rail) 解決方案，此一設計最適于高效能運算相關應用。而根據(jù)臺積電的規(guī)劃，目標是在2025 年下半年推出背面電軌供客戶采用，并于2026 年量產(chǎn)。隨著臺積電持續(xù)強化的策略，N2 及其衍生技術將進一步擴大臺積電的技術領先優(yōu)勢。

來源：淄博日報

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